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公开(公告)号：CN116300349A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310186382.0
申请日：2023-03-01
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: G03F9/00 , H01L23/544 , H01L21/308
Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，公开了一种SiC功率器件背面光刻的对准方法和SiC功率器件，利用SiC晶圆的透明的特性，背面光刻中使用正面的标记进行对准。在正面光刻中在晶圆表面沉积特定的不透光或者明显颜色差异的膜层，因膜层特性，经过刻蚀后可以得到对准所需的标记，在背面光刻时可选择合适波段的探测光，当扫描到该标记时会得到更强的对准信号，和其他区域形成一个信号差，通过这个的信号差可以获取正面标记的位置，实现和正面标记对准的目的，再经过多个位置的对准后，提升对准精度。
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