Patent search cpc:"H01L2224/05562" Page 1

1.

发明公开
半导体装置制造方法和半导体晶片有权

公开(公告)号：CN106920769A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201611118742.X

申请日：2016-12-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 太田祐一 , 喜多贤太郎 , 大浦雄大 , 吉田宏平

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L24/94 , H01L21/304 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L21/823814 , H01L21/823871 , H01L21/823892 , H01L23/544 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/92 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68386 , H01L2223/5446 , H01L2224/0218 , H01L2224/0219 , H01L2224/02206 , H01L2224/02215 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/0348 , H01L2224/03828 , H01L2224/0391 , H01L2224/03914 , H01L2224/0401 , H01L2224/05018 , H01L2224/05019 , H01L2224/05022 , H01L2224/05082 , H01L2224/05084 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05187 , H01L2224/05562 , H01L2224/05644 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1146 , H01L2224/11464 , H01L2224/1181 , H01L2224/11849 , H01L2224/119 , H01L2224/13026 , H01L2224/131 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2924/04941 , H01L2924/07025 , H01L2224/11 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2221/68304 , H01L2221/68318

Abstract: 本公开涉及半导体装置制造方法和半导体晶片。半导体装置制造方法提高了制造半导体装置的产率。提供了用于覆盖多个接合焊盘的绝缘膜、在绝缘膜上的第一保护膜和在第一保护膜上的第二保护膜。在半导体芯片中，多个电极层经由形成在绝缘膜中的第一开口和形成在第一保护膜中的第二开口电耦接到接合焊盘中的每个。多个突起电极经由形成在第二保护膜中的第三开口电耦接到电极层中的每个。在伪芯片中，第二开口形成在第一保护膜中，且第三开口形成在第二保护膜中。在与第三开口重合的第二开口的底部处暴露绝缘膜。保护带被施加到主平面以覆盖突起电极。

2.

发明授权
包含用于穿硅通孔的穿透结构的堆叠式裸片互连结构有权

公开(公告)号：CN102187458B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN200980141580.3

申请日：2009-08-19

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 欧文·R·费伊 , 沃伦·M·法恩沃思 , 戴维·R·亨布里

IPC: H01L25/065

CPC classification number: H01L23/5384 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L2224/03444 , H01L2224/0346 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05009 , H01L2224/05011 , H01L2224/05012 , H01L2224/05017 , H01L2224/05025 , H01L2224/05027 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05551 , H01L2224/05558 , H01L2224/05562 , H01L2224/05611 , H01L2224/114 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11474 , H01L2224/1161 , H01L2224/1162 , H01L2224/1182 , H01L2224/11823 , H01L2224/11825 , H01L2224/11826 , H01L2224/11831 , H01L2224/11903 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/13019 , H01L2224/13075 , H01L2224/13082 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13166 , H01L2224/13562 , H01L2224/13611 , H01L2224/13644 , H01L2224/13687 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/29011 , H01L2224/2919 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/73257 , H01L2224/81139 , H01L2224/81191 , H01L2224/81205 , H01L2224/81345 , H01L2224/81365 , H01L2224/81815 , H01L2224/81898 , H01L2224/831 , H01L2224/83141 , H01L2224/83193 , H01L2224/9211 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2924/00012

Abstract: 本发明揭示包含用于穿硅通孔的穿透结构的堆叠式裸片互连结构以及相关联的系统及方法。根据特定实施例，一种系统包含具有第一衬底材料的第一半导体衬底及由所述第一半导体衬底承载的穿透结构。所述系统进一步包含具有带有预形成的凹部的第二衬底材料的第二半导体衬底。所述第一半导体衬底的所述穿透结构接纳于所述第二半导体衬底的所述凹部中且与所述凹部机械啮合并紧固到所述第二半导体衬底。

3.

发明公开
芯片、其制作方法及层叠芯片的制作方法有权

公开(公告)号：CN105448861A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201410308869.2

申请日：2014-06-30

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 陈福成

IPC: H01L23/48 , H01L21/603 , H01L21/98

CPC classification number: H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/02175 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0381 , H01L2224/03831 , H01L2224/04 , H01L2224/0401 , H01L2224/05018 , H01L2224/05027 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05558 , H01L2224/05562 , H01L2224/05572 , H01L2224/05611 , H01L2224/05647 , H01L2224/05681 , H01L2224/05687 , H01L2224/06051 , H01L2224/061 , H01L2224/06505 , H01L2224/08058 , H01L2224/08111 , H01L2224/08145 , H01L2224/10145 , H01L2224/1148 , H01L2224/1181 , H01L2224/13022 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/16058 , H01L2224/16145 , H01L2224/27831 , H01L2224/29187 , H01L2224/32145 , H01L2224/73101 , H01L2224/73104 , H01L2224/73201 , H01L2224/73204 , H01L2224/80011 , H01L2224/80012 , H01L2224/80203 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/81011 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81895 , H01L2224/81948 , H01L2224/83011 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83896 , H01L2224/83948 , H01L2224/9211 , H01L2225/06513 , H01L2225/06555 , H01L2225/06593 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/05442 , H01L2924/059 , H01L2924/04642 , H01L2924/05042 , H01L2224/05 , H01L2224/13 , H01L2224/08 , H01L2224/16 , H01L2224/80 , H01L2924/00

Abstract: 本申请公开了一种芯片、其制作方法及层叠芯片的制作方法。其中，该芯片包括：芯片基板；介质层，设置于芯片基板上，介质层包括第一介质区和环绕在第一介质区外周的第二介质区，且第一介质区的上表面低于第二介质区的上表面；金属层，设置于第一介质区并贯穿介质层，且金属层与芯片基板连接。在上述芯片中通过降低围绕在金属层外周的第一介质区相对于金属层的高度，使得暴露在第一介质层外面的金属层的体积增加。将该芯片与其它芯片进行键合过程中，在键合压力不变的情况下金属层内部的应力会减小，使得金属层的延展程度得以减小，进而提高层叠芯片的可靠性。

4.

发明公开
转移石墨烯片到用于封装的衬底金属接触凸块的方法无效

公开(公告)号：CN103871909A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310692838.7

申请日：2013-12-17

Applicant: IMEC公司

Inventor： 胡毓祥 , 刘重希

IPC: H01L21/50

CPC classification number: H01L24/06 , G03F7/0002 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/742 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/98 , H01L2224/02126 , H01L2224/0401 , H01L2224/05026 , H01L2224/05562 , H01L2224/05572 , H01L2224/10126 , H01L2224/111 , H01L2224/1144 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11602 , H01L2224/1181 , H01L2224/1182 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13541 , H01L2224/13562 , H01L2224/13693 , H01L2224/14051 , H01L2224/14505 , H01L2224/1703 , H01L2224/17505 , H01L2224/29036 , H01L2224/2919 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/742 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/81902 , H01L2224/81903 , H01L2224/83191 , H01L2224/83862 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , Y10T29/49 , Y10T29/49014 , Y10T29/49117 , Y10T156/1028 , Y10T156/11 , H01L2924/00012 , H01L2924/0665 , H01L2924/014 , H01L2224/05552 , H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及转移石墨烯片到用于封装的衬底金属接触凸块的方法。根据本发明的一种方法，用于将石墨烯片转移到半导体器件封装中使用的衬底的金属接触凸块，所述封装即由所述接触凸块连接的衬底叠层。特别地，该方法相关于铜接触凸块，石墨烯为其形成保护层。根据本发明的方法，使用压印器装置，该压印器装置包括压印器衬底，所述衬底设置有空腔，其中各个空腔设置有凸缘部。压印器衬底对准所述包括凸块的衬底，并降低到所述衬底上，使每个凸块都由空腔封闭，直至空腔的凸缘部切穿石墨烯片，当压印器被移除后，石墨烯层部分留在每个凸块的顶部。石墨烯片优选地通过将其压印到围绕所述凸块的钝化层中，以附着在衬底上。

5.

发明公开
焊盘侧壁间隔和制造焊盘侧壁间隔的方法有权

公开(公告)号：CN103594387A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201310356763.5

申请日：2013-08-15

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 约翰·加特鲍尔

IPC: H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/488 , H01L23/31

CPC classification number: H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/02126 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05007 , H01L2224/05147 , H01L2224/05562 , H01L2224/05583 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/16238 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48644 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/48744 , H01L2224/48755 , H01L2224/48764 , H01L2224/48844 , H01L2224/48855 , H01L2224/48864 , H01L2224/73204 , H01L2224/8592 , H01L2924/12032 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L21/4853 , H01L23/49811 , H01L23/49844 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了焊盘侧壁间隔和制造接触焊盘侧壁间隔的方法。实施方式包括：在衬底上形成多个接触焊盘，每个接触焊盘具有侧壁；在衬底上形成第一光致抗蚀剂；并且将第一光致抗蚀剂从衬底上去除，从而沿多个接触焊盘的侧壁形成侧壁间隔。

6.

发明公开
半导体器件及方法失效

公开(公告)号：CN103066058A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210404792.X

申请日：2012-10-22

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 克里斯蒂安·比尔策 , 乔治·迈尔-伯格

IPC: H01L23/528 , H01L21/768

CPC classification number: H01L24/05 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L24/13 , H01L2224/0235 , H01L2224/02375 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05012 , H01L2224/05014 , H01L2224/05552 , H01L2224/05557 , H01L2224/05562 , H01L2224/05567 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/056 , H01L2224/0579 , H01L2224/058 , H01L2224/13007 , H01L2224/13022 , H01L2224/13027 , H01L2224/131 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/014

Abstract: 本发明涉及半导体器件和方法。一种电子器件包括半导体芯片。所述半导体芯片包括路由线。绝缘层设置在所述半导体芯片上方。焊料沉积物设置在所述绝缘层上方。通孔延伸穿过所述绝缘层的开口以使所述路由线与所述焊料沉积物电连接。所述通孔面向所述路由线的前缘线部分基本上为直线，具有凹曲率或大于所述通孔的最大横向尺寸的直径的凸曲率。

7.

发明公开
半导体装置中的无电镍及金镀敷有权

公开(公告)号：CN102782824A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201080065192.4

申请日：2010-12-14

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 胡安·亚力杭德罗·赫布佐默 , 奥斯瓦尔多·洛佩斯

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/03424 , H01L2224/03464 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05005 , H01L2224/05016 , H01L2224/05018 , H01L2224/05022 , H01L2224/05073 , H01L2224/05155 , H01L2224/05562 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/13099 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01084 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/365 , H01L2924/01028 , H01L2224/05099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2224/05552

Abstract: 一种所描述的实例半导体装置包含在半导体衬底(210)及金属接触垫(220)的一部分上形成的钝化层(230)。使用ENIG无电镀敷工艺，将镍沉积于所述钝化层及金属接触垫上，且将金沉积于所述镍上。所述镍包含在所述镍与所述钝化层的界面(180)处及在所述镍与所述钝化层及金属接触垫的结(290)处的无多孔镍的第一无孔镍区域(层250A)。所述镍还包含在第一镍层(250A)上的多孔镍区域(层270)。金区域(层260)在多孔镍层(270)上。第二无孔镍区域(层250B)可在所述多孔镍区域与所述金区域之间。富含金的镍区域(275)可在所述多孔镍区域与所述金区域之间。对所沉积镍与所沉积金的相对厚度进行选择以防止在无电金镀敷工艺期间镍层的腐蚀到达装置层。

8.

发明公开
半导体器件和半导体器件制造方法失效

公开(公告)号：CN102280470A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110159141.4

申请日：2011-06-01

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 福田恭平 , 望月英司 , 泽野光利 , 须泽孝昭

IPC: H01L29/06 , H01L29/41 , H01L21/336 , H01L21/28

CPC classification number: H01L21/761 , H01L21/6836 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/32 , H01L29/0619 , H01L29/0646 , H01L29/0657 , H01L29/0661 , H01L29/0692 , H01L29/0834 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/7395 , H01L2221/68327 , H01L2224/04026 , H01L2224/05008 , H01L2224/05012 , H01L2224/05124 , H01L2224/05548 , H01L2224/05562 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/26145 , H01L2224/29023 , H01L2224/29024 , H01L2224/291 , H01L2224/32227 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01327 , H01L2924/10156 , H01L2924/10158 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/351 , H01L2924/3651 , H01L2924/3656 , H01L2924/014 , H01L2224/03 , H01L2924/00 , H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供一种能够防止半导体芯片的破裂和碎裂并提高器件特性的半导体器件和半导体器件制造方法。在半导体芯片的元件端部的侧面设置分离层。而且，在半导体芯片的元件端部，通过凹部形成帽檐部。集电层设置在半导体芯片的背面上，延伸到凹部的侧壁和底面，并与分离层连接。在集电层的整个表面上设置集电电极。凹部的侧壁上的集电电极成为，最外层电极膜的厚度为0.05μm或更小。设置在半导体芯片的背面上的集电电极经由焊料层接合于绝缘衬底上。将焊料层设置成覆盖设置在半导体芯片的背面的平坦部上的集电电极。