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公开(公告)号：CN107591375A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710547295.8
申请日：2017-07-06
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/485 , H01L21/56
CPC classification number: H01L24/02 , G06K9/00013 , H01L21/56 , H01L23/3114 , H01L23/3142 , H01L23/3171 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/82 , H01L24/94 , H01L24/96 , H01L27/14618 , H01L27/1462 , H01L27/14685 , H01L2224/02333 , H01L2224/0235 , H01L2224/0236 , H01L2224/0237 , H01L2224/02371 , H01L2224/02373 , H01L2224/02381 , H01L2224/03019 , H01L2224/04105 , H01L2224/08221 , H01L2224/11002 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/73259 , H01L2224/94 , H01L2224/96 , H01L2924/10155 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/0231 , H01L2224/11 , H01L2224/19
Abstract: 一种晶片封装体及其制作方法，该晶片封装体包含晶片、第一绝缘层、重布线层与钝化层。晶片具有感应器、至少一焊垫、相对的顶面与底面、及邻接顶面与底面的侧壁。感应器位于顶面。焊垫位于顶面的边缘。第一绝缘层位于晶片的底面与侧壁上。重布线层位于第一绝缘层上，且重布线层电性接触焊垫的侧面。重布线层至少部分凸出于焊垫而裸露。钝化层位于第一绝缘层与重布线层上，使未凸出焊垫的重布线层位于钝化层与第一绝缘层之间，而凸出焊垫的重布线层位于钝化层上。晶片封装体的感应器因无间隔件覆盖，可提升晶片封装体的感测能力。
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公开(公告)号：CN102774805A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210146748.3
申请日：2012-05-11
Applicant: 精材科技股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/13 , H01L2924/1461 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一第一基底；一第二基底，设置于该第一基底之上，其中该第二基底具有贯穿该第二基底的至少一开口，该至少一开口于该第二基底之中划分出彼此电性绝缘的多个导电区；一承载基底，设置于该第二基底之上；至少一阻挡块体，对应地设置于该第二基底的该至少一开口之上，且大抵完全覆盖该至少一开口；一绝缘层，设置于该承载基底的一表面及一侧壁之上；以及一导电层，设置于该承载基底上的该绝缘层之上，且电性接触所述导电区中的一导电区。本发明可有效缩小多晶片封装结构的体积，且节省制作成本。
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公开(公告)号：CN102774805B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201210146748.3
申请日：2012-05-11
Applicant: 精材科技股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/13 , H01L2924/1461 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一第一基底；一第二基底，设置于该第一基底之上，其中该第二基底具有贯穿该第二基底的至少一开口，该至少一开口于该第二基底之中划分出彼此电性绝缘的多个导电区；一承载基底，设置于该第二基底之上；至少一阻挡块体，对应地设置于该第二基底的该至少一开口之上，且大抵完全覆盖该至少一开口；一绝缘层，设置于该承载基底的一表面及一侧壁之上；以及一导电层，设置于该承载基底上的该绝缘层之上，且电性接触所述导电区中的一导电区。本发明可有效缩小多晶片封装结构的体积，且节省制作成本。
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