公开(公告)号：CN113655242B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202010357952.4

申请日：2020-04-29

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 王真 ,  万超群 ,  李贵生 ,  陈彦 ,  宋自珍 ,  陈喻 ,  李义 ,  翟龙 ,  朱婷

IPC: G01R1/04 ,  G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种IGBT器件动态测试用夹具及方法，涉及IGBT器件技术领域，用于降低测试电路中杂散电感。本发明的IGBT器件动态测试用夹具，包括第一夹具、第二夹具和支撑架，通过将第一夹具和第二夹具分别设置为关于第一IGBT器件和第二IGBT器件对称且具有层叠结构，从而利用电磁耦合原理降低测试电路中杂散电感，有助于提升器件动态参数测试的可靠性。

公开(公告)号：CN113655242A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202010357952.4

申请日：2020-04-29

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 王真 ,  万超群 ,  李贵生 ,  陈彦 ,  宋自珍 ,  陈喻 ,  李义 ,  翟龙 ,  朱婷

IPC: G01R1/04 ,  G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种IGBT器件动态测试用夹具及方法，涉及IGBT器件技术领域，用于降低测试电路中杂散电感。本发明的IGBT器件动态测试用夹具，包括第一夹具、第二夹具和支撑架，通过将第一夹具和第二夹具分别设置为关于第一IGBT器件和第二IGBT器件对称且具有层叠结构，从而利用电磁耦合原理降低测试电路中杂散电感，有助于提升器件动态参数测试的可靠性。

公开(公告)号：CN221862667U

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202323289112.7

申请日：2023-12-04

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 刘敏安 ,  罗海辉 ,  肖强 ,  任亚东 ,  李诚瞻 ,  翟龙

IPC: H02M1/32 ,  H02M1/08 ,  H02M1/088 ,  H03K17/082

Abstract: 本申请提供一种短路保护驱动电路及设备，该电路中，第一碳化硅MOS模块和第二碳化硅MOS模块串联于负载主电路形成半桥电路，电流传感器S1与负载主电路连接，电流传感器S1用于检测负载主电路中位于第一碳化硅MOS模块和第二碳化硅MOS模块之间的电流信号，第一驱动电路和第二驱动电路均与电流传感器S1连接，第一驱动电路与第一碳化硅MOS模块连接，第一驱动电路用于根据电流信号控制第一碳化硅MOS模块的栅极电压，第二驱动电路与第二碳化硅MOS模块连接，第二驱动电路用于根据电流信号控制第二碳化硅MOS模块的栅极电压。本申请具有电路短路保护的效果。