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公开(公告)号:CN103295986A
公开(公告)日:2013-09-11
申请号:CN201210189750.9
申请日:2012-06-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/49816 , H01L23/562 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/03334 , H01L2224/0384 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/05075 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05571 , H01L2224/06181 , H01L2224/11334 , H01L2224/1184 , H01L2224/1191 , H01L2224/13005 , H01L2224/13012 , H01L2224/13013 , H01L2224/13014 , H01L2224/13022 , H01L2224/13023 , H01L2224/13078 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16145 , H01L2224/16147 , H01L2224/16225 , H01L2224/17181 , H01L2224/32145 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1088 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/207 , H01L2924/206 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供了形成用于堆叠封装件的连接件的机构。形成用于堆叠封装件的连接件的机构的所述实施例能够实现具有更细间距的更小连接件,该连接件实现了更小的封装件尺寸以及额外的连接。一个封装件上的导电元件部分地嵌入在该封装件的模塑料中从而与另一个封装件上的接触件或金属焊盘相接合。通过嵌入导电元件,可以将导电元件制造得更小并且在导电元件和模塑料之间不具有间隙。可以通过向连接件的最大宽度加入间隔边距来确定连接件的间距。其他封装件上的各种类型的接触件可以与导电元件相接合。
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公开(公告)号:CN102737960A
公开(公告)日:2012-10-17
申请号:CN201210032012.3
申请日:2012-02-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G06F17/50 , G03F7/705 , G03F7/70558 , G03F7/70625
Abstract: 一种用于前馈先进工艺控制的方法包括:提供通过光刻工具处理的现有晶圆;从多个处理的晶圆选择具有过去的芯片设计的处理的晶圆,先前通过光刻工具处理该处理的晶圆,选择从在处理的晶圆上的多个区域所提取的多个关键尺寸(CD)数据点;通过CD与未处理的晶圆上的位置相关的函数对多个CD数据点进行建模;在用于新芯片设计的现有晶圆上创建区域布局;使用函数和区域布局创建用于新芯片设计的初始曝光剂量图;以及根据初始曝光剂量图控制光刻工具的曝光,从而在现有晶圆上形成新芯片设计。
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公开(公告)号:CN108766940B
公开(公告)日:2020-12-22
申请号:CN201810400637.8
申请日:2012-05-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/00 , H01L23/498 , H01L25/10 , H01L21/56
Abstract: 提供了用于封装的应力补偿层及其形成方法。应力补偿层放置在基板的与集成电路管芯相对的面上。应力补偿层被设计成抵消由位于基板的管芯面上的结构施加的至少一些应力,诸如,由至少部分地封装第一集成电路管芯的模塑料所施加的应力。封装件也可以与基板电连接。本发明提供了用于3D封装的应力补偿层。
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公开(公告)号:CN105987957B
公开(公告)日:2019-08-13
申请号:CN201510860140.0
申请日:2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N29/12
Abstract: 一薄膜设置于一蚀刻掩模之上,一声波生成器放置在薄膜之上,声波生成器用来产生多个声波以使薄膜以一目标共振频率振动。一共振检测工具用来检测回应声波的薄膜的一实际共振频率。一或多个电子处理器利用从目标共振频率到实际共振频率的偏移量来估算薄膜的老化状态。
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公开(公告)号:CN103208465A
公开(公告)日:2013-07-17
申请号:CN201210139446.3
申请日:2012-05-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/562 , H01L21/565 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L23/49822 , H01L25/105 , H01L2224/16225 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/01322 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/18161 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
Abstract: 提供了用于封装的应力补偿层及其形成方法。应力补偿层放置在基板的与集成电路管芯相对的面上。应力补偿层被设计成抵消由位于基板的管芯面上的结构施加的至少一些应力,诸如,由至少部分地封装第一集成电路管芯的模塑料所施加的应力。封装件也可以与基板电连接。本发明提供了用于3D封装的应力补偿层。
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公开(公告)号:CN102063015A
公开(公告)日:2011-05-18
申请号:CN201010147699.6
申请日:2010-03-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F9/7084 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明为一种半导体晶圆与图案对准的方法。此半导体晶圆可包含一曝光区;一晶粒位于曝光场内,其中晶粒包含集成电路区、密封环区以及角落应力解除区;以及一晶粒对准标记位于密封环区与角落应力解除区之间。
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公开(公告)号:CN1329950C
公开(公告)日:2007-08-01
申请号:CN200410083729.6
申请日:2004-10-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G05B19/41875 , Y02P90/22
Abstract: 一种具有防止制程污染的制造系统,其包括多个制程机台、污染属性确认系统及污染防制系统。上述制程机台用以处理在制品,其具有贡献污染属性设定值及拒绝污染属性设定值。上述污染属性确认系统用以确认上述贡献/拒绝污染属性设定值的设定为正确。上述污染防制系统于上述制程机台接受上述在制品前,检查上述在制品的第一产品污染属性设定值是否符合上述拒绝污属性设定值,并于上述制程机台接受及处理上述在制品时,根据上述贡献污染属性设定值,对上述产品污染属性设定值分别产生中途污染属性设定值及第二产品污染属性设定值。
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公开(公告)号:CN107818938A
公开(公告)日:2018-03-20
申请号:CN201610820532.9
申请日:2016-09-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/683 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/677 , H01L21/67703 , H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 本申请提供一种运送系统及运送加工元件的方法,该运送系统适用于运送一加工元件,包括:一声波发射装置,配置用以产生声波;以及一承载装置,配置用于承载该加工元件,其中当该加工元件设置于该承载装置之上且该承载装置相对该声波发射装置设置时,该加工元件通过该声波发射装置所产生的声波相对该承载装置移动。
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公开(公告)号:CN103871991B
公开(公告)日:2016-12-28
申请号:CN201310088383.8
申请日:2013-03-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49838 , H01L21/4853 , H01L21/52 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L23/3157 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/5386 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05572 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1144 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11849 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/1712 , H01L2224/26175 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2225/06575 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1431 , H01L2924/1436 , H01L2924/1437 , H01L2924/1443 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H05K1/0284 , H05K1/0313 , H05K1/111 , H05K1/181 , H05K3/40 , H05K2201/09409 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本文公开了一种用于在封装管芯中使用的具有阻拦件的中介层的方法和装置。一种中介层可以包括位于衬底上方的金属层。多个阻拦件可以围绕金属层的每个角部形成在金属层上方。可以在中介衬底的两个面上都形成阻拦件。阻拦件围绕一区域,在该区域中可以设置用于与其他封装件连接的连接件,诸如焊料球。非导电阻拦件可以形成在阻拦件上方。底部填充物可以形成在连接至连接件的封装件下方、金属层上方且包含在角部阻拦件所围绕的区域内,从而使得连接件被底部填充物保护得很好。也可以在印刷电路板上进一步形成这样的阻拦件。
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公开(公告)号:CN1332423C
公开(公告)日:2007-08-15
申请号:CN200410097842.X
申请日:2004-12-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: G03F9/7026 , G01N2021/8416 , G03F7/70533
Abstract: 本发明揭示一种预测并找出失焦晶片的方法与系统,其使用一水平感测装置,通过读取一第一晶片组中各晶片的表面构形,来找出失焦晶片。再由数据计算一聚焦点偏移,聚焦点偏移对应于一高度,此高度会使表面构形散焦曝光模块的一聚焦点。接着,转换聚焦点偏移至一对应的、曝光模块设定成的晶片承载台设定点,以聚焦聚焦点于晶片组中的各晶片上。最后,在晶片组的各晶片中找出一失焦晶片,此失焦晶片就是即使曝光模块已设定至晶片承载台设定点,仍会散焦聚焦点的表面构形的晶片。
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