公开(公告)号：CN112687644A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202011489643.9

申请日：2020-12-16

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 尚敬 ,  常桂钦 ,  黄建新 ,  罗海辉 ,  彭勇殿 ,  吴义伯 ,  窦泽春 ,  杨进峰

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/367 ,  H01L25/11 ,  H01R9/24

Abstract: 本发明提供一种具有低感复合母排结构的集成散热器IGBT功率器件，包括：散热器、衬板、PCB电路、端子以及低感复合母排，衬板与所述散热器互联，衬板上布置有所述PCB电路和端子，低感复合母排与所述端子连接；低感复合母排包括：相对设置的半桥IGBT器件的DC+级和半桥IGBT器件的DC‑级、以及设置在半桥IGBT器件的DC+和半桥IGBT器件的DC‑级的一侧的半桥IGBT器件的AC级。本发明集成低感复合母排，IGBT器件更为紧凑，空间占用少，能有效降低器件因连接产生的接触热阻和电阻；低感复合母排设计自由度大，寄生参数较小；由该型器件组装而成的功率组件，空间排布的自由度大，寄生参数也可以减小；杂散电感低，电流路径短，能有效降低芯片所受的应力，有利于提高器件的可靠性。

公开(公告)号：CN112687644B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202011489643.9

申请日：2020-12-16

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 尚敬 ,  常桂钦 ,  黄建新 ,  罗海辉 ,  彭勇殿 ,  吴义伯 ,  窦泽春 ,  杨进峰

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/367 ,  H01L25/11 ,  H01R9/24

Abstract: 本发明提供一种具有低感复合母排结构的集成散热器IGBT功率器件，包括：散热器、衬板、PCB电路、端子以及低感复合母排，衬板与所述散热器互联，衬板上布置有所述PCB电路和端子，低感复合母排与所述端子连接；低感复合母排包括：相对设置的半桥IGBT器件的DC+级和半桥IGBT器件的DC‑级、以及设置在半桥IGBT器件的DC+和半桥IGBT器件的DC‑级的一侧的半桥IGBT器件的AC级。本发明集成低感复合母排，IGBT器件更为紧凑，空间占用少，能有效降低器件因连接产生的接触热阻和电阻；低感复合母排设计自由度大，寄生参数较小；由该型器件组装而成的功率组件，空间排布的自由度大，寄生参数也可以减小；杂散电感低，电流路径短，能有效降低芯片所受的应力，有利于提高器件的可靠性。

公开(公告)号：CN111524877B

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN201910108735.9

申请日：2019-02-03

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 常桂钦 ,  窦泽春 ,  童颜 ,  彭勇殿 ,  康强 ,  石廷昌 ,  方杰 ,  曾雄 ,  贺新强 ,  万超群

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/367 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明公开了一种双面散热功率模块，包括上衬板、下衬板、至少两颗芯片、主端子、控制端子和封装外壳，下衬板与上衬板平行设置，且与上衬板的相应端口电连接；至少两颗芯片分别设置在上衬板和下衬板上；主端子分别设置在上衬板和下衬板上；控制端子分别设置在上衬板和下衬板上，且控制端子分别与上衬板和下衬板上的对应芯片电连接。本发明有效解决了双面散热模块上下两侧热阻不均匀的问题，散热效率更高，且模块内部空间大，利于填充物填充上下衬板之间的间隙，提升了模块可靠性。

公开(公告)号：CN111146169B

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN201811315635.5

申请日：2018-11-06

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 李寒 ,  石廷昌 ,  窦泽春

IPC: H01L23/488 ,  H01R4/48

Abstract: 本发明公开了一种压接模块用导电碟簧组件，其特征在于，包括：第一导电部；第二导电部，其与所述第一导电部呈间隔设置；碟簧，其设置在所述第一导电部和所述第二导电部之间；其中，所述碟簧形变前，所述第一导电部和所述第二导电部分离时，所述导电碟簧组件呈断开状态；所述碟簧受压形变后，所述第一导电部和所述第二导电部接触时，所述导电碟簧组件呈导电状态。本发明结构简单，组装方便，可靠性好。

公开(公告)号：CN111128900B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201811275230.3

申请日：2018-10-30

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 戴小平 ,  王亚飞 ,  王彦刚 ,  窦泽春 ,  吴煜东

IPC: H01L23/29 ,  H01L29/739 ,  H01L21/56

Abstract: 本申请提供了一种IGBT芯片子单元封装结构及其制造方法，该封装结构包括IGBT芯片、设置在该IGBT芯片上的栅极、分别与该IGBT芯片的上表面发射极和下表面集电极电连接的上钼片和下钼片以及封装器，其中，在上表面发射极上沿着该IGBT芯片的终端区涂覆有硅橡胶。通过本申请的封装结构及其制造方法，能够对该IGBT芯片终端结构进行钝化保护，避免了外界因素对芯片终端的污染而引起电击穿，提高了芯片的耐压性和长期工作的可靠性。