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公开(公告)号：CN114597684A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202011418761.0
申请日：2020-12-07
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01R12/58
Abstract: 本发明提供了一种IGBT模块信号端子，包括Pin针本体，Pin针本体上设有肩部、应力缓冲部、限位部和底座，所述肩部设于Pin针本体的一端，所述应力缓冲部的一端与肩部连接，另一端与底座连接，所述应力缓冲部可沿Pin针本体延伸方向伸缩，所述限位部沿Pin针本体延伸方向的高度小于应力缓冲部的高度，两个所述限位部设于应力缓冲部的两侧，限位部的一端与肩部连接，另一端悬空于底座上方；本发明提供的IGBT模块信号端子能简化操作工序，使用寿命长，可靠性高。
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公开(公告)号：CN115986445A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211615194.7
申请日：2022-12-14
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明提供一种一体化Pin针，包括Pin针主体和底座，其中，Pin针主体与底座之间通过限位结构和缓冲结构连接，缓冲结构上靠近底座的部分位于底座的外侧。本发明提供的一体化Pin针，在结构上具有纵向应力缓冲结构，能对纵向应力进行缓冲，同时有纵向限位结构部分，在保证刚度的同时能承受一定的纵向应力，并且缓冲结构与底座连接的部分位于底座的外侧，可以避免应力缓冲方向在焊接底座上方以有效减小对焊接底座的影响，从而极大程度上提高焊接界面的机械强度和可靠性。
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公开(公告)号：CN114551419A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202011356430.9
申请日：2020-11-27
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/34 , H01L23/492
Abstract: 本发明涉及半导体加工领域，具体是电阻贴片装置及其方法和IGBT衬板，其包括焊盘，焊盘上开设凹槽，凹槽贯穿焊盘的底部，凹槽内设置焊片，焊片的底部与焊盘的底部平齐，焊片的两侧外壁与凹槽的两侧侧壁相触。本发明的有益效果是，本发明通过凹槽两侧内的焊片限制了电阻的径向移动和转动，通过焊盘上的凹槽的另外两侧限制了电阻的轴向移动，从而保证电阻在贴片、转运以及焊接过程中不发生移动，避免焊接后出现虚焊、立碑、短接等焊接问题，另外，电阻贴在焊片上，焊片设置在凹槽内的方式，增大了电阻与焊盘所在的衬板的焊接触面积，提高了电阻焊接的可靠性，有效提高贴装效率，提升热敏电阻焊接质量及合格率。
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公开(公告)号：CN112201628A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010857075.7
申请日：2020-08-24
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/49 , H01L29/739 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供了一种功率模块封装结构及其制备方法，解决了在IGBT模块上进行铜线键合时工艺要求高、工艺实现困难的问题。通过在功率半导体芯片第一表面的第一电极上设置键合板，并在键合板表面连接第一键合线，第一键合线通过键合板将第一电极引出，第一键合线的另一端与衬板连接；在功率半导体芯片第一表面的第二电极上连接第二键合线将第二电极引出，第二键合线的另一端与衬板连接。上述方案有效地解决功率半导体芯片表面铜线的键合问题，提高了键合点的可靠性，减少了键合时对功率半导体芯片的损伤，增加了键合过程的稳定性，有效的解决了在功率半导体芯片表面键合铜线难以实现的问题。
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公开(公告)号：CN116190300A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211601265.8
申请日：2022-12-13
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供晶圆扩膜机构，包括支撑座、扩膜内环、扩膜外环和第一传动机构，其中，扩膜内环、扩膜外环和第一传动机构均设置在支撑座上，扩膜外环用于固定晶圆铁环，扩膜内环用于顶住晶圆薄膜，第一传动机构驱动扩膜外环上下移动，支撑座上设置有能够与扩膜外环底部形成接触的第一限位组件。本发明通过晶圆铁环将晶圆定位在扩膜外环中，保证晶圆不会自由旋转，然后，通过第一传动机构带动扩膜外环向下运动，实现晶圆扩膜，在扩膜外环向下运动到第一限位组件的限位形成后停止运动，通过第一限位组件保证扩膜外环下降之后保持水平，从而保证晶圆扩膜后芯片水平，取片时芯片不会崩边、破损或粘连。
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公开(公告)号：CN111223838A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010026532.8
申请日：2020-01-10
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/473
Abstract: 本发明提出了一种高效散热绝缘衬板，包括依次层叠设置的上金属层、陶瓷层和下金属层，所述陶瓷层内设置有流道结构，所述流道结构布满半导体芯片的发热区域。本发明的绝缘衬板陶瓷层内部设置有通道结构，使得高效散热效果的绝缘衬板设计不再受限于材料特性的选择，可以实现从半导体芯片到冷却液之间的直接散热，改善了模块内部散热路径，增强了模块散热效率，提高功率模块的热稳定性及长期可靠性。
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公开(公告)号：CN112993616B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201911290617.0
申请日：2019-12-16
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及一种功率模块结构，涉及半导体器件技术领域，用于改善端子与内部电路板之间的硬连接并提升功率模块的可靠性。本发明的功率模块结构，包括盖板、散热基板和弹性导电元件，由于在端子与内部电路板之间设置了弹性导电元件，并且仅弹性导电元件与内部电路板之间的连接为硬连接，而弹性导电元件与端子之间的连接为接触连接，因此在实现电气导通的前提下，使二者之间具有缓冲的余量，避免了现有技术中的硬连接及由此引入的不确定性，有利于功率模块结构在该连通界面可靠性的提升。
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公开(公告)号：CN113798658A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111266328.4
申请日：2021-10-28
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: B23K20/26 , B23K20/10 , B23K101/36
Abstract: 本发明提供了一种Pin针超声焊接的焊接头结构、Pin针结构及焊接装置、方法，该焊接头结构包括焊接头本体，所述焊接头本体呈柱状，其内部中心处具有沿其轴向延伸的空腔，所述空腔的一端延伸至所述焊接头本体一端的端面并在所述端面的中心形成开口；所述焊接头本体的内部在靠近所述空腔的另一端处开设有气体通道，所述气体通道连通所述空腔；或所述空腔的内壁上在靠近所述开口处设置有至少一个弹性圈，所述弹性圈嵌设于所述空腔的内壁且其表面凸出于所述空腔的内壁面。基于本发明的技术方案，焊接头利用真空吸附结构或弹性圈结构对Pin针进行吸附并固定，保证了Pin针在焊接头本体内部以及后续超声焊接过程中的衬板或模块上的定位精度。
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公开(公告)号：CN112993616A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911290617.0
申请日：2019-12-16
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及一种功率模块结构，涉及半导体器件技术领域，用于改善端子与内部电路板之间的硬连接并提升功率模块的可靠性。本发明的功率模块结构，包括盖板、散热基板和弹性导电元件，由于在端子与内部电路板之间设置了弹性导电元件，并且仅弹性导电元件与内部电路板之间的连接为硬连接，而弹性导电元件与端子之间的连接为接触连接，因此在实现电气导通的前提下，使二者之间具有缓冲的余量，避免了现有技术中的硬连接及由此引入的不确定性，有利于功率模块结构在该连通界面可靠性的提升。
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公开(公告)号：CN112310029A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910684109.4
申请日：2019-07-26
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/367 , H01L25/18 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及一种衬板和基体集成的功率半导体器件及其制造方法，涉及功率模块的封装设计领域，用于解决现有技术中存在的工艺效率低、工艺成本高以及模块散热性差的技术问题。本发明的衬板和基体集成的功率半导体器件包括依次设置的基体、绝缘层和金属层，通过将基体、绝缘层和金属层设置为一体式的集成结构，从而取消了传统IGBT模块封装工艺流程中的衬板与基板焊接的操作以及衬板间通过引线互连的操作，从而提高了工艺效率，降低了工艺成本，也杜绝了衬板与基板大面积焊接时产生气泡从而影响散热的问题。
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