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公开(公告)号：CN116318093A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310131069.7
申请日：2023-02-07
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H03K17/081 , H03K17/0814
Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，公开了一种GCT单元胞门阴极特性识别装置和方法，装置包括电源模块，为检测模块输出第一电压参考地的电压；检测模块，分别与GCT单元胞门极端和阴极端连接，用于检测GCT单元胞门阴极梳条的状态，输出第一电压参考地的第一检测信号；处理模块，将第一检测信号转换为第二电压参考地的第二检测信号，第二电压参考地为GCT单元胞关断电路的电压参考地；控制模块，根据第二检测信号使能控制信号，控制信号用于控制GCT单元胞关断电路的导通状态。通过在GCT单元胞门阴极之间设计该识别装置，对GCT单元胞门阴极梳条状态进行识别，避免在施加驱动供电时导致GCT芯片被烧损，实现对GCT芯片的保护。
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公开(公告)号：CN115863288A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211513436.1
申请日：2022-11-29
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/04 , H01L23/31 , H01L29/744
Abstract: 本发明提供GCT元件封装结构，包括GCT芯片，其中，GCT芯片的阳极与阳极钼片连接，阳极钼片与阳极铜块连接，阳极铜块上引出阳极裙边，GCT芯片的阴极与阴极钼片连接，阴极钼片与阴极铜座连接，阴极铜座上引出阴极裙边，GCT芯片的门极与门极引出环连接，门极引出环与门极引出法兰连接，门极引出法兰包括门极裙边，门极裙边上设置有凹形皱褶结构，凹形皱褶结构方向朝向阴极裙边，阳极裙边与阴极裙边之间设置有绝缘瓷环，门极引出法兰将绝缘瓷环分隔成上下两部分。本发明涉及的GCT元件封装结构，在减少寄生电感的同时，无需引入新材料新工艺，不受限于绝缘瓷环下部分的设计厚度。
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公开(公告)号：CN114220850B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202111539836.5
申请日：2021-12-15
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本申请提供一种功率半导体器件的元胞结构及功率半导体器件，所述元胞结构包括衬底，其中，所述衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；位于所述衬底内的第一导电类型第一基区；其中，所述第一基区于所述元胞结构中心位置设置有向靠近所述第二表面方向延伸的第一凸台；位于所述第一基区与所述第二表面之间的阳极区；其中，所述阳极区靠近所述第一基区的一侧于与所述第一凸台对应的位置处形成凹部。该凹部处的阳极区的结深远小于其它区域，既可降低该处逆阻阳极发射效率，又能在该处形成芯片关断时载流子快速抽取通道，从而降低芯片关断拖尾时间和反向恢复时间，降低关断损耗。
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公开(公告)号：CN114024323B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202111273329.1
申请日：2021-10-29
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种投切控制装置的辅助供电电路及电子器件投切电路，投切控制装置的辅助供电电路，包括RC电路和取能电路；RC电路一端连接于第一电子器件的一端，RC电路另一端连接取能电路的第一输入端；取能电路的第二输入端连接于第一电子器件的另一端，取能电路的输出端连接投切控制装置；投切控制装置为用于控制与第一电子器件串联的第二电子器件投切的装置。采用本发明，可以保证投切控制装置的工作稳定性。
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公开(公告)号：CN112271215B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202011286706.0
申请日：2020-11-17
Applicant: 国家电网有限公司 , 国网经济技术研究院有限公司 , 株洲中车时代半导体有限公司 , 国网江苏省电力有限公司经济技术研究院
Abstract: 本发明涉及一种全控型晶闸管芯片及其设计方法，其特征在于，包括：门极电极和若干阴极电极，所述门极电极与所述阴极电极相互隔离，且各所述阴极电极单元通过外部导电片连接，所述门极电极通过同一铝层直接相连；所述阴极电极呈蜂巢状排布，其包括围绕芯片圆心等间距循环往外扩展排布的多个类六边形结构，且每一个所述类六边形结构均包括多个呈正六边形的阴极电极单元，且各所述阴极电极单元均匀排布在所述类六边形结构的每条边上，使得各所述阴极电极单元中心连线形成正六边形结构。本发明可以广泛应用于器件设计领域。
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公开(公告)号：CN111933705B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202010620956.7
申请日：2020-06-30
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L29/06 , H01L21/332
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体器件及其制作方法，解决了现有逆阻型IGCT由于阻断能力漏电较大、反向恢复关断能力低及通流能力低问题。对第二导电类型的衬底进行离子注入在上表面形成第一导电类型第一基区、在背面形成第一导电类型阳极发射区；高温推进在第一导电类型第一基区远离衬底上表面形成第一导电类型第二基区，在第一导电类型阳极发射区远离衬底下表面形成第一导电类型第三基区；在第一导电类型第一基区上表面形成第二导电类型阴极区；在第一导电类型阳极发射区上形成阳极；在第二导电类型阴极区上形成阴极，在第一导电类型第一基区上形成门极；处理衬底边缘形成台面；对台面终端局部辐照形成辐照区。
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公开(公告)号：CN111933704B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202010575741.8
申请日：2020-06-22
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L29/744 , H01L21/332 , H01L29/06
Abstract: 本公开提供一种门极换流晶闸管的元胞结构、制备方法及门极换流晶闸管，所述元胞结构包括在元胞结构两侧，于所述衬底表面向下设置有侧部沟槽，以在所述衬底表面于所述元胞结构中心位置形成凸台；位于所述侧部沟槽和所述凸台下方的第二导电类型短基区；其中，所述短基区的底部于与所述凸台对应的位置处有凸起；位于所述短基区上方的第二导电类型第一基区；位于所述短基区下方的第二导电类型第二基区；其中，所述第二基区的底部于与所述凸台对应的位置处有凸起；位于所述第一基区表面内的第一导电类型发射区；其中，所述短基区的掺杂浓度高于所述第一基区和所述第二基区。可提高驱动控制电压值，从而提高换流速度、增大GCT芯片的关断能力。
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公开(公告)号：CN111933588B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202010592494.2
申请日：2020-06-24
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明提供一种IGCT封装结构，包括环形门极、连接部件、弹性支撑部件和门极外接环。其中，连接部件的顶部与底部分别与环形门极和门极外接环连接，弹性支撑部件位于连接部件内。本发明提供的IGCT封装结构，能够在保证压力传递均匀的同时简化封装工艺流程，提高封装效率，并且有效缩短换流回路的迂回长度，从而有效降低换流回路的杂散电感的IGCT封装结构。
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公开(公告)号：CN114220845B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202111539843.5
申请日：2021-12-15
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本申请提供一种功率半导体器件，包括晶圆，以及设置于所述晶圆表面的多个第一阴极梳条和门极；其中，所述晶圆表面划分为具有相同圆心的多个同心圆环区和多个同心扇形区，所述多个同心圆环区和所述多个同心扇形区交叠以限定出多个图形区，所述多个第一阴极梳条间隔设置于所述多个图形区内；设置于同一所述图形区内的各个所述第一阴极梳条与该图形区的径向对称轴平行，且沿其所在的所述圆环区的内环排布；各个所述图形区内所述第一阴极梳条的排布间距沿与所述门极的径向距离的增加的方向先减小后增大。图形区内的阴极梳条的间距随其与门极的径向距离变化进行变化设计，提升了阴极梳条动态开关均匀性，有利于提升大面积芯片的关断能力。
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公开(公告)号：CN112803373B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202011474538.8
申请日：2020-12-14
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H02H7/20
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体器件保护电路、控制方法、存储介质以及设备，其包括关断模块、保护模块和控制模块。其中，控制模块配置为响应于用于指示功率半导体器件短路的指令而控制关断模块动作以断开关断电路，从而能够在功率半导体器件失效或者外界原因造成门阴极短路后，仍能保护关断电路上的器件；另外，还控制保护模块动作以接通保护电路，确保实现门阴极短路，有效提高功率半导体器件的承压能力以及升压速率，并可以在外部因素导致门阴极短路的情况下可以快速接通保护电路，保护整个功率半导体驱动关断电路的安全性，同时提高功率半导体器件的可适用性、可靠性以及重复应用性。
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