公开(公告)号：CN119050156A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202411278696.4

申请日：2024-09-12

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 刘启军 ,  宋瓘 ,  罗烨辉 ,  何启鸣 ,  王亚飞 ,  姚尧 ,  李诚瞻 ,  肖强 ,  罗海辉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L27/07 ,  H01L29/872 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明涉及一种SiC MOSFET结构及其制造方法，所述SiC MOSFET结构的元胞包括：从下到上依次设置的N+衬底、N‑外延层、P肼区和N+区；延伸到N‑外延层内的至少1个沟槽，每个沟槽具有相对的侧壁和底部；位于N‑外延层内的所述沟槽的侧壁和底部具有P+注入区；所述沟槽内表面设置有栅氧层和栅极，所述栅极包括两部分，背离N‑外延层方向的栅极部分的宽度大于靠近N‑外延层方向的栅极部分的宽度；所述栅氧层和栅极的上方设置有层间介质；位于沟槽两端且位于N+区的上方设置有源极区；所述层间介质和源极区上方设置有源极；本发明降低栅漏寄生电容CGD，提高开关特性，降低功耗，提高芯片可靠性。