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公开(公告)号：CN103119737A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201180045386.2
申请日：2011-08-19
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01L33/641 , H01L31/0203 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L2224/73265 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 给出了一种具有壳体本体（1）的电子器件，该壳体本体（1）在凹进部（10）中具有半导体芯片（3），其中在凹进部中的半导体芯片（3）被嵌入到由具有第一玻璃化温度的第一塑性材料构成的浇注部（6）中，在凹进部（10）之上布置有由具有第二玻璃化温度的第二塑性材料构成的盖元件（8），以及第二玻璃化温度小于第一玻璃化温度。
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公开(公告)号：CN103119737B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201180045386.2
申请日：2011-08-19
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01L33/641 , H01L31/0203 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L2224/73265 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 给出了一种具有壳体本体（1）的电子器件，该壳体本体（1）在凹进部（10）中具有半导体芯片（3），其中在凹进部中的半导体芯片（3）被嵌入到由具有第一玻璃化温度的第一塑性材料构成的浇注部（6）中，在凹进部（10）之上布置有由具有第二玻璃化温度的第二塑性材料构成的盖元件（8），以及第二玻璃化温度小于第一玻璃化温度。
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公开(公告)号：CN105702842B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201610214827.1
申请日：2011-09-21
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01L33/08 , H01L24/24 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L33/505 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/48227 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2924/00014 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2224/48091 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/4554
Abstract: 说明了一种光电子半导体器件，包括：载体，具有上侧和与上侧相对的下侧；至少一个布置在上侧处的具有辐射出射面的发射辐射的半导体部件；吸收辐射的层，被设立用于吸收射到器件上的环境光；和布置在载体的至少一个连接部位上方的至少一个层开口，其中吸收辐射的层在横向方向上完全包围发射辐射的半导体部件并且至少局部地与发射辐射的半导体部件的侧面直接接触，辐射出射面无吸收辐射的层，层开口在横向方向上与半导体部件有间隔地布置，在层开口中至少局部地布置导电材料，导电材料至少局部地布置在器件的背离载体的外面上，导电材料将连接部位与半导体部件导电地连接，以及导电材料是辐射可穿透的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103026512B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180033647.9
申请日：2011-07-01
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01L33/52 , H01L31/0203 , H01L31/18 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83951 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 说明一种具有光电子半导体芯片（2）的器件（1），所述光电子半导体芯片利用连接层（3）固定在接线载体（4）上并且嵌入到包封（5）中，其中在连接层（3）与包封（5）之间至少局部地布置去耦合层（6）。此外说明一种用于制造器件的方法。
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公开(公告)号：CN105702842A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610214827.1
申请日：2011-09-21
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01L33/08 , H01L24/24 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L33/505 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/48227 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2924/00014 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2224/48091 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/4554
Abstract: 说明了一种光电子半导体器件，包括：载体，具有上侧和与上侧相对的下侧；至少一个布置在上侧处的具有辐射出射面的发射辐射的半导体部件；吸收辐射的层，被设立用于吸收射到器件上的环境光；和布置在载体的至少一个连接部位上方的至少一个层开口，其中吸收辐射的层在横向方向上完全包围发射辐射的半导体部件并且至少局部地与发射辐射的半导体部件的侧面直接接触，辐射出射面无吸收辐射的层，层开口在横向方向上与半导体部件有间隔地布置，在层开口中至少局部地布置导电材料，导电材料至少局部地布置在器件的背离载体的外面上，导电材料将连接部位与半导体部件导电地连接，以及导电材料是辐射可穿透的。
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公开(公告)号：CN103210510B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201180056021.X
申请日：2011-09-21
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01L33/08 , H01L24/24 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L33/505 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/48227 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2924/00014 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2224/48091 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/4554
Abstract: 说明了一种光电子半导体器件（100），包括-载体（1），所述载体具有上侧（11）和与上侧（11）相对的下侧（12）；-至少一个布置在上侧（11）处的具有辐射出射面（6）的发射辐射的半导体部件（2），在半导体部件（3）运行中所产生的电磁辐射的至少一部分通过所述辐射出射面离开该半导体部件（2），和-吸收辐射的层（3），所述吸收辐射的层被设立用于吸收射到器件（100）上的环境光，使得器件（100）的背离载体（1）的外面（101）至少局部地显现为黑色，其中-吸收辐射的层（3）在横向方向（L）上完全包围发射辐射的半导体部件（2）并且至少局部地与发射辐射的半导体部件（2）的侧面（23）直接接触，和-辐射出射面（6）无吸收辐射的层（3）。
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公开(公告)号：CN103210510A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201180056021.X
申请日：2011-09-21
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01L33/08 , H01L24/24 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L33/505 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/48227 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2924/00014 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2224/48091 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/4554
Abstract: 说明了一种光电子半导体器件（100），包括-载体（1），所述载体具有上侧（11）和与上侧（11）相对的下侧（12）；-至少一个布置在上侧（11）处的具有辐射出射面（6）的发射辐射的半导体部件（2），在半导体部件（3）运行中所产生的电磁辐射的至少一部分通过所述辐射出射面离开该半导体部件（2），和-吸收辐射的层（3），所述吸收辐射的层被设立用于吸收射到器件（100）上的环境光，使得器件（100）的背离载体（1）的外面（101）至少局部地显现为黑色，其中-吸收辐射的层（3）在横向方向（L）上完全包围发射辐射的半导体部件（2）并且至少局部地与发射辐射的半导体部件（2）的侧面（23）直接接触，和-辐射出射面（6）无吸收辐射的层（3）。
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公开(公告)号：CN103026512A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180033647.9
申请日：2011-07-01
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01L33/52 , H01L31/0203 , H01L31/18 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83951 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明说明一种具有光电子半导体芯片（2）的器件（1），所述光电子半导体芯片利用连接层（3）固定在接线载体（4）上并且嵌入到包封（5）中，其中在连接层（3）与包封（5）之间至少局部地布置去耦合层（6）。此外说明一种用于制造器件的方法。
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