公开(公告)号：CN101359605B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200810134052.2

申请日：2004-05-19

Applicant: 齐普特洛尼克斯公司

Inventor： 童勤义

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/762 ,  B81C1/00

CPC classification number: B32B7/04 ,  B32B2250/04 ,  B81C1/00357 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76251 ,  H01L24/26 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/08059 ,  H01L2224/29186 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/351 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/05442

Abstract: 一种粘结方法，包括使用具有氟化氧化物的粘结层。通过暴露于含氟溶液、蒸汽或者气体下或者通过植入，可将氟引入到粘结层内。也可使用其中在粘结层的形成过程中将氟引入其内的方法，从而形成粘结层。粘结层的表面用所需物种，优选NH2物种终止。这可通过将粘结层暴露于NH4OH溶液来实现。在室温下获得高的粘结强度。该方法也可包括一起粘结两层粘结层并在粘结层之间的界面附近处生成具有峰值的氟浓度。粘结层之一可包括在彼此上形成的两层氧化物层。在两层氧化物层之间的界面处，氟的浓度也可具有第二峰值。

公开(公告)号：CN100468639C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200480018125.1

申请日：2004-05-19

Applicant: 齐普特洛尼克斯公司

Inventor： 童勤义

IPC: H01L21/30 ,  H01L29/04

CPC classification number: B32B7/04 ,  B32B2250/04 ,  B81C1/00357 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76251 ,  H01L24/26 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/08059 ,  H01L2224/29186 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/351 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/05442

Abstract: 一种粘结方法，包括使用具有氟化氧化物的粘结层。通过暴露于含氟溶液、蒸汽或者气体下或者通过植入，可将氟引入到粘结层内。也可使用其中在粘结层的形成过程中将氟引入其内的方法，从而形成粘结层。粘结层的表面用所需物种，优选NH2物种终止。这可通过将粘结层暴露于NH4OH溶液来实现。在室温下获得高的粘结强度。该方法也可包括一起粘结两层粘结层并在粘结层之间的界面附近处生成具有峰值的氟浓度。粘结层之一可包括在彼此上形成的两层氧化物层。在两层氧化物层之间的界面处，氟的浓度也可具有第二峰值。

公开(公告)号：CN101091243A

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200480035594.4

申请日：2004-10-20

Applicant: 齐普特洛尼克斯公司

Inventor： 保罗·M.·恩奎斯特

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01031

Abstract: 一种连接诸如半导体器件的元件的方法，和具有连接元件如半导体器件的装置。具有第一接触结构(12)的第一元件(11)被接合到具有第二接触结构(17)的第二元件(18)。单个掩模(40)被用来在第一元件中形成通孔(50)，从而暴露第一接触会第二接触。第一接触结构被用作掩模从而暴露第二接触结构。连接元件(92)是与第一和第二接触结构接触形成的。第一接触结构可具有开口或间隙(60)，第一和第二接触结构是通过它形成的。第一接触结构的后表面可通过蚀刻暴露。

公开(公告)号：CN104576519B

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：CN201410738151.7

申请日：2006-08-07

Applicant: 齐普特洛尼克斯公司

Inventor： P·M·恩奎斯特 ,  小盖厄斯·G·方丹 ,  童勤义

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/603 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L21/76838 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/81931 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/81

Abstract: 本发明提供一种三维地集成元件诸如被分切管芯或晶片的方法以及具有连接元件诸如被分切管芯或晶片的集成结构。管芯和晶片之一或全部可以具有形成于其中的半导体器件。具有第一接触结构的第一元件被键合到具有第二接触结构的第二元件。第一和第二接触结构可以在键合时被暴露并由于键合的结果被电互连。通孔可以在键合之后被蚀刻和填充以暴露和形成电互连以电互连第一和第二接触结构并提供从表面到该互连的电通路。替代地，第一和/或第二接触结构在键合时不被暴露，而通孔在键合后被蚀刻和填充以将第一和第二接触结构电连接，并对表面提供对互连了的第一和第二接触结构的电通路。并且，器件可以被形成于第一衬底中，该器件被放置于第一衬底的器件区中并具有第一接触结构。通孔可以在键合之前被蚀刻、或蚀刻并填充，其穿过器件区并进入到第一衬底中，并且第一衬底可以在键合之后被减薄以暴露出通孔或被填充的通孔。

公开(公告)号：CN101558483A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200680032364.1

申请日：2006-08-07

Applicant: 齐普特洛尼克斯公司

Inventor： P·M·恩奎斯特 ,  小盖厄斯·G·方丹 ,  童勤义

IPC: H01L21/4763

CPC classification number: H01L21/76838 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/81931 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/81

Abstract: 本发明提供一种三维地集成元件诸如被分切管芯或晶片的方法以及具有连接元件诸如被分切管芯或晶片的集成结构。管芯和晶片之一或全部可以具有形成于其中的半导体器件。具有第一接触结构的第一元件被键合到具有第二接触结构的第二元件。第一和第二接触结构可以在键合时被暴露并由于键合的结果被电互连。通孔可以在键合之后被蚀刻和填充以暴露和形成电互连以电互连第一和第二接触结构并提供从表面到该互连的电通路。替代地，第一和/或第二接触结构在键合时不被暴露，而通孔在键合后被蚀刻和填充以将第一和第二接触结构电连接，并对表面提供对互连了的第一和第二接触结构的电通路。并且，器件可以被形成于第一衬底中，该器件被放置于第一衬底的器件区中并具有第一接触结构。通孔可以在键合之前被蚀刻、或蚀刻并填充，其穿过器件区并进入到第一衬底中，并且第一衬底可以在键合之后被减薄以暴露出通孔或被填充的通孔。

公开(公告)号：CN101427360A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200580012760.3

申请日：2005-02-23

Applicant: 齐普特洛尼克斯公司

Inventor： 保罗·M·因奎斯特 ,  小盖伊斯·G·方廷 ,  卡尔·T·佩特维

IPC: H01L21/673 ,  H01L21/687 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/67333 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S414/135 ,  Y10S414/14 ,  Y10S414/141 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种窝伏尔组件设备，包括元件，该元件具有在元件的表面中的凹坑，以容纳来自至少一个半导体晶片的单元片。该元件跟半导体晶片处理设备和/或半导体晶片处理兼容。优选地，元件容纳来自半导体晶片的单元片的至少大多数。此外，提供了一种半导体器件装配方法，它从单个窝伏尔组件设备中移走单元片，将来自单个窝伏尔组件设备的单元片放置到半导体封装上以从放置的单元片装配集成电路所需的所有单元片部件，以及将半导体封装中的放置单元片电互连以形成集成电路。提供了另一种半导体器件装配方法，它从至少一个窝伏尔组件设备中移走单元片，将来自至少一个窝伏尔组件设备的单元片放置到半导体封装上以从放置的单元片装配集成电路所需的器件部件，以及将半导体封装中的放置单元片电互连以形成集成电路。

公开(公告)号：CN101558483B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN200680032364.1

申请日：2006-08-07

Applicant: 齐普特洛尼克斯公司

Inventor： P·M·恩奎斯特 ,  小盖厄斯·G·方丹 ,  童勤义

IPC: H01L21/4763

CPC classification number: H01L21/76838 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/81931 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/81

Abstract: 本发明提供一种三维地集成元件诸如被分切管芯或晶片的方法以及具有连接元件诸如被分切管芯或晶片的集成结构。管芯和晶片之一或全部可以具有形成于其中的半导体器件。具有第一接触结构的第一元件被键合到具有第二接触结构的第二元件。第一和第二接触结构可以在键合时被暴露并由于键合的结果被电互连。通孔可以在键合之后被蚀刻和填充以暴露和形成电互连以电互连第一和第二接触结构并提供从表面到该互连的电通路。替代地，第一和/或第二接触结构在键合时不被暴露，而通孔在键合后被蚀刻和填充以将第一和第二接触结构电连接，并对表面提供对互连了的第一和第二接触结构的电通路。并且，器件可以被形成于第一衬底中，该器件被放置于第一衬底的器件区中并具有第一接触结构。通孔可以在键合之前被蚀刻、或蚀刻并填充，其穿过器件区并进入到第一衬底中，并且第一衬底可以在键合之后被减薄以暴露出通孔或被填充的通孔。

公开(公告)号：CN101427360B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN200580012760.3

申请日：2005-02-23

Applicant: 齐普特洛尼克斯公司

Inventor： 保罗·M·因奎斯特 ,  小盖伊斯·G·方廷 ,  卡尔·T·佩特维

IPC: H01L21/673 ,  H01L21/687 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/67333 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S414/135 ,  Y10S414/14 ,  Y10S414/141 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种窝伏尔组件设备，包括元件，该元件具有在元件的表面中的凹坑，以容纳来自至少一个半导体晶片的单元片。该元件跟半导体晶片处理设备和/或半导体晶片处理兼容。优选地，元件容纳来自半导体晶片的单元片的至少大多数。此外，提供了一种半导体器件装配方法，它从单个窝伏尔组件设备中移走单元片，将来自单个窝伏尔组件设备的单元片放置到半导体封装上以从放置的单元片装配集成电路所需的所有单元片部件，以及将半导体封装中的放置单元片电互连以形成集成电路。提供了另一种半导体器件装配方法，它从至少一个窝伏尔组件设备中移走单元片，将来自至少一个窝伏尔组件设备的单元片放置到半导体封装上以从放置的单元片装配集成电路所需的器件部件，以及将半导体封装中的放置单元片电互连以形成集成电路。

公开(公告)号：CN101091243B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200480035594.4

申请日：2004-10-20

Applicant: 齐普特洛尼克斯公司

Inventor： 保罗·M.·恩奎斯特

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01031

Abstract: 一种连接诸如半导体器件的元件的方法，和具有连接元件如半导体器件的装置。具有第一接触结构(12)的第一元件(11)被接合到具有第二接触结构(17)的第二元件(18)。单个掩模(40)被用来在第一元件中形成通孔(50)，从而暴露第一接触会第二接触。第一接触结构被用作掩模从而暴露第二接触结构。连接元件(92)是与第一和第二接触结构接触形成的。第一接触结构可具有开口或间隙(60)，第一和第二接触结构是通过它形成的。第一接触结构的后表面可通过蚀刻暴露。

公开(公告)号：CN104576519A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410738151.7

申请日：2006-08-07

Applicant: 齐普特洛尼克斯公司

Inventor： P·M·恩奎斯特 ,  小盖厄斯·G·方丹 ,  童勤义

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/603 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L21/76838 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/81931 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/81

Abstract: 本发明提供一种三维地集成元件诸如被分切管芯或晶片的方法以及具有连接元件诸如被分切管芯或晶片的集成结构。管芯和晶片之一或全部可以具有形成于其中的半导体器件。具有第一接触结构的第一元件被键合到具有第二接触结构的第二元件。第一和第二接触结构可以在键合时被暴露并由于键合的结果被电互连。通孔可以在键合之后被蚀刻和填充以暴露和形成电互连以电互连第一和第二接触结构并提供从表面到该互连的电通路。替代地，第一和/或第二接触结构在键合时不被暴露，而通孔在键合后被蚀刻和填充以将第一和第二接触结构电连接，并对表面提供对互连了的第一和第二接触结构的电通路。并且，器件可以被形成于第一衬底中，该器件被放置于第一衬底的器件区中并具有第一接触结构。通孔可以在键合之前被蚀刻、或蚀刻并填充，其穿过器件区并进入到第一衬底中，并且第一衬底可以在键合之后被减薄以暴露出通孔或被填充的通孔。