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公开(公告)号：CN103579116B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201210285010.5
申请日：2012-08-10
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L21/8242
Abstract: 本发明提供一种在基底中制作多个沟槽的方法，包括：提供一基底；在基底上形成一掩模层，掩模层具有至少一第一开口以及至少一第二开口，其中第二开口大于第一开口，且第一开口与第二开口皆暴露出基底；在第二开口的底部形成一牺牲层，牺牲层的材质不同于掩模层的材质；以及以掩模层为掩模，蚀刻第一开口与第二开口下方的基底以及牺牲层，以在基底中形成多个沟槽。本发明能够有效提高不同开口宽度的沟槽的深度一致性。
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公开(公告)号：CN103367331B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201210084501.3
申请日：2012-03-27
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L23/552
CPC classification number: H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种封装结构，包括一载板；至少一芯片结构，设置于载板上；一封装材料层，包覆且直接接触于芯片结构；及多个填充物颗粒，均匀分布于封装材料层内，其中各个填充物颗粒包括一介电核心、一绝缘层，绝缘层包覆介电核心，及一导电层，设置于介电核心和绝缘层间且顺向包覆介电核心。
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公开(公告)号：CN103367264B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201210084482.4
申请日：2012-03-27
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L23/13
CPC classification number: H01L2224/27013 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/4824 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种可避免胶材溢流的封装载板，其特征在于包含一内核层与一设在所述内核层上的阻焊层。所述阻焊层具有一预定的黏晶区域，用来涂布胶材以黏合芯片、一沟渠，沿着所述预定的黏晶区域的外缘分布、一凸起屏障，沿着所述沟渠的外缘分布、以及多个接合指，设置在所述凸起屏障的外侧并从所述阻焊层中裸露出来。
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公开(公告)号：CN103377985B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201210112848.4
申请日：2012-04-17
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种接触孔的制作方法。首先提供衬底；在所述衬底上形成第一硬掩膜以及第二硬掩膜；在第二硬掩上涂布光刻胶层；进行光刻工艺，在所述光刻胶层中形成开口；进行第一次干蚀刻工艺，经由所述开口蚀刻第二硬掩膜，形成第一孔洞；将所述第二硬掩膜中的第一孔洞缩小成为第二孔洞；以及进行第二次干蚀刻工艺，经由所述第二孔洞蚀刻所述第一硬掩膜，形成第三孔洞。
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公开(公告)号：CN103367309B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201210101419.7
申请日：2012-03-31
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种具有控制电路的穿硅通孔，包含一基底，一导电电极，一垂直晶体管以及一导电层。其中导电电极贯穿所述基底。垂直晶体管包含一源极、一通道以及一漏极设置于所述导电电极上，通道设置于所述源极与所述漏极之间；一栅极设置于所述基底中；以及一栅极介电层设置于所述通道与所述栅极之间。导电层设置于所述垂直晶体管的所述漏极上。
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公开(公告)号：CN103369873B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201210099725.1
申请日：2012-04-06
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H05K3/46 , H01L21/48 , H01L23/538 , H01L25/065
CPC classification number: H01L2224/16225
Abstract: 本发明公开了一种封装结构，包含有第一芯片、重布层基板以及第二芯片。重布层基板包含基板、第一线路、第一锡球、第二线路、第二锡球以及通孔。基板具有第一表面以及第二表面。第一线路以及第一锡球设置于第一表面，两者电性连接。第二线路以及第二锡球设置于第二表面，两者电性连接。通孔贯穿第一表面以及第二表面，通孔电性连接第一线路以及第二线路。第一芯片包含第一接触垫，且第二芯片包含第二接触垫。其中，第二接触垫与第二锡球电性连接，第一接触垫与第一锡球电性连接。本发明还提供了一种形成重布层基板的方法。
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公开(公告)号：CN103378015B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201210118960.9
申请日：2012-04-20
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片，包含基底、穿硅通孔、上凸块、下凸块以及热敏光敏胶层。基底具有上表面以及相对于上表面的下表面。穿硅通孔设置于基底中，贯穿上表面以及下表面。上凸块设置于上表面上，并与穿硅通孔电性连接。下凸块设置于下表面上，并与穿硅通孔电性连接。热敏光敏胶层设置于上表面上，包围上凸块具有开孔，且开孔与下凸块的宽度大致相同。本发明另外还提供了一种封装结构与其形成方法。
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公开(公告)号：CN103456655B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201210174235.3
申请日：2012-05-30
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种半导体盲孔的检测方法，包括提供一包括导电区的半导体基底；形成多个暴露出导电区的盲孔;在至少一所述多个盲孔的侧壁上形成一层阻档层，其中阻档层的电阻率大于导电区的电阻率;于各个盲孔的底部形成一层接触层;及在形成各个接触层后，利用带电射线照射多个盲孔。
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公开(公告)号：CN103515391A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210222508.7
申请日：2012-06-29
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器单元及其制造方法。上述非易失性存储器单元包括一半导体基板；一浮动栅极，上述浮动栅极具有一尖端和一钝端，其中上述尖端嵌入上述半导体基板中；一控制栅极，设置于上述浮动栅极上；一穿隧氧化层，设置于上述浮动栅极与上述半导体基板之间；一多晶硅间介电膜，设置于上述浮动栅极与上述控制栅极之间。本发明的非易失性存储器单元可在相同的穿隧氧化层厚度条件下可大为提升存储器的程序化操作速度，或者本发明的非易失性存储器单元可以较小的操作电压完成程序化操作，且可以同时兼顾元件的可靠度。
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公开(公告)号：CN103456656A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201210174260.1
申请日：2012-05-30
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种半导体盲孔的检测方法，包括提供一包括导电区的半导体基底；形成多个暴露出导电区的盲孔，其特征在于电阻率大于导电区的高电阻层会位在至少一盲孔的部分或全部底部区域，且高电阻层和导电区的接触面不是欧姆接触;将导电材料填满多个盲孔;进行一热处理工艺，使导电材料和半导体基底间形成欧姆接触；及利用带电射线照射填满有导电材料的多个盲孔。
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