公开(公告)号：CN116130480A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211680292.9

申请日：2022-12-26

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 罗烨辉 ,  王亚飞 ,  郑昌伟 ,  王志成 ,  刘启军 ,  刘小东 ,  李诚瞻

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  H01L29/417 ,  H01L21/70

Abstract: 本发明提供一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，该晶体管通过在JFET区集成肖特基势垒二极管，改善了碳化硅双极退化现象，提高芯片可靠性，降低了模块封装成本；槽式结构的肖特基势垒二极管，有效的保护对金属氧化物半导体场效应晶体管的JFET区电场及肖特基势垒二极管的肖特基接触电场进行保护，提升金属氧化物半导体场效应晶体管的阻断能力；槽型式的源极结构，在三维空间上增加了源孔的接触面积，降低了源接触电阻对器件整体电阻的影响，利于更大电流容量的输出。

公开(公告)号：CN114220843A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202111537706.8

申请日：2021-12-15

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 王亚飞 ,  卢吴越 ,  宋瓘 ,  李乐乐 ,  张文杰 ,  王志成 ,  刘小东 ,  朱奇伟 ,  李诚瞻

IPC: H01L29/06 ,  H01L23/58 ,  H01L29/872

Abstract: 本申请提供一种功率半导体器件，该功率半导体器件包括第一导电类型碳化硅衬底和位于所述衬底上方的第一导电类型漂移层，以及设置于所述漂移层上的有源区、终端区和位于所述有源区与所述终端区之间的主结区；所述有源区包括多个间隔设置于所述漂移层表面内的第二导电类型第一掺杂区，以及位于漂移层上方的第一金属层和第二金属层；所述主结区包括设置于所述漂移层表面内的第二导电类型第二掺杂区，以及覆盖所述第二掺杂区部分上表面的电阻层；所述电阻层具有正的温度系数；所述第一金属层、所述第二金属层和所述电阻层相互电连接。通过在主结区设置具有正的温度系数的电阻层，抑制芯片主结上的浪涌电流，降低主结金属被熔化的风险。

公开(公告)号：CN114220844A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202111539417.1

申请日：2021-12-15

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 罗烨辉 ,  王亚飞 ,  郑昌伟 ,  王志成 ,  刘启军 ,  刘小东 ,  李诚瞻

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872 ,  H01L27/07 ,  H01L21/82 ,  H01L21/336 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种集成SBD的碳化硅MOSFET器件及其制备方法，包括衬底、N‑外延层、P阱区、结型场效应区的P+区、源极槽区的P+区和N+区、第一欧姆接触金属层、第一肖特基接触金属层、第二欧姆接触金属层和第二肖特基接触金属层；结型场效应区的P+区位于P阱区远离N+区的一侧；第二欧姆接触金属层覆盖结型场效应区的P+区背离N‑外延层的一面；第一肖特基接触金属层位于第二欧姆接触金属层远离P阱区的一侧；第二肖特基接触金属层设置在第二欧姆接触金属层背离结型场效应区的P+区的一侧，与结型场效应区的P+区平行。本发明在能够降低源极接触电阻，提升碳化硅器件的通流能力，提高碳化硅器件的可靠性。