公开(公告)号：CN116300349A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310186382.0

申请日：2023-03-01

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 曾亮 ,  程银华 ,  王惠珍 ,  张乐 ,  龚芷玉 ,  赵艳黎 ,  潘昭海

IPC: G03F9/00 ,  H01L23/544 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，公开了一种SiC功率器件背面光刻的对准方法和SiC功率器件，利用SiC晶圆的透明的特性，背面光刻中使用正面的标记进行对准。在正面光刻中在晶圆表面沉积特定的不透光或者明显颜色差异的膜层，因膜层特性，经过刻蚀后可以得到对准所需的标记，在背面光刻时可选择合适波段的探测光，当扫描到该标记时会得到更强的对准信号，和其他区域形成一个信号差，通过这个的信号差可以获取正面标记的位置，实现和正面标记对准的目的，再经过多个位置的对准后，提升对准精度。

公开(公告)号：CN114578651A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202011389376.8

申请日：2020-12-02

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 魏伟 ,  赵艳黎 ,  李诚瞻 ,  郑昌伟 ,  焦莎莎 ,  曾亮

IPC: G03F1/44 ,  G03F7/20 ,  G03F9/00

Abstract: 本发明提供了一种用于投影光刻最佳焦距测定的掩膜版，包括包括掩膜版本体，掩膜版本体上均匀设有n条相互平行的分割线，将n条所述分割线均分为p个曝光场，所述分割线呈矩形，分割线的线宽为光刻机的极限解析度的0.8‑1.8倍，相邻两条分割线的间距为曝光场上的透光区域，所述间距等于线宽；本发明提供的用于投影光刻最佳焦距测定的掩膜版能快速的完成光刻机最佳焦距的测定，并且可以对未知工艺的最佳曝光条件进行快速测定。

公开(公告)号：CN113053747B

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN201911363839.0

申请日：2019-12-26

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 郑昌伟 ,  焦莎莎 ,  施剑华 ,  赵艳黎 ,  李诚瞻 ,  魏伟 ,  曾亮 ,  刘芹

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/36

Abstract: 本公开提供一种改善SiC晶圆翘曲的方法及SiC半导体器件的制备方法。该改善SiC晶圆翘曲的方法包括：提供第一导电类型SiC晶圆，其中，所述晶圆由于正面离子注入形成正面掺杂区而发生翘曲，所述正面掺杂区为构成半导体器件所需的掺杂区；在所述晶圆的背面形成与所述正面掺杂区对应设置的第一背面掺杂区，以使背面离子注入与正面离子注入产生的应力相互抵消；对所述晶圆进行高温激活退火，以消除所述晶圆上的残余应力；刻蚀所述晶圆的整个背面；通过注入第一导电类型的高能离子形成覆盖所述晶圆的整个背面的第二背面掺杂区；对所述晶圆的背面进行金属化处理。通过改善晶圆翘曲的程度，提高器件加工工艺精度与一致性，进而提高产品稳定性，提升产品良率。

公开(公告)号：CN113053747A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201911363839.0

申请日：2019-12-26

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 郑昌伟 ,  焦莎莎 ,  施剑华 ,  赵艳黎 ,  李诚瞻 ,  魏伟 ,  曾亮 ,  刘芹

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/36

Abstract: 本公开提供一种改善SiC晶圆翘曲的方法及SiC半导体器件的制备方法。该改善SiC晶圆翘曲的方法包括：提供第一导电类型SiC晶圆，其中，所述晶圆由于正面离子注入形成正面掺杂区而发生翘曲，所述正面掺杂区为构成半导体器件所需的掺杂区；在所述晶圆的背面形成与所述正面掺杂区对应设置的第一背面掺杂区，以使背面离子注入与正面离子注入产生的应力相互抵消；对所述晶圆进行高温激活退火，以消除所述晶圆上的残余应力；刻蚀所述晶圆的整个背面；通过注入第一导电类型的高能离子形成覆盖所述晶圆的整个背面的第二背面掺杂区；对所述晶圆的背面进行金属化处理。通过改善晶圆翘曲的程度，提高器件加工工艺精度与一致性，进而提高产品稳定性，提升产品良率。

公开(公告)号：CN111324946A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN202010073170.8

申请日：2020-01-22

Applicant: 同济大学 ,  株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 王翠霞 ,  曾亮 ,  吴江枫 ,  余有灵 ,  李诚瞻

IPC: G06F30/20

Abstract: 本发明公开了一种4H-SiC MOSFET静态温度特性仿真分析方法，确定4H-SiC MOSFET的结构参数，利用Silvaco 平台生成相应的三维结构；通过仿真分析4H-SiC MOSFET的输出特性和温度特性，得到温度对4H-SiC MOSFET静态特性及其特征参数的影响规律。本发明基于Silvaco Tcad，建立了SiC MOSFET的三维器件模型，对不同温度下的击穿电压、转移特性和输出特性进行仿真，分析温度对其阈值电压、饱和漏电流、导通电阻等静态参数的影响规律，对于SiC器件在高温高压环境下的结构设计和制造具有重要的指导作用。