公开(公告)号：CN112687630A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202011483001.8

申请日：2020-12-15

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 常桂钦 ,  黄建新 ,  康强 ,  李寒 ,  吴义伯 ,  彭勇殿 ,  罗海辉 ,  罗启文

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L23/367 ,  H01L21/56

Abstract: 本公开提供一种功率器件及其制作方法，包括：半导体芯片和耐湿层，所述耐湿层包括第一绝缘层和第二绝缘层；其中，所述第一绝缘层位于所述半导体芯片的上方和侧方；所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层上方。

公开(公告)号：CN112687644B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202011489643.9

申请日：2020-12-16

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 尚敬 ,  常桂钦 ,  黄建新 ,  罗海辉 ,  彭勇殿 ,  吴义伯 ,  窦泽春 ,  杨进峰

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/367 ,  H01L25/11 ,  H01R9/24

Abstract: 本发明提供一种具有低感复合母排结构的集成散热器IGBT功率器件，包括：散热器、衬板、PCB电路、端子以及低感复合母排，衬板与所述散热器互联，衬板上布置有所述PCB电路和端子，低感复合母排与所述端子连接；低感复合母排包括：相对设置的半桥IGBT器件的DC+级和半桥IGBT器件的DC‑级、以及设置在半桥IGBT器件的DC+和半桥IGBT器件的DC‑级的一侧的半桥IGBT器件的AC级。本发明集成低感复合母排，IGBT器件更为紧凑，空间占用少，能有效降低器件因连接产生的接触热阻和电阻；低感复合母排设计自由度大，寄生参数较小；由该型器件组装而成的功率组件，空间排布的自由度大，寄生参数也可以减小；杂散电感低，电流路径短，能有效降低芯片所受的应力，有利于提高器件的可靠性。

公开(公告)号：CN116053246A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202310036088.1

申请日：2023-01-06

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 黄建新 ,  李寒 ,  常桂钦 ,  石廷昌 ,  陈超 ,  罗海辉 ,  罗启文 ,  郭倩颖 ,  彭勇殿

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/14

Abstract: 本发明提供了一种半导体功率模块及功率器件，该功率模块包括衬板，衬板表面具有多个沿第一方向依次分布的金属层，金属层至少包括依次分布的第一金属层、第二金属层以及第三金属层；第一金属层与第三金属层均为沿垂直于第一方向的第二方向延伸的条状，第二金属层与第一金属层以及第三金属紧邻且第二金属层与衬板在第二方向上的宽度彼此匹配。基于本发明的技术方案，通过对金属层进行布局设计，减少小面积金属孤岛的数量并进行整合，提高衬板表面空间的利用率，最大限度地扩大其中一个至少金属层的面积，作为芯片焊接区域，从而降低器件的热阻，能够提升器件的电流等级，满足承受大电流高电压的半导体功率模块的要求。

公开(公告)号：CN112687644A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202011489643.9

申请日：2020-12-16

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 尚敬 ,  常桂钦 ,  黄建新 ,  罗海辉 ,  彭勇殿 ,  吴义伯 ,  窦泽春 ,  杨进峰

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/367 ,  H01L25/11 ,  H01R9/24

Abstract: 本发明提供一种具有低感复合母排结构的集成散热器IGBT功率器件，包括：散热器、衬板、PCB电路、端子以及低感复合母排，衬板与所述散热器互联，衬板上布置有所述PCB电路和端子，低感复合母排与所述端子连接；低感复合母排包括：相对设置的半桥IGBT器件的DC+级和半桥IGBT器件的DC‑级、以及设置在半桥IGBT器件的DC+和半桥IGBT器件的DC‑级的一侧的半桥IGBT器件的AC级。本发明集成低感复合母排，IGBT器件更为紧凑，空间占用少，能有效降低器件因连接产生的接触热阻和电阻；低感复合母排设计自由度大，寄生参数较小；由该型器件组装而成的功率组件，空间排布的自由度大，寄生参数也可以减小；杂散电感低，电流路径短，能有效降低芯片所受的应力，有利于提高器件的可靠性。