公开(公告)号：CN106920769A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201611118742.X

申请日：2016-12-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 太田祐一 ,  喜多贤太郎 ,  大浦雄大 ,  吉田宏平

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823892 ,  H01L23/544 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/92 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/0218 ,  H01L2224/0219 ,  H01L2224/02206 ,  H01L2224/02215 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05019 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2221/68304 ,  H01L2221/68318

Abstract: 本公开涉及半导体装置制造方法和半导体晶片。半导体装置制造方法提高了制造半导体装置的产率。提供了用于覆盖多个接合焊盘的绝缘膜、在绝缘膜上的第一保护膜和在第一保护膜上的第二保护膜。在半导体芯片中，多个电极层经由形成在绝缘膜中的第一开口和形成在第一保护膜中的第二开口电耦接到接合焊盘中的每个。多个突起电极经由形成在第二保护膜中的第三开口电耦接到电极层中的每个。在伪芯片中，第二开口形成在第一保护膜中，且第三开口形成在第二保护膜中。在与第三开口重合的第二开口的底部处暴露绝缘膜。保护带被施加到主平面以覆盖突起电极。

公开(公告)号：CN108282157A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201711372832.6

申请日：2017-12-19

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李玲揆 ,  任星垣 ,  张东云 ,  白亨球

IPC: H03H9/17 ,  H03H9/02 ,  H03H3/02

CPC classification number: H03H9/0514 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L41/0475 ,  H01L41/29 ,  H01L2224/02206 ,  H01L2224/02215 ,  H01L2224/03424 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/35121 ,  H03H3/02 ,  H03H3/04 ,  H03H9/0211 ,  H03H9/02133 ,  H03H9/1014 ,  H03H9/105 ,  H03H9/173 ,  H03H9/174 ,  H03H9/547 ,  H03H2003/021 ,  H03H2003/023

Abstract: 本公开提供一种声波谐振器及制造声波谐振器的方法。所述声波谐振器包括：基板；谐振部，形成在所述基板的第一表面上；金属焊盘，通过形成在所述基板中的通路孔连接到所述谐振部；及保护层，设置在所述基板的第二表面上并且包括多个层，其中，所述多个层包括内保护层，所述内保护层直接接触所述基板的所述第二表面，并且由具有比所述多个层中的其他层的粘附力强的粘附力的绝缘材料形成。

公开(公告)号：CN106558566A

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201610825014.6

申请日：2016-09-14

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 利根川丘

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/5283 ,  H01L21/31 ,  H01L21/31056 ,  H01L21/311 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/44 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/84 ,  H01L24/85 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/02145 ,  H01L2224/0215 ,  H01L2224/02206 ,  H01L2224/02215 ,  H01L2224/031 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03522 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05007 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/0509 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1206 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/059 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/00 ,  H01L24/02 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/03013 ,  H01L2224/03019 ,  H01L2224/04

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置和制造半导体装置的方法。半导体装置的特性得到改善。半导体装置被配置为具有设置在互连上方并且具有开口的保护膜和设置在开口中的镀敷膜。将狭缝设置在开口的侧面中，并且将镀敷膜还配置在狭缝中。由此，将镀敷膜设置在开口的侧面中，并且镀敷膜还生长在狭缝中。这导致了在随后的镀敷膜的形成期间的长的镀敷溶液渗透路径。因此，在互连(焊盘区)中不容易形成腐蚀部分，即使形成了腐蚀部分，狭缝的部分也作为牺牲物先于互连(焊盘区)被腐蚀，使得可以抑制腐蚀部分向互连(焊盘区)中的扩展。

公开(公告)号：CN108695264A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810312732.2

申请日：2018-04-09

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 坂田贤治 ,  秋叶俊彦 ,  船矢琢央 ,  土屋秀昭 ,  吉田裕一

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L23/291 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/02206 ,  H01L2224/02215 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05014 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16013 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16112 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1713 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81048 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/47 ,  H01L23/488 ,  H01L23/13

Abstract: 本申请涉及半导体器件。旨在提高半导体器件的可靠性。半导体器件包括印刷电路板和安装在印刷电路板上方的半导体芯片。该半导体芯片包括焊盘、包括露出焊盘的一部分的开口的绝缘膜以及形成在从开口露出的焊盘上方的柱电极。印刷电路板包括端子和包括用于露出端子的一部分的开口的抗蚀剂层。半导体芯片的柱电极和印刷电路板的端子经由焊料层耦合。从绝缘膜的上表面测量柱电极的厚度h1。从抗蚀剂层的上表面测量焊料层的厚度h2。厚度h1大于或等于厚度h2的一半并且小于或等于厚度h2。

公开(公告)号：CN108242437A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201711404290.6

申请日：2017-12-22

Applicant: 拉碧斯半导体株式会社

Inventor： 进藤正典

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/02206 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11013 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/01047 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/10 ,  H01L24/17

Abstract: 本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。在具备外部连接端子的半导体装置中，确保离子迁移耐性并谋求长期可靠性的提高。半导体装置包含：半导体基板；导电体，被设置于半导体基板的主面上；绝缘体层，覆盖导电体的表面并且具有使导电体部分地露出的开口部；以及外部连接端子，连接于导电体的在所述开口部露出的部分。绝缘体层在表面具有朝向导电体侧凹下的凹部，开口部被设置于凹部的底部，外部连接端子的与半导体基板的主面平行的平面方向上的端部被配置在凹部的壁面上。