公开(公告)号：CN111628007A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN202010357947.3

申请日：2020-04-29

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 张中华 ,  罗海辉 ,  覃荣震 ,  肖强 ,  谭真华

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/66 ,  H01L29/417

Abstract: 本公开提供一种功率二极管及其制造方法。该功率二极管包括第一导电类型衬底以及设置于所述衬底上的阳极区和终端保护区；所述阳极区包括设置于所述衬底表面内的第二导电类型第一掺杂区和设置于所述第一掺杂区表面内的第二导电类型第二掺杂区；其中，所述第二掺杂区的离子掺杂浓度和深度被选择成使得所述功率二极管在额定电流下能够保持相同的导通压降与关断损耗。通过所述第二掺杂区的引入，实现大电流下更大的阳极注入效率，降低导通损耗，降低浪涌电流下器件发热量，从而提升浪涌电流能力。且通过调控表面面积和形状，还可以实现浪涌电流能力与安全工作区的折中。

公开(公告)号：CN113035847B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN201911355472.8

申请日：2019-12-25

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 刘国友 ,  李道会 ,  齐放 ,  李想 ,  王彦刚 ,  罗海辉

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明涉及功率半导体模块技术领域，提出一种功率半导体模块低电感封装结构，包括基板和设置在所述基板上的功率半导体模块单元，所述功率半导体模块单元用于形成可降低电感的双开关电路结构，所述功率半导体模块单元包括间隔设置在所述基板上的多个衬板，相邻所述衬板之间通过第一键合线连接，相连的两所述衬板上连接有延伸出外管壳的功率端子组，所述功率端子组包括两个部分重叠设置但互不接触的子功率端子，用于使两个所述子功率端子导通不同方向电流时产生电磁耦合以降低电感；还提出一种功率半导体模块低电感封装方法，其用于制造本发明提出的功率半导体模块低电感封装结构。本发明具有高可靠性、高功率密度和低电感的优点。

公开(公告)号：CN112687644B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202011489643.9

申请日：2020-12-16

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 尚敬 ,  常桂钦 ,  黄建新 ,  罗海辉 ,  彭勇殿 ,  吴义伯 ,  窦泽春 ,  杨进峰

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/367 ,  H01L25/11 ,  H01R9/24

Abstract: 本发明提供一种具有低感复合母排结构的集成散热器IGBT功率器件，包括：散热器、衬板、PCB电路、端子以及低感复合母排，衬板与所述散热器互联，衬板上布置有所述PCB电路和端子，低感复合母排与所述端子连接；低感复合母排包括：相对设置的半桥IGBT器件的DC+级和半桥IGBT器件的DC‑级、以及设置在半桥IGBT器件的DC+和半桥IGBT器件的DC‑级的一侧的半桥IGBT器件的AC级。本发明集成低感复合母排，IGBT器件更为紧凑，空间占用少，能有效降低器件因连接产生的接触热阻和电阻；低感复合母排设计自由度大，寄生参数较小；由该型器件组装而成的功率组件，空间排布的自由度大，寄生参数也可以减小；杂散电感低，电流路径短，能有效降低芯片所受的应力，有利于提高器件的可靠性。

公开(公告)号：CN112635404B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202011355642.5

申请日：2020-11-27

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 李寒 ,  罗海辉 ,  李星峰 ,  石廷昌 ,  常桂钦 ,  彭勇殿 ,  吴义伯 ,  曾雄 ,  张文浩

IPC: H01L23/04 ,  H01L21/52 ,  H05K1/18

Abstract: 本发明涉及一种功率子模块、其制作方法以及转模压接式功率模块，涉及电力电子技术领域，用于解决结构复杂、封装可靠性较差的技术问题。本发明的功率子单元包括绝缘胶框以及芯片，由于绝缘胶框是用胶体在所述芯片组件上以直接转模的方式而形成，避免了现有技术中将单个的芯片、上钼片和下钼片等部件逐一地放入侧框中并对其一一进行定位的多道工序，因此不仅简化了定位工序；还由于绝缘胶框为一体形成的，因此其并不存在装配缝隙，也无需后续的涂胶处理，从而也简化了涂胶工序，因此本发明的功率子单元的工序简单易操作；并且使功率子单元能够实现功率子单元一体化绝缘的保护方式，从而保证良好的绝缘效果和封装可靠性。

公开(公告)号：CN112083305B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202010739182.X

申请日：2020-07-28

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 石帮兵 ,  丁杰钦 ,  李诚瞻 ,  赵艳黎 ,  郑昌伟 ,  焦莎莎 ,  罗烨辉 ,  罗海辉

IPC: G01R31/26

Abstract: 本公开提供一种SiC MOSFET器件结温的测量方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括对处于不同测试温度下的参考SiC MOSFET器件施加预设栅源负电压和预设源漏电流，以测量所述参考SiC MOSFET器件在不同测试温度下的源‑漏二极管结电压；对所有测试温度及其对应的所述参考SiC MOSFET器件的源‑漏二极管结电压进行线性拟合，得到源‑漏二极管结电压与温度的线性关系；对待测SiC MOSFET器件施加所述预设栅源负电压和所述预设源漏电流，以测量所述待测SiC MOSFET器件的源‑漏二极管结电压；利用所述线性关系，根据所述待测SiC MOSFET器件的源‑漏二极管结电压确定其结温。该方法利用SiC MOSFET器件的结电压在一定的栅源负电压下具有良好线性温敏特性的特点，能够实现器件结温的准确测量。

公开(公告)号：CN114122105B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202010879830.1

申请日：2020-08-27

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 朱利恒 ,  肖强 ,  覃荣震 ,  罗海辉

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明公开了一种沟槽栅IGBT器件，包括从下到上依次设置的阳极区、缓冲区、漂移区、N阱区和P阱区，还包括从上到下贯穿所述N阱区和P阱区且伸入所述漂移区的沟槽栅以及设置在所述漂移区顶部与所述N阱区连接的深P阱区。通过在IGBT器件的漂移区设置与N阱区连接的深P阱区，由于深P阱区处在沟槽栅IGBT非沟道区，可以将沟槽栅氧化层底部的电场峰值转移至深P阱区，使雪崩击穿点远离寄生晶闸管电流通路，进而提升沟槽栅IGBT的安全工作区，提升IGBT器件的性能，结构简单。

公开(公告)号：CN116613156A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310524487.2

申请日：2023-05-10

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 常桂钦 ,  李想 ,  罗海辉 ,  秦光远 ,  王彦刚 ,  肖强 ,  彭勇殿

IPC: H01L25/18 ,  H01L25/07 ,  H01L23/485 ,  H01L23/367 ,  H01L23/14 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅功率模块的封装结构，包括基板以及均布在所述基板上的多个衬板，所述衬板上具有多个金属层。多个所述衬板形成在所述基板上并列分布且彼此并联的多个功能单元，每个所述功能单元均包括两个相对设置的所述衬板，同一个所述功能单元中的两个所述衬板上的所述金属层的布局结构关于所述功能单元的中心中心对称，多个所述功能单元的所述金属层的布局结构以及相对所述基板的布局方位相同。本发明通过设计封装结构中的衬板、芯片的布局，以及改进键合结构和功率端子的结构，能够实现各种功率容量的低电感封装。

公开(公告)号：CN111986991B

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202010838550.6

申请日：2020-08-19

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 刘启军 ,  王亚飞 ,  李诚瞻 ,  陈喜明 ,  赵艳黎 ,  郑昌伟 ,  张超 ,  罗海辉

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/033 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本公开提供一种沟槽的刻蚀方法、碳化硅器件的制备方法及碳化硅器件，所述碳化硅器件的制备方法包括：通过湿法刻蚀工艺和化学机械平坦化在漂移层上的氧化层上于所述屏蔽区的对应位置处形成第三刻蚀窗口；其中，所述第三刻蚀窗口的侧壁相对于其底部的倾角为130°至140°；通过所述第三刻蚀窗口，采用干法刻蚀的工艺在漂移层表面内于所述屏蔽区的对应位置处形成呈等腰梯形的沟槽，所述屏蔽区的剩余部分位于所述沟槽下方；其中，所述沟槽的侧壁相对于其底部的倾角等于所述第三刻蚀窗口的侧壁相对于其底部的倾角；在沟槽的侧壁和底部形成与漂移层形成肖特基接触的肖特基金属层。这种方法实现了MOSFET与SBD集成后通态电流和阻断电压之间最优的折中关系。

公开(公告)号：CN116130352A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211680179.0

申请日：2022-12-26

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 岳金亮 ,  罗海辉 ,  谭灿健 ,  罗湘 ,  王志轮

IPC: H01L21/308

Abstract: 本发明提供一种晶圆及其刻蚀方法，该晶圆刻蚀方法包括：在晶圆的边缘制作抗刻蚀保护层，抗刻蚀保护层用于在刻蚀过程中保护晶圆的边缘不被刻蚀；对晶圆的表面涂覆光刻胶；对晶圆的表面进行刻蚀处理，晶圆的边缘在抗刻蚀保护层对应的位置形成隔断圈部，在晶圆的表面刻蚀出沟槽，至少一个沟槽被隔断圈部隔断；去除在晶圆的边缘的抗刻蚀保护层。通过在晶圆的表面设置抗刻蚀保护层，使得晶圆的边缘收到保护，使得晶圆表面的沟槽能够被隔断，阻挡沟槽贯穿至晶圆的边缘，使得该沟槽能够在晶圆的边缘得到隔断和封闭，避免沟槽内的填充物从沟槽内脱落，从而避免晶圆的边缘产生缺陷，提高晶圆的良率。

公开(公告)号：CN116053233A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202211656951.5

申请日：2022-12-22

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 常桂钦 ,  张文浩 ,  李寒 ,  罗海辉 ,  石廷昌 ,  彭勇殿 ,  李亮星 ,  李星峰

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/07

Abstract: 本发明提供压接式子模组及压接式IGBT模块，其中该子模组包括发射极板、一体式旁路结构、导电弹性支撑部件、导电柱和上钼板，其中，一体式旁路结构设置在发射极板与导电柱之间以形成第一通流路径，导电弹性支撑部件位于一体式旁路结构内，导电柱位于一体式旁路结构与上钼板之间，并且导电柱与导电弹性支撑部件对应连接以传导电流形成第二通流路径。本发明中导电弹性支撑部件在受压形变到位后彼此间可以形成良好的电基础以传导电流，在提升传统通流路径的基础上新增基于导电弹性支撑部件的通流路径，既维持了基于弹性支撑部件的柔性技术路线，又在对通流路径合理优化的基础上显著增加了模块的失效通流能力。