-
公开(公告)号：CN103460414A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280016454.7
申请日：2012-01-30
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
CPC classification number: H01L33/10 , H01L27/156 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L33/50 , H01L33/58 , H01L33/60
Abstract: 本发明提出一种光电子半导体芯片（100），所述光电子半导体芯片具有：半导体本体（6），所述半导体本体由半导体材料制成；耦合输出面（9），所述耦合输出面在放射方向上设置在半导体本体的下游；和镜面层（1）。有源层（2）和镜面层（1）之间的间距设定成，使得由有源层（2）在朝向耦合输出面（9）的方向上发射的辐射与在镜面层（1）上反射的辐射发生干涉，使得半导体芯片（100）具有发射的辐射在前进方向上的优选方向的放射特性。此外，提出一种具有多个这种半导体芯片（100）的显示器（1000）。此外，提出用于制造所述半导体芯片和所述显示器的方法。
-
公开(公告)号：CN109075237A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780023754.0
申请日：2017-04-06
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Abstract: 提出一种器件(100)，其具有半导体芯片(1)、包套(3)和反射器(2)，其中半导体芯片(1)具有前侧(11)、背离前侧(11)的后侧(12)和侧面(10)，其中半导体芯片(1)至少部分地能够经由其后侧(12)电接触，反射器(2)在横向方向上全环周地包围半导体芯片(1)，具有第一子区域(21)和直接邻接于第一子区域(21)的第二子区域(22)，其中第一子区域(21)与半导体芯片(1)在空间上间隔开，并且第二子区域(22)直接邻接于半导体芯片(1)，并且包套(3)完全覆盖半导体芯片(1)的前侧(11)并且至少部分地覆盖半导体芯片(1)的侧面(10)，使得包套(3)具有朝向半导体芯片(1)的边界面(32)，所述边界面局部地仿照半导体芯片(1)的轮廓。此外，提出一种用于制造多个这种器件的方法。
-
公开(公告)号：CN105210202A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201480026324.0
申请日：2014-05-05
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
CPC classification number: H01L33/62 , H01L24/24 , H01L25/0753 , H01L33/0095 , H01L33/46 , H01L33/486 , H01L33/54 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/12035 , H01L2924/12041 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066 , H01L2924/00 , H01L2224/4554
Abstract: 提出一种发射辐射的半导体器件，其具有-至少一个具有半导体层序列(200)的半导体芯片(2)，所述半导体层序列具有设置用于产生辐射的有源区域(20)；-安装面(11)，在所述安装面上构成有用于外部接触半导体芯片的至少一个电接触部(51，52)，其中安装面平行于半导体层序列的主延伸平面伸展；-辐射出射面(10)，所述辐射出射面倾斜于或垂直于安装面伸展；-辐射引导层(3)，所述辐射引导层设置在半导体芯片和辐射出射面之间的光路中；和-反射器本体(4)，所述反射器本体局部地邻接于辐射引导层并且在半导体器件的俯视图中遮盖半导体芯片。此外，提出一种用于制造发射辐射的半导体器件的方法。
-
公开(公告)号：CN105122450B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201480022501.8
申请日：2014-04-15
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
IPC: H01L25/075 , G09F9/33 , G02B27/09
Abstract: 一种光学装置，包括：多个在载体(1)上的发光芯片(2)。在此，第一发光芯片分别包括第一组(21)的像素，并且第二发光芯片分别包括第二组(22)的像素。各一个第一发光芯片和第二发光芯片在第一单元格(E1)中平面地设置在载体(1)上。此外，提出一种光学元件，所述光学元件沿放射方向在发光芯片(2)的下游设置。所述光学元件设计成，引导由第一组和第二组(21，22)的像素发射的光，使得第一组(21)的像素的光和第二组(22)的像素的光在耦合输出平面(7)中在第二单元格(E2)中聚集，其中第二单元格(E2)分别具有小于每个第一单元格(E1)的面积的面积。
-
公开(公告)号：CN102870239B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180021502.7
申请日：2011-03-28
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
CPC classification number: G02B6/0023 , G02B6/0073 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2224/8592 , H01L2933/0091 , H01L2924/00014
Abstract: 光电子器件（1）具有载体（2）和至少一个半导体芯片（3）。半导体芯片（3）设置在载体（2）上，并且设计用于发射初级辐射（6）。半导体芯片（3）至少部分地包围至少部分透明的介质（7），所述介质具有在载体（2）上方的高度（8）和沿着载体（2）的宽度（9）。将颗粒（10、11）引入介质（7）中，所述颗粒与初级辐射（6）相互作用。介质（7）的高度（8）与宽度（9）之比大于1。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104169633A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201380014419.6
申请日：2013-02-20
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
IPC: F21K99/00 , G02F1/1335 , H01L33/58 , H01L33/54 , H01L33/44
CPC classification number: H01L33/58 , F21Y2101/00 , F21Y2105/00 , F21Y2115/10 , G02B6/0015 , G02B6/0018 , G02B6/0025 , G02F1/133603 , G02F1/133605 , G02F1/133606 , G02F1/133611 , G02F1/133615 , G02F2001/133607 , H01L25/0753 , H01L33/44 , H01L33/507 , H01L33/54 , H01L33/60 , H01L33/644 , H01L2924/0002 , H01L2933/0091 , H01L2924/00
Abstract: 在至少一个实施方式中，面光源(1)包括一个或多个具有辐射主侧(20)的用于产生初级辐射(P)的光电子半导体芯片(2)。散射体(3)沿着半导体芯片(3)的主放射方向(x)设置在辐射主侧(20)的下游。散射体(3)构建为用于散射初级辐射(P)。散射体(3)的主发射方向(y)倾斜于半导体芯片(2)的主放射方向(x)取向。
-
公开(公告)号：CN103038880A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201180037026.8
申请日：2011-07-22
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/50 , H01L33/58
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L27/15 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/483 , H01L33/50 , H01L33/502 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H01L2933/0091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种光电子器件（1），其用于特别是在远场中混合具有不同波长的电磁辐射。所述光电子器件（1）包括载体（2）。在所述载体（2）上设有至少一个第一半导体芯片（3），所述第一半导体芯片（3）具有第一辐射出射面（13），以用于发射在第一光谱范围（14）中的电磁辐射。在所述载体（2）上设有至少一个第二半导体芯片（4），所述第二半导体芯片（4）具有第二辐射出射面（17），以用于发射在第二光谱范围（15）中的电磁辐射。在所述半导体芯片（3、4）的背离载体（2）的辐射出射面（13、17）上设有散射层（8）。
-
公开(公告)号：CN102870239A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201180021502.7
申请日：2011-03-28
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
CPC classification number: G02B6/0023 , G02B6/0073 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2224/8592 , H01L2933/0091 , H01L2924/00014
Abstract: 光电子器件（1）具有载体（2）和至少一个半导体芯片（3）。半导体芯片（3）设置在载体（2）上，并且设计用于发射初级辐射（6）。半导体芯片（3）至少部分地包围至少部分透明的介质（7），所述介质具有在载体（2）上方的高度（8）和沿着载体（2）的宽度（9）。将颗粒（10、11）引入介质（7）中，所述颗粒与初级辐射（6）相互作用。介质（7）的高度（8）与宽度（9）之比大于1。
-
公开(公告)号：CN109075237B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201780023754.0
申请日：2017-04-06
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Abstract: 提出一种器件(100)，其具有半导体芯片(1)、包套(3)和反射器(2)，其中半导体芯片(1)具有前侧(11)、背离前侧(11)的后侧(12)和侧面(10)，其中半导体芯片(1)至少部分地能够经由其后侧(12)电接触，反射器(2)在横向方向上全环周地包围半导体芯片(1)，具有第一子区域(21)和直接邻接于第一子区域(21)的第二子区域(22)，其中第一子区域(21)与半导体芯片(1)在空间上间隔开，并且第二子区域(22)直接邻接于半导体芯片(1)，并且包套(3)完全覆盖半导体芯片(1)的前侧(11)并且至少部分地覆盖半导体芯片(1)的侧面(10)，使得包套(3)具有朝向半导体芯片(1)的边界面(32)，所述边界面局部地仿照半导体芯片(1)的轮廓。此外，提出一种用于制造多个这种器件的方法。
-
公开(公告)号：CN107039564B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201710080866.1
申请日：2012-03-07
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 马蒂亚斯·扎巴蒂尔 , 安德烈亚斯·普洛斯尔 , 汉斯-于尔根·卢高尔 , 亚历山大·林科夫 , 帕特里克·罗德
Abstract: 提出一种发射光的半导体器件，其具有：第一半导体本体(1)，所述第一半导体本体包括有源区(11)，在发射光的半导体器件工作时在所述有源区中产生电磁辐射，所述电磁辐射至少部分地穿过辐射出射面(1a)而离开第一半导体本体(1)；以及第二半导体本体(2)，所述第二半导体本体适合于将电磁辐射转换为经转换的具有更小波长的电磁辐射，其中第一半导体本体(1)和第二半导体本体(2)相互分开制成，第二半导体本体(2)是电无源的，并且第二半导体本体(2)与辐射出射面(1a)直接接触，并且在那里无连接剂地固定在第一半导体本体(1)上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.028 seconds)
