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公开(公告)号：CN102315085B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201010216455.9
申请日：2010-06-30
Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 傅俊
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体刻蚀机反应腔均匀环倾斜警报装置，包括：至少两个并联的触发器，所述并联的触发器的一端连接电源，另一端连接报警器，所述报警器的另一端接地。本发明可有效避免造成较大的损失并可有效节省人力成本。
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公开(公告)号：CN108206140A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201611177412.8
申请日：2016-12-19
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
CPC classification number: H01L24/03 , H01L24/06 , H01L2224/0231 , H01L2224/02331 , H01L2224/03019
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：提供器件晶圆，在器件晶圆上形成第一钝化层、再分布线以及第一再分布焊盘和第二再分布焊盘；形成覆盖再分布线、第一再分布焊盘和第二再分布焊盘的第二钝化层和光刻胶层；对光刻胶层进行图形化，以形成用于暴露所述第一再分布焊盘的第一开口，和用于暴露所述第二再分布焊盘的第二开口；以光刻胶层为掩膜刻蚀第二钝化层，以暴露第一再分布焊盘表面，以及暴露第二再分布焊盘的表面和部分第二再分布焊盘侧壁，同时在第二再分布焊盘底部形成间隙壁。该半导体器件的制作方法可以克服目前的再分布焊盘制作工艺复杂，容易出现穿通的问题。该半导体器件及电子装置具体类似的优点。
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公开(公告)号：CN108206140B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201611177412.8
申请日：2016-12-19
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：提供器件晶圆，在器件晶圆上形成第一钝化层、再分布线以及第一再分布焊盘和第二再分布焊盘；形成覆盖再分布线、第一再分布焊盘和第二再分布焊盘的第二钝化层和光刻胶层；对光刻胶层进行图形化，以形成用于暴露所述第一再分布焊盘的第一开口，和用于暴露所述第二再分布焊盘的第二开口；以光刻胶层为掩膜刻蚀第二钝化层，以暴露第一再分布焊盘表面，以及暴露第二再分布焊盘的表面和部分第二再分布焊盘侧壁，同时在第二再分布焊盘底部形成间隙壁。该半导体器件的制作方法可以克服目前的再分布焊盘制作工艺复杂，容易出现穿通的问题。该半导体器件及电子装置具体类似的优点。
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公开(公告)号：CN103182384B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201110457753.1
申请日：2011-12-31
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: B08B3/08
Abstract: 本发明公开了一种对晶片焊盘表面进行清洗的方法，该方法包括：将晶片浸入ACT940溶液中对晶片进行第一设定时间清洗，同时向ACT940溶液中持续通入CO2气体，以去除晶片焊盘表面的氟离子；将所述晶片浸入氮甲基吡咯烷酮溶液中对晶片进行第二设定时间清洗，以清洗晶片上的ACT940溶液；对所述晶片进行快速倾卸冲洗，以清洗晶片上的氮甲基吡咯烷酮溶液；对所述晶片进行干燥处理。所述通入的CO2气体溶解于ACT940溶液所引入的氢离子可以与氟离子相结合生成氟化氢气体，有效降低了焊盘表面的残留的氟离子的含量，抑制了CuF2的生成，从而改善焊盘表面的缺陷。
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公开(公告)号：CN101123218A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200610029907.6
申请日：2006-08-10
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 一种集成电路的可制造性设计方法，包括：对初始设计图形进行密度计算，所述密度包括局部密度及整体密度；提取图形密度；调整图形密度至目标图形密度，所述目标图形密度包括局部目标图形密度及整体目标图形密度；根据所述目标图形密度确定可制造性图形密度准则；根据所述可制造性图形密度准则改进初始设计。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106158726A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510140843.6
申请日：2015-03-27
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件的制造方法，包括：提供一半导体衬底，半导体衬底上依次层叠有氮化硅层和氧化硅层；在氧化硅层上形成第一图形化光阻层，并利用第一图形化光阻层进行第一次刻蚀；在第一图形化光阻层上形成第二图形化光阻层，并利用第二图形化光阻层进行第二次刻蚀；以及依次进行灰化和湿法清洗以去除第一图形化光阻层和第二图形化光阻层。在本发明提供的半导体器件的制造方法中，通过在第一次刻蚀后保留第一图形化光阻层，利用第一图形化光阻层保护其下面的氧化硅层，从而避免氧化硅层在第二次刻蚀中受损，不但简化了制造工艺，而且提高了器件的性能和良率。
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公开(公告)号：CN105845563A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201510018733.2
申请日：2015-01-14
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种控制氧化硅沟槽底部平坦化的刻蚀方法，该方法至少包括：提供一位于反应腔室中且覆盖有光阻图形的氧化硅结构；接着将所述反应腔室中通入第一氟碳化合物气体，刻蚀所述氧化硅结构形成第一沟槽；接着停止第一氟碳化合物气体的供给并将所述反应腔室中通入第二氟碳化合物气体，刻蚀所述氧化硅结构，形成与所述第一沟槽贯通的第二沟槽；控制所述第二沟槽与所述第一沟槽深度的比例使得所述第二沟槽的底部平坦化。本发明通过控制C2F6和C4F8对二氧化硅沟槽刻蚀深度的比例使得二氧化硅沟槽底部呈平坦化。同时取代氮化硅作为阻挡层而节省了生产的成本。
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公开(公告)号：CN103182384A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110457753.1
申请日：2011-12-31
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: B08B3/08
Abstract: 本发明公开了一种对晶片焊盘表面进行清洗的方法，该方法包括：将晶片浸入ACT940溶液中对晶片进行第一设定时间清洗，同时向ACT940溶液中持续通入CO2气体，以去除晶片焊盘表面的氟离子；将所述晶片浸入氮甲基吡咯烷酮溶液中对晶片进行第二设定时间清洗，以清洗晶片上的ACT940溶液；对所述晶片进行快速倾卸冲洗，以清洗晶片上的氮甲基吡咯烷酮溶液；对所述晶片进行干燥处理。所述通入的CO2气体溶解于ACT940溶液所引入的氢离子可以与氟离子相结合生成氟化氢气体，有效降低了焊盘表面的残留的氟离子的含量，抑制了CuF2的生成，从而改善焊盘表面的缺陷。
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公开(公告)号：CN101367192B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200710045033.8
申请日：2007-08-17
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
Abstract: 一种晶圆背面研磨方法，包括：提供晶圆，所述晶圆具有形成有集成电路的正面和对应于所述正面的背面；贴附保护胶带于所述晶圆的正面，所述保护胶带的厚度大于等于研磨装置的最小研磨厚度限制与预定的晶圆厚度之差；计算研磨厚度，所述的研磨厚度是贴附于晶圆正面的保护胶带的厚度与预定的晶圆厚度之和；将所述晶圆装载于研磨装置，使所述晶圆的背面显露；根据计算所得的研磨厚度，研磨所述晶圆的背面。本发明晶圆背面研磨方法可以使研磨装置将晶圆研磨得更薄，同时却不会增加晶圆的破损率。
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公开(公告)号：CN101728228A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810201822.0
申请日：2008-10-27
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 本发明提出一种去除晶圆正面胶粘残渣的方法，其包括下列步骤：将晶圆送至第一腔室并使用ACT940溶液进行第一设定时间的清洗；将晶圆送至第二腔室并使用氮甲基吡咯烷酮溶液进行第二设定时间的清洗，以清洗晶圆上的ACT940溶液；将晶圆送至第三腔室进行快速倾卸冲洗，以清洗晶圆上的氮甲基吡咯烷酮溶液；将晶圆送至第四腔室进行第三设定时间的干燥处理。本方法能够有效地去除晶圆背面研磨时粘帖在晶圆正面的保护膜留下的胶粘残渣，防止晶圆报废并不会对铝连接区域以及平坦化区域造成影响。
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