公开(公告)号：CN116130432A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211679329.6

申请日：2022-12-26

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 宋瓘 ,  王亚飞 ,  张文杰 ,  郑昌伟 ,  刘启军 ,  罗烨辉 ,  袁新 ,  李诚瞻

IPC: H01L23/34 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明提供一种具有温度传感器的芯片封装结构及其制造方法，芯片封装结构包括：芯片本体和温度传感器；芯片本体的中部设置有源区，有源区的外侧设置终端区，终端区围绕有源区设置；芯片本体包括晶体管和设置于晶体管上的钝化层，温度传感器包括传感器本体以及与传感器本体连接的传感器电极，传感器电极连接于钝化层上，传感器本体设置于终端区，且设置于钝化层上。温度传感器集成在芯片内部，可以实现对芯片温度的精准监测，此外温度传感器集成在终端区的钝化层之上，不占用有源区的面积，不影响芯片原本的电特性，且将温度传感器集成在终端区的钝化层上，不影响芯片原本的封装打线，便于标准化封装。

公开(公告)号：CN116031292A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211689741.6

申请日：2022-12-27

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 袁新 ,  郑昌伟 ,  王亚飞 ,  宋瓘 ,  李诚瞻 ,  罗海辉

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L29/16 ,  H02M1/00

Abstract: 本公开提供一种功率半导体器件及其制备方法、电力变换装置。半导体器件包括：半导体层，具有彼此相对的第一面和第二面，在第一面上设置有凹槽，半导体层包括第一导电类型的第一半导体区域、第二导电类型的第二半导体区域、第一导电类型的第三半导体区域；栅极；栅绝缘层；其中，第一半导体区域在凹槽的表面形成第一表面区域，第二半导体区域在凹槽的表面形成第二表面区域，第三半导体区域在凹槽的表面形成第三表面区域，第二表面区域环绕第一表面区域，第三表面区域环绕第二表面区域，第一表面区域、第二表面区域和第三表面区域连为一体，第二表面区域与栅极相对设置，以受栅极的电压控制形成连接第一半导体区域和第三半导体区域的反型层。