公开(公告)号：CN107039399B

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201610912553.3

申请日：2016-10-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林明贤 ,  欧东尼

IPC: H01L23/538

CPC classification number: H01L23/5286 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/58 ,  H01L27/0203

Abstract: 集成电路(IC)包括第一导体，位于IC的一层中；第二导体，位于IC的另一层中；第一金属塞，连接第一导体和第二导体。IC还包括位于IC的一层中并接合至所述第一导体的原子源导体(ASC)以及将ASC连接至IC的电压源的第二金属塞。第一导体和ASC被配置为偏置连接至不同的电压，以建立从第二金属塞到第一金属塞的电子路径，使得ASC充当用于第一导体的有源原子源。本发明还提供了一种有源原子供应源和具有其的集成电路。

公开(公告)号：CN105900227B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201480070660.5

申请日：2014-12-09

Applicant: 英特尔公司

Inventor： C·J·杰泽斯基 ,  J·S·沙瓦拉 ,  K·J·辛格 ,  A·M·迈尔斯 ,  E·N·谭 ,  R·E·申克尔

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/7688 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明描述了用于在电介质层内形成具有紧密间距的互连结构的互连层的工艺，其中，沟槽和过孔用于在金属化之前形成具有相对低的纵横比的互连结构。该低纵横比可以降低或基本上消除在沉积金属化材料时在金属化材料内形成孔隙的可能性。本文中的实施例可以通过允许去除结构的工艺来实现这种相对低的纵横比，该工艺用于在金属化之前形成沟槽和过孔。

公开(公告)号：CN105097663B

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201410371298.7

申请日：2014-07-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 丁致远 ,  谢志宏

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/764 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76852 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种方法，包括在衬底上的介电层中形成导电部件。在衬底上形成第一硬掩模层和下面的第二硬掩模层。第二硬掩模层对等离子体蚀刻工艺的蚀刻选择性高于第一硬掩模层对等离子体蚀刻工艺的蚀刻选择性。第二硬掩模层可以在形成掩蔽元件期间保护介电层。该方法还包括：实施等离子体蚀刻工艺，以在介电层中形成沟槽，该蚀刻工艺还可以去除第一硬掩模层。然后，在沟槽的上方形成盖顶，以形成邻近导电部件的气隙结构。本发明还提供了一种形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN109494214A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201710811713.X

申请日：2017-09-11

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 翁宸毅 ,  黄士哲 ,  杨清利 ,  张志圣

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5283 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/5228

Abstract: 本发明公开一种半导体装置的连接结构以及其制作方法。半导体装置的连接结构，包括层间介电层、顶部金属结构以及保护层。层间介电层设置于基底上。顶部金属结构设置于层间介电层上。顶部金属结构包括一底部以及一顶部。顶部设置于底部上，底部具有一第一侧壁，而顶部具有一第二侧壁。第一侧壁的斜率大于第二侧壁的斜率。保护层共形地设置于第二侧壁上、第一侧壁上以及层间介电层的上表面上。

公开(公告)号：CN109390210A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810828662.6

申请日：2018-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜允姬 ,  金志英 ,  任台镇 ,  白宗玟 ,  安商燻 ,  吴赫祥 ,  韩奎熙

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/5329 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/02134

Abstract: 本发明概念的实施例提供形成超低介电常数介电层的方法及由所述方法形成的超低介电常数介电层。所述方法可包括：通过供应包含硅、氧、碳及氢的前驱体来形成第一层；对所述第一层执行第一紫外线工艺，以将所述第一层转换成第二层；以及在不同于所述第一紫外线工艺的工艺条件下对所述第二层执行第二紫外线工艺。本发明概念的实施例可提供形成同时具有低介电常数及优异的机械强度的超低介电常数介电层的方法。

公开(公告)号：CN108630647A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201710650835.5

申请日：2017-08-02

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 久米一平 ,  中村一彦 ,  野田有辉

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L29/0649 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/14511

Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够减小贯通电极与半导体元件之间的接触电阻的半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备半导体衬底，所述半导体衬底具有第1面及第2面，所述第1面具有半导体元件，所述第2面位于该第1面的相反侧。第1绝缘膜设置在半导体衬底的第1面上。导电体设置在第1绝缘膜上。金属电极设置在第1面与第2面之间，贯通半导体衬底并与导电体接触。第2绝缘膜设置在金属电极与半导体衬底之间。第1绝缘膜与第2绝缘膜的边界面位于较半导体衬底的第1面更靠导电体侧，且随着向金属电极的中心部靠近而以向导电体接近的方式倾斜。

公开(公告)号：CN103853503B

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201310646008.0

申请日：2013-12-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔烘硕 ,  金奎亨 ,  金道三 ,  尹炫植

IPC: G06F3/06 ,  G06F11/14

CPC classification number: H01L23/5256 ,  G06F12/0246 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/11206 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种存储设备，其包括快闪存储器，以及控制器，所述控制器将第一比特数据和第二比特数据编程到所述快闪存储器，并且当在相同的事务中编程第一比特数据和第二比特数据时，不对第一比特数据进行备份；而当在不同的事务中编程第一比特数据和第二比特数据时，所述控制器对第一比特数据进行备份，其中，第一比特数据是不如第二比特数据有效的比特数据，并且使用从主机发送的同步信号来确定所述事务中的每一个。

公开(公告)号：CN104425444B

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201310689246.X

申请日：2013-12-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 柯忠祁 ,  黄珮雯 ,  陈志壕 ,  许光源 ,  李资良

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，半导体器件包括配置在工件上方的导电部件，每个导电部件都包括导线部分和通孔部分。阻挡层配置在每个导电部件的侧壁上和每个导电部件的通孔部分的底面上。阻挡层包括介电层。第一绝缘材料层配置在每个导电部件的部分导线部分之下。第二绝缘材料层配置在导电部件之间。第三绝缘材料层配置在第一绝缘材料层和第二绝缘材料层之下。每个导电部件的通孔部分的下部形成在第三绝缘材料层内。第二绝缘材料层的介电常数低于第一绝缘材料层和第三绝缘材料层的介电常数。

公开(公告)号：CN104979279B

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201510162184.6

申请日：2015-04-07

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： A·C-H·魏 ,  G·布赫 ,  M·A·扎勒斯基 ,  T·G·尼奥吉 ,  J·E·史蒂芬斯 ,  桂宗郁 ,  J·曾

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/092 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及二维自对准的晶体管接触，其中，本发明的具体实施例提供改良型半导体结构及制造方法，其提供二维自对准的晶体管接触。使用的是两个各由不同材料构成的不同覆盖层。这两个覆盖层互为可选择性蚀刻。一覆盖层用于栅极覆盖，而另一覆盖层用于源极/漏极覆盖。选择性蚀刻程序使所需的栅极和源极/漏极敞开，而阻隔掩模则用于覆盖并非连接架构任何部分的元件。金属化线件(层件)经沉积而与敞开的元件接触，以在两者之间提供电连接性。

公开(公告)号：CN108218695A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711160870.5

申请日：2017-11-20

Applicant: 罗门哈斯电子材料有限责任公司

Inventor： C·R·坎齐 ,  D·格林 ,  C·吉尔摩 ,  J·F·卡梅伦 ,  丁平 ,  王庆民 ,  金映锡

IPC: C07C65/40 ,  C07C49/753 ,  C08G61/12 ,  G03F7/00

CPC classification number: C08F32/06 ,  C07C49/537 ,  C08G61/10 ,  C08G61/12 ,  C08G2261/135 ,  C08G2261/1426 ,  C08G2261/312 ,  C08G2261/46 ,  C08G2261/64 ,  C08G2261/65 ,  C08G2261/76 ,  C08L45/00 ,  C08L65/02 ,  C08L67/03 ,  C09D165/02 ,  H01L23/5329

Abstract: 具有极性部分的某些环戊二烯酮单体适用于形成在某些有机溶剂中具有改良溶解度的聚亚芳基树脂且适用于在电子应用中形成聚亚芳基树脂层。