公开(公告)号：CN104112683A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201410313881.2

申请日：2014-07-03

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 胡安民 ,  李明 ,  胡丰田 ,  王浩哲

IPC: H01L21/603

CPC classification number: H01L2224/81 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81345

Abstract: 本发明公开了一种基于铜微针锥同种结构的固态超声键合方法，其特征在于，包括步骤如下：选择具有相互匹配的电互连焊盘的两个或多个待键合元件，两两形成一待键合偶；在待键合偶的其中一侧的焊盘上形成铜微针锥；在待键合偶的另一侧的焊盘上形成相同形貌的铜微针锥；将待键合偶的一侧元件吸附在键合装置压头表面；将待键合偶的两侧的焊盘对准，使两侧的所述铜微针锥匹配接触，向待键合偶的一侧施加键合压力和超声振动并保持一定时间，使得两侧的所述铜微针锥互连键合。本发明的工艺过程简单，无需加热及助焊剂，可以避免对器件产生热损伤，提高产品可靠性；微针锥结构的使用缩短了超声键合的时间，提高了互连的有效性和键合密度。

公开(公告)号：CN104737286A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201380042531.0

申请日：2013-08-09

Applicant: 斯迈达科技有限责任公司

Inventor： 卡斯滕·尼兰 ,  弗兰克·克里贝尔

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  G06K19/077

CPC classification number: H05K1/18 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11622 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13011 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81206 ,  H01L2224/81345 ,  H01L2224/81898 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/00014 ,  H05K3/301 ,  H05K3/3431 ,  H05K2201/1059 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2201/10954 ,  H05K2203/0415 ,  Y10T29/49018 ,  Y10T29/4913 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明涉及一种接触凸块连接(24)和一种用于在设有至少一个第一连接面(11)的电子器件和与所述器件接触的具有至少一个第二连接面(25)的接触衬底(26)之间建立接触凸块连接(24)的方法，其中所述第一连接面设有接触凸块(10)，所述接触凸块具有边缘突出部(15)和在由所述边缘突出部至少部分地围绕的并且朝向所述接触凸块的头端部敞开的挤入空间(18)中具有至少一个挤入销(16)，并且所述第二连接面在与所述第一连接面的接触区域(31)中具有通过将所述第二连接面的接触材料(29)挤入所述挤入空间中而构成的围绕所述挤入销的接触凸起部(30)，所述接触凸起部具有朝向所述挤入空间的底部(17)的并且相对于所述第二连接面的围绕所述接触区域的平坦的接触表面(32)凸起的凸冠(33)。

公开(公告)号：CN104112682A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201410313879.5

申请日：2014-07-03

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 胡安民 ,  李明 ,  胡丰田 ,  王浩哲

IPC: H01L21/603

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81345 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了一种基于镍微针锥同种结构的固态超声键合方法，包括步骤如下：选择具有相互匹配的电互连焊盘的两个或多个待键合元件，两两形成一待键合偶；在待键合偶的其中一侧焊盘上形成镍微针锥；在待键合偶的另一侧焊盘上形成相同形貌的镍微针锥；将待键合偶一侧元件吸附在键合装置压头表面；将待键合偶两侧的焊盘对准，使两侧镍微针锥匹配接触，向待键偶一侧施加键合压力和超声振动并保持一定时间，使得两侧镍微针锥互连键合。本发明的工艺过程简单，无需加热及助焊剂，可以避免对器件产生热损伤，提高产品可靠性；微针锥结构的使用缩短了超声键合的时间，提高了互连的有效性和键合密度。

公开(公告)号：CN104112681A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201410313878.0

申请日：2014-07-03

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 胡安民 ,  李明 ,  胡丰田 ,  王浩哲

IPC: H01L21/603

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81345

Abstract: 本发明公开了一种基于铜微针锥的固态超声键合方法，包括步骤为：选择具有相互匹配的电互连焊盘的两个或多个待键合元件，两两形成一待键合偶；在待键合偶的其中一侧的焊盘上形成凸点，所述凸点底部为第一金属，表面设有低硬度第二金属；在待键合偶的另一侧的焊盘上形成铜微针锥；将待键合偶的一侧元件吸附在键合装置压头表面；将待键合偶的两侧的焊盘对准，使所述凸点与所述铜微针锥匹配接触，向待键合偶的一侧施加键合压力和超声振动并保持一定时间，使得所述凸点与所述铜微针锥互连键合。本发明中铜微针锥与固态焊料有良好的机械咬合作用，增强了键合效果；超声振动能可以软化焊料，明显地防止键合过程空洞的发生，提高键合质量。

公开(公告)号：CN1123067C

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN96194131.6

申请日：1996-05-20

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 塚越功 ,  松冈宽 ,  广泽幸寿 ,  三上喜胜 ,  堂河内久司

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/81345 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H05K3/321 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包括半导体芯片、布线基板和最好含介于其中的导电颗粒的粘结剂，多个间隔元件存在于粘结层上或下，所述间隔元件的高度几乎与包围的突出电极相同，顶视时，其形状至少为圆形和多边形中的一种，并位于由连接电极包围的区域中，该半导体器件的挠性强度高、可靠性高，可以用于各种信息卡等。

公开(公告)号：CN1185859A

公开(公告)日：1998-06-24

申请号：CN96194131.6

申请日：1996-05-20

Applicant: 日立化成工业株式会社

Inventor： 越功 ,  松冈宽 ,  广泽幸寿 ,  三上喜胜 ,  堂河内久司

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/81345 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H05K3/321 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件,包括半导体芯片、布线基板和最好含介于其中的导电颗粒的粘结剂,多个间隔元件存在于粘结层上或下,所述间隔元件的高度几乎与包围的突出电极相同,顶视时,其形状至少为圆形和多边形中的一种,并位于由连接电极包围的区域中,该半导体器件的挠性强度高、可靠性高,可以用于各种信息卡等。

公开(公告)号：CN109791920A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780058209.5

申请日：2017-08-18

Applicant: 原子能和替代能源委员会

Inventor： 法兰科斯·玛丽昂 ,  莉迪·马蒂厄 ,  弗雷德里克·伯格

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/11602 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13011 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/13186 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/81099 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81345 ,  H01L2224/81898 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/049 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/04941

Abstract: 本发明涉及一种通过第一部件(100)与第二部件(200)的混合进行电连接的方法。方法包括以下步骤：形成分别与第一部件(100)的连接区域(110，120)接触的延性材料的垫(111，121)；形成与第二部件(200)的连接区域(210，220)接触的导电材料的插入件(211，221)；形成布置在插入件(211，221)之间并且彼此电绝缘的混合屏障(212，222)，在第一部件(100)的连接区域(210，220)与第二部件(200)的连接区域连接期间，所述第一混合屏障和第二混合屏障(212，222)通过将延性材料的垫(111，121)的变形包含在内而用作屏障。本发明还涉及两个连接部件(100，200)的组件(1)。

公开(公告)号：CN106158781A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610769934.0

申请日：2010-11-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沈文维 ,  陈承先 ,  郭正铮 ,  陈明发 ,  王荣德

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/065 ,  H01L23/488 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/16 ,  H01L23/3157 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81345 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/35 ,  Y10T428/12361 ,  Y10T428/12396 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/206 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供一种微凸块接合装置，包括一工件，其包括一金属凸块；以及一介电层，其具有位于上述金属凸块正上方的一部分。上述金属凸块和上述介电层的上述部分的一表面形成一介面。一金属表面处理物形成于上述金属凸块的上方且接触上述金属凸块。上述金属表面处理物从上述介电层的上方延伸上述介面的下方。通过本发明实施例的接合结构，可强化现有技术的弱点，且可改善接合结构的可靠度。

公开(公告)号：CN103354210A

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201310263865.2

申请日：2013-06-27

Applicant: 清华大学

Inventor： 蔡坚 ,  刘子玉 ,  王谦 ,  王水弟 ,  胡杨 ,  陈瑜

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/17 ,  H01L2224/13011 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/1705 ,  H01L2224/17107 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81194 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/8122 ,  H01L2224/81345 ,  H01L2224/81355 ,  H01L2224/81359 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2224/81897 ,  H01L2224/81898 ,  H01L2224/81906 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/81

Abstract: 本发明针对现有键合方法都存在温度高、压力大且表面改性成本高等问题，提供一种键合方法及采用该键合方法形成的键合结构，其能够克服这些缺陷且能够在常温低压下进行晶圆级键合，该键合方法包括：生成能够相互嵌套的键合结构，其中所述能够相互嵌套的键合结构之间的摩擦热大于它们之间的键合能；以及利用所述能够相互嵌套的键合结构之间的摩擦热来键合所述能够相互嵌套的键合结构。

公开(公告)号：CN102468197A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110058357.1

申请日：2011-02-21

Applicant: 新科金朋有限公司 ,  星科金朋(上海)有限公司

Inventor： R·D·彭德塞

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/50 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/90 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81345 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H05K3/325 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及半导体器件以及形成倒装芯片互连结构的方法。一种半导体器件具有半导体管芯，该半导体管芯具有形成在半导体管芯的有源表面上的多个凸块或互连结构。凸块可以具有可熔部分和非可熔部分，例如导电柱和形成在导电柱上的凸块。具有互连部位的多个导电迹线形成在衬底上。凸块宽于互连部位。掩蔽层形成在衬底的远离互连部位的区域上。凸块在压力或回流温度下被结合到互连部位，使得凸块覆盖互连部位的顶面和侧面。密封剂沉积在管芯与衬底之间的凸块周围。掩蔽层可以形成坝状物以阻挡密封剂延伸到半导体管芯之外。凸起体可以形成在互连部位或凸块上。