公开(公告)号：CN114203542B

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202010875112.7

申请日：2020-08-27

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 刘启军 ,  卢吴越 ,  王志成 ,  龚芷玉 ,  郑昌伟 ,  张文杰 ,  丁杰钦 ,  李诚瞻 ,  罗海辉

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/02 ,  B24B37/04

Abstract: 本发明提供了一种晶圆表面的处理方法，通过在所述晶圆表面进行减薄工艺处理期间，先采用第一类研磨工艺进行研磨，使得所述第二区域的减薄厚度大于所述第一区域的减薄厚度，然后采用第二类研磨工艺仅对所述第一区域进行研磨，从而对所述第二表面进行了区域选择性应力释放，使所述第二表面的应力分布得到互补，进而显著性改善SiC晶圆减薄后的翘曲度，减小翘曲度对后续工艺的影响。

公开(公告)号：CN114566429A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202011362084.5

申请日：2020-11-27

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 刘启军 ,  郑昌伟 ,  丁杰钦 ,  卢吴越 ,  黄爱权 ,  赵艳黎 ,  李诚瞻 ,  罗海辉

IPC: H01L21/266 ,  H01L29/06

Abstract: 本公开提供一种改善晶圆翘曲的方法、半导体器件制备方法及半导体器件。该改善晶圆翘曲的方法包括：提供一翘曲的晶圆；其中，所述晶圆由于在其正面进行的离子注入或刻蚀工艺发生边缘向下的翘曲，且所述晶圆各位置处的翘曲度随其与所述晶圆的中心之间的距离的增大而增大；对所述晶圆的背面进行离子注入，以在所述晶圆的背面形成若干以所述晶圆的中心为中心且间隔设置的环形离子注入区，从而使背面离子注入与正面离子注入或刻蚀工艺产生的应力相互抵消；其中，各个所述环形离子注入区的径向宽度随其与所述晶圆的中心之间的距离的增大而增大。该方法能精准消除由正面工艺带来的晶圆翘曲，避免对后续工艺造成较大影响。

公开(公告)号：CN114220843A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202111537706.8

申请日：2021-12-15

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 王亚飞 ,  卢吴越 ,  宋瓘 ,  李乐乐 ,  张文杰 ,  王志成 ,  刘小东 ,  朱奇伟 ,  李诚瞻

IPC: H01L29/06 ,  H01L23/58 ,  H01L29/872

Abstract: 本申请提供一种功率半导体器件，该功率半导体器件包括第一导电类型碳化硅衬底和位于所述衬底上方的第一导电类型漂移层，以及设置于所述漂移层上的有源区、终端区和位于所述有源区与所述终端区之间的主结区；所述有源区包括多个间隔设置于所述漂移层表面内的第二导电类型第一掺杂区，以及位于漂移层上方的第一金属层和第二金属层；所述主结区包括设置于所述漂移层表面内的第二导电类型第二掺杂区，以及覆盖所述第二掺杂区部分上表面的电阻层；所述电阻层具有正的温度系数；所述第一金属层、所述第二金属层和所述电阻层相互电连接。通过在主结区设置具有正的温度系数的电阻层，抑制芯片主结上的浪涌电流，降低主结金属被熔化的风险。

公开(公告)号：CN114203542A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202010875112.7

申请日：2020-08-27

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 刘启军 ,  卢吴越 ,  王志成 ,  龚芷玉 ,  郑昌伟 ,  张文杰 ,  丁杰钦 ,  李诚瞻 ,  罗海辉

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/02 ,  B24B37/04

Abstract: 本发明提供了一种晶圆表面的处理方法，通过在所述晶圆表面进行减薄工艺处理期间，先采用第一类研磨工艺进行研磨，使得所述第二区域的减薄厚度大于所述第一区域的减薄厚度，然后采用第二类研磨工艺仅对所述第一区域进行研磨，从而对所述第二表面进行了区域选择性应力释放，使所述第二表面的应力分布得到互补，进而显著性改善SiC晶圆减薄后的翘曲度，减小翘曲度对后续工艺的影响。