公开(公告)号：CN113130304A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201911391962.3

申请日：2019-12-30

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 刘启军 ,  马亚超 ,  刘锐鸣 ,  赵艳黎 ,  周正东 ,  刘芹 ,  黄爱权 ,  李诚瞻

IPC: H01L21/04

Abstract: 本公开提供一种碳化硅器件电极金属层的湿法刻蚀方法。该方法包括：调整待刻蚀的碳化硅晶圆的位置，使所述碳化硅晶圆上的待刻蚀电极金属层垂直于刻蚀液的液面且所述碳化硅晶圆的主定位边与所述刻蚀液的液面呈第一预设角度；其中，所述第一预设角度为40°至50°；将所述碳化硅晶圆按照预设频率浸入到所述刻蚀液中，以对所述电极金属层进行刻蚀；其中，每次将浸入所述刻蚀液中的所述碳化硅晶圆取出静置预设时长。不仅可以消除所述电极金属层刻蚀过程中各管芯在纵向与横向的刻蚀差异，还可以消除在所述电极金属层刻蚀过程中产生的并附着于所述电极金属层表面的氢气气泡，避免造成刻蚀残留。提高了器件的电学性能与成品率，节约了制造成本。

公开(公告)号：CN109755109B

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201711091300.5

申请日：2017-11-08

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 史晶晶 ,  李诚瞻 ,  周正东 ,  杨程 ,  刘国友

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种SiC JBS器件阳极电极的制造方法，包括：在SiC JBS器件的有源层上沉积保护层，进行高温退火，有源层包括间隔排列的P型掺杂区和N型掺杂区；对保护层进行光刻和刻蚀；在刻蚀后的保护层和裸露出的P型掺杂区上沉积第一金属层；进行第一次退火，使得P型掺杂区与其上的第一金属层之间形成构成欧姆接触的金属硅化物；去除第一金属层和保护层；在P型掺杂区上的金属硅化物以及N型掺杂区上沉积第二金属层；进行第二次退火，使得N型掺杂区与其上方的第二金属层之间形成肖特基接触。因此，采用本发明利用刻蚀后的保护层有效隔离N型掺杂区与第一金属层，从而形成良好的P型欧姆接触和N型肖特基接触。

公开(公告)号：CN107785250B

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201610785226.6

申请日：2016-08-31

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 周正东 ,  李诚瞻 ,  刘可安 ,  吴煜东 ,  饶伟 ,  史晶晶 ,  杨程 ,  吴佳

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供了一种碳化硅肖特基接触制作方法，包括以下步骤：a.在碳化硅基体表面溅射肖特基接触金属材料；b.将步骤a处理后的碳化硅基体进行加热处理；c.使步骤b处理后的碳化硅基体在惰性气氛下冷却；d.在冷却后的碳化硅基体表面进一步溅射阳极金属材料；e.先后刻蚀除去非肖特基接触区的阳极金属材料和肖特基接触材料，形成肖特基接触区。本发明还提供了一种碳化硅肖特基二极管的制造方法。本发明在形成肖特基接触图形中只需进行一次光刻，简化了肖特基接触的形成步骤。本发明提供的肖特基接触制作方法可有效防止肖特基接触金属被自然氧化，同时防止肖特基接触金属表面的有机物及颗粒的污染，从而提高肖特基接触和相应二极管的品质。

公开(公告)号：CN113035951A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201911355637.1

申请日：2019-12-25

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 丁杰钦 ,  周正东 ,  施剑华 ,  焦莎莎 ,  罗烨辉 ,  刘启军 ,  周才能 ,  马亚超 ,  李诚瞻 ,  罗海辉

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  C23C16/02 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明公开了一种MOSFET结构及其制备方法和应用。该MOSFET结构包括具有沟槽的碳化硅晶圆，以及沉积于所述沟槽的侧壁和底部的栅极氧化层，且沟槽底部的栅极氧化层厚度大于沟槽侧壁的栅极氧化层厚度。本发明的MOSFET结构能够避免底部栅极氧化层厚度偏薄导致器件提前击穿的问题，提高了半导体器件的可靠性。

公开(公告)号：CN113054014A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201911366550.4

申请日：2019-12-26

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 郑昌伟 ,  刘坤 ,  施剑华 ,  焦莎莎 ,  刘启军 ,  丁杰钦 ,  赵艳黎 ,  周正东

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开提供一种SiC沟槽氧化层和SiC MOSFET沟槽栅的制备方法及沟槽型SiC MOSFET器件。该方法包括：提供第一导电类型的SiC衬底；刻蚀所述衬底，在所述衬底内形成多个间隔设置的沟槽结构；以掩蔽层作为掩蔽，注入氧离子到所述衬底，以在所述衬底表面和所述沟槽结构的底部形成氧离子注入层；去除所述掩蔽层，对所述衬底进行热氧化处理，以分别在所述衬底的表面和所述沟槽结构的底部形成第一氧化层，在所述沟槽结构的侧壁形成第二氧化层；其中，所述第一氧化层的厚度大于或等于所述第二氧化层的厚度。不仅解决了现有技术中沟槽氧化层质量差、沟槽侧壁与沟槽底部氧化层厚度不受控制的问题，而且提高了氧化层的长期可靠性。

公开(公告)号：CN108010840B

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201610947670.3

申请日：2016-11-02

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 史晶晶 ,  李诚瞻 ,  周正东 ,  吴佳 ,  刘国友 ,  刘可安

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/318 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及掺杂半导体器件的制备方法和半导体器件。根据本发明的方法包括以下步骤：步骤一，对半导体基材进行掺杂后，在半导体基材的表面上形成Si3N4保护层；步骤二，将带有Si3N4保护层的半导体基材进行退火。根据本发明的方法，使用Si3N4作为半导体基材的退火保护层。在退火之后，可将Si3N4层用作半导体器件的绝缘层，从而不必将Si3N4层完全去除，这简化了生产步骤。

公开(公告)号：CN112310227A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201910693031.2

申请日：2019-07-30

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 罗烨辉 ,  周正东 ,  李诚瞻

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/328

Abstract: 本发明公开了一种高势垒SiC JBS器件及其制备方法，该器件包括由上至下设置的第一电极层、SiC衬底、N‑SiC外延层、第二电极层、介质层和PI层。本发明的SiC器件通过在外延层形成JBS结构和表层低浓度结构，提升了器件势垒高度，同时减小器件漏电特性。

公开(公告)号：CN109755110B

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN201711092207.6

申请日：2017-11-08

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 史晶晶 ,  李诚瞻 ,  周正东 ,  杨程 ,  戴小平 ,  刘国友

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种SiC JBS器件正面电极的制造方法，包括：在SiC JBS器件的有源层上利用离子注入掩膜进行离子注入，其中，有源层包括间隔排列的P型掺杂区和N型掺杂区；在离子注入掩膜和已经注入离子的P型掺杂区上沉积保护层；进行第一次退火；去除保护层；在离子注入掩膜和完成离子替位后的P型掺杂区上沉积第一金属层；进行第二次退火；去除第一金属层和离子注入掩膜；在P型掺杂区上的金属硅化物和N型掺杂区上沉积第二金属层；进行第三次退火；离子注入掩膜由上层和下层的双层结构构成，上层用于在第二次退火时隔离N型掺杂区和第一金属层，实现欧姆接触和肖特基接触的精确分区，下层在第一次退火时保护有源层。