公开(公告)号：CN112216605B

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN201910616287.3

申请日：2019-07-09

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 王志成 ,  龚芷玉 ,  曹申 ,  郑昌伟 ,  赵艳黎 ,  李诚瞻

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种碳化硅沟槽，其具有侧壁陡直和底部圆滑的沟槽结构。本发明还提供了一种碳化硅沟槽的制备方法。本发明提供的侧壁陡直、底部圆滑的碳化硅沟槽既能够提升器件性能和可靠性，又可以为后续沟槽内的生长及填充工艺带来便捷。本发明提供的方法可以制备得到具有侧壁陡直和底部圆滑的沟槽结构，工艺步骤简单，能够极大地提高工艺效率和节约成本。

公开(公告)号：CN112216605A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201910616287.3

申请日：2019-07-09

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 王志成 ,  龚芷玉 ,  曹申 ,  郑昌伟 ,  赵艳黎 ,  李诚瞻

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种碳化硅沟槽，其具有侧壁陡直和底部圆滑的沟槽结构。本发明还提供了一种碳化硅沟槽的制备方法。本发明提供的侧壁陡直、底部圆滑的碳化硅沟槽既能够提升器件性能和可靠性，又可以为后续沟槽内的生长及填充工艺带来便捷。本发明提供的方法可以制备得到具有侧壁陡直和底部圆滑的沟槽结构，工艺步骤简单，能够极大地提高工艺效率和节约成本。

公开(公告)号：CN114121639B

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202010881132.5

申请日：2020-08-27

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 王志成 ,  龚芷玉 ,  刘启军 ,  罗烨辉 ,  周才能 ,  宋瓘 ,  曹申 ,  赵艳黎 ,  郑昌伟 ,  李诚瞻 ,  罗海辉

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/762 ,  H10D62/10 ,  H10D64/27 ,  H10D64/01

Abstract: 本发明提供了一种圆滑沟槽的制作方法及圆滑沟槽结构，所述制作方法包括：首先由经所述掩膜层，利用以各向异性为主的第一次干法刻蚀蚀刻所述半导体晶圆，以形成侧壁陡直和底部平滑的沟槽结构，然后去除所述第一层掩膜，并在没有掩膜层的保护情况下，利用以各向同性为主的第二次干法刻蚀蚀刻所述半导体晶圆，以圆滑所述沟槽的顶部和底部，最终形成侧壁陡直、顶部和底部圆滑的沟槽。因此，本发明提供的沟槽制作方法工艺步骤简单，能够极大地提高工艺效率和节约成本，本发明提供的圆滑沟槽结构既能够提升器件性能和可靠性，又可以为后续沟槽内的生长及填充工艺带来便捷。

公开(公告)号：CN113035705B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201911357619.7

申请日：2019-12-25

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 曹申 ,  赵艳黎 ,  龚芷玉 ,  王志成 ,  李诚瞻 ,  戴小平

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/04 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明公开了一种改善碳化硅晶圆翘曲度的方法，通过在碳化硅晶圆背面进行干法刻蚀改善碳化硅晶圆翘曲度。所述方法包括如下步骤：S1.在碳化硅晶圆的正面进行离子注入；S2.在步骤S1得到的碳化硅晶圆的背面进行干法刻蚀；S3.将步骤S2得到的晶圆的正面进行后续光刻工艺。本发明通过在碳化硅晶圆背面进行干法刻蚀，补偿因离子注入等工艺引起的翘曲度增大，改善碳化硅晶圆的翘曲度，满足光刻对准工艺对翘曲度的严格要求以及降低半导体设备自动搬运晶圆过程中掉片、碎片等风险。

公开(公告)号：CN113035705A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201911357619.7

申请日：2019-12-25

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 曹申 ,  赵艳黎 ,  龚芷玉 ,  王志成 ,  李诚瞻 ,  戴小平

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/04 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明公开了一种改善碳化硅晶圆翘曲度的方法，通过在碳化硅晶圆背面进行干法刻蚀改善碳化硅晶圆翘曲度。所述方法包括如下步骤：S1.在碳化硅晶圆的正面进行离子注入；S2.在步骤S1得到的碳化硅晶圆的背面进行干法刻蚀；S3.将步骤S2得到的晶圆的正面进行后续光刻工艺。本发明通过在碳化硅晶圆背面进行干法刻蚀，补偿因离子注入等工艺引起的翘曲度增大，改善碳化硅晶圆的翘曲度，满足光刻对准工艺对翘曲度的严格要求以及降低半导体设备自动搬运晶圆过程中掉片、碎片等风险。

公开(公告)号：CN114121639A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202010881132.5

申请日：2020-08-27

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 王志成 ,  龚芷玉 ,  刘启军 ,  罗烨辉 ,  周才能 ,  宋瓘 ,  曹申 ,  赵艳黎 ,  郑昌伟 ,  李诚瞻 ,  罗海辉

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/762 ,  H01L29/06 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了一种圆滑沟槽的制作方法及圆滑沟槽结构，所述制作方法包括：首先由经所述掩膜层，利用以各向异性为主的第一次干法刻蚀蚀刻所述半导体晶圆，以形成侧壁陡直和底部平滑的沟槽结构，然后去除所述第一层掩膜，并在没有掩膜层的保护情况下，利用以各向同性为主的第二次干法刻蚀蚀刻所述半导体晶圆，以圆滑所述沟槽的顶部和底部，最终形成侧壁陡直、顶部和底部圆滑的沟槽。因此，本发明提供的沟槽制作方法工艺步骤简单，能够极大地提高工艺效率和节约成本，本发明提供的圆滑沟槽结构既能够提升器件性能和可靠性，又可以为后续沟槽内的生长及填充工艺带来便捷。