公开(公告)号：CN115985856A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211669039.3

申请日：2022-12-23

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 罗海辉 ,  董国忠 ,  常桂钦 ,  李寒 ,  石廷昌 ,  王梦妍 ,  张文浩 ,  彭勇殿 ,  李亮星

IPC: H01L23/10 ,  H01L23/04 ,  H01L23/14 ,  H01L23/31 ,  H01L21/52 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供功率半导体模块及其制造方法，包括顶板和壳体，其中，顶板设置在壳体顶部，顶板和壳体之间形成密闭空腔，密闭空腔内从上而下依次设置有电极、半导体芯片和底板，电极与半导体芯片对应设置。本发明将模块内部形成一个完全密封的空腔，在完全密封的环境下，有效阻止外部物质进入功率半导体模块内心成损伤，良好地保护以防腐蚀和/或由于湿气和/或其他围绕功率半导体模块的有害物质可能引起的其他损坏。

公开(公告)号：CN220087140U

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202320565690.X

申请日：2023-03-21

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 余军 ,  王梦妍 ,  常桂钦 ,  罗海辉 ,  康强 ,  肖强 ,  秦光远

IPC: H02M1/00 ,  H05K1/11 ,  H05K1/18 ,  H02M7/5387 ,  H01L23/498

Abstract: 本实用新型涉及一种三电平功率模块，涉及半导体技术领域。本实用新型的三电平功率模块通过设置外壳、第一绝缘衬板、第二绝缘衬板以及布置在所述第一绝缘衬板与所述第二绝缘衬板上的三电平逆变电路，所述三电平逆变电路包括第一电路单元、第二电路单元、第三电路单元、第四电路单元、第五电路单元以及第六电路单元，第一绝缘衬板设置有第一导电图案层，第二绝缘衬板上设置有第二导电图案层，第一导电图案层与第二导电图案层电连接，第一导电图案层上设置有第一电路单元、第二电路单元及第五电路单元，第二导电图案层上设置有第三电路单元、第四电路单元及第六电路单元，解决的了现有技术中的三电平功率模块体积大、集成度低的问题。