公开(公告)号：CN116313752A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310112837.4

申请日：2023-02-14

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 张东华 ,  朱奇伟 ,  刘芹 ,  王志成 ,  程银华 ,  赵艳黎 ,  潘昭海

IPC: H01L21/04

Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，公开了一种沟槽型器件沉积碳膜的方法和沟槽型器件，所述方法包括在所述沟槽型器件的晶圆表面旋涂一光刻胶层，形成第一晶圆；将所述第一晶圆进行厚度为T1的第一次碳膜沉积，形成第二晶圆；去除所述第二晶圆表面沉积的光刻胶层和碳膜层，形成第三晶圆；将所述第三晶圆进行厚度为T2的第二次碳膜沉积，形成目标晶圆，其中，c为所述沟槽型器件的台阶覆盖率。通过上述两次碳膜沉积，使得沟槽型器件的晶圆表面、沟槽侧壁和沟槽底部的碳膜厚度相同，具有相同的碳保护能力，确保了碳膜对沟槽型器件不同位置的碳保护能力的一致性。

公开(公告)号：CN111128717B

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN201811273390.4

申请日：2018-10-30

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 郑昌伟 ,  龚芷玉 ,  张文杰 ,  赵艳黎 ,  李诚瞻 ,  戴小平

IPC: H01L21/308 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅沟槽结构的制造方法，包括如下步骤，在碳化硅晶圆表面上生长第一刻蚀掩膜层；在碳化硅晶圆待制作沟槽区域的上方形成光刻胶；生长覆盖第一刻蚀掩膜层和光刻胶的第二刻蚀掩膜层；去除位于光刻胶上的部分第二刻蚀掩膜层和光刻胶，并形成第二刻蚀掩膜层的沟槽刻蚀窗口；利用带有沟槽刻蚀窗口的第二刻蚀掩膜层对第一刻蚀掩膜层进行刻蚀，形成第一刻蚀掩膜层的沟槽刻蚀窗口；分别以带有沟槽刻蚀窗口的第一、二刻蚀掩膜层为掩膜进行初步刻蚀和二次刻蚀，以形成目标沟槽。本发明实现了高深宽比、侧壁垂直且底部圆滑的碳化硅沟槽结构的制造，同时还实现了高速率刻蚀。

公开(公告)号：CN114613674A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202011419917.7

申请日：2020-12-07

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 李诚瞻 ,  罗烨辉 ,  郑昌伟 ,  赵艳黎 ,  刘芹 ,  戴小平

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种碳化硅MOSFET器件的制备方法，包括步骤1，在n+碳化硅衬底上生长n‑外延层；步骤2，生长p阱外延层；步骤3，生长p+外延层；步骤4，生长p‑外延层；步骤5，形成JFET区n+注入层；步骤6，形成JFET区n‑注入层；步骤7，形成源极n+接触层；步骤8，形成源极p++接触层；步骤9，在高温激活炉中退火；步骤10，在高温氧化炉中干氧热氧化生长栅氧化层；步骤11，在二氧化硅栅介质上淀积多晶硅，形成栅电极；步骤12，在源区N+接触、P++接触和n+碳化硅衬底背面淀积金属，退火后形成欧姆接触，形成源电极和漏电极；本发明提供的碳化硅MOSFET器件的制备方法能减小注入引起沟道电子迁移率降低负面影响，降低器件的导通电阻，提升电流输出能力。

公开(公告)号：CN113035705A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201911357619.7

申请日：2019-12-25

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 曹申 ,  赵艳黎 ,  龚芷玉 ,  王志成 ,  李诚瞻 ,  戴小平

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/04 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明公开了一种改善碳化硅晶圆翘曲度的方法，通过在碳化硅晶圆背面进行干法刻蚀改善碳化硅晶圆翘曲度。所述方法包括如下步骤：S1.在碳化硅晶圆的正面进行离子注入；S2.在步骤S1得到的碳化硅晶圆的背面进行干法刻蚀；S3.将步骤S2得到的晶圆的正面进行后续光刻工艺。本发明通过在碳化硅晶圆背面进行干法刻蚀，补偿因离子注入等工艺引起的翘曲度增大，改善碳化硅晶圆的翘曲度，满足光刻对准工艺对翘曲度的严格要求以及降低半导体设备自动搬运晶圆过程中掉片、碎片等风险。

公开(公告)号：CN112993009A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201911302916.1

申请日：2019-12-17

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 周才能 ,  陈喜明 ,  王志成 ,  魏伟 ,  丁杰钦 ,  罗烨辉 ,  刘坤 ,  龚芷玉 ,  赵艳黎 ,  李诚瞻

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/82

Abstract: 本申请提供了一种功率器件结终端结构，场限环包括第一组场限环和第二组场限环，第一组场限环和第二组场限环中，每个场限环的宽度加上靠近主结方向且与其相邻的间隔的宽度为一常数；其中，第一组场限环相邻的场限环之间的间距以及主结与其相邻的场限环之间的间距中，每两个或多个相邻的所述间距相等，且沿从主结至场限环的方向依次递增；第二组场限环相邻的场限环之间的间距以及第二组场限环与第一组场限环相邻的场限环之间的间距中，沿从主结至场限环的方向，所述间距依次递增。本申请的结终端结构避免了主结附近和结终端外边缘附近的局部电场过大导致的器件击穿现象，使功率器件耐压性能和可靠性提升。

公开(公告)号：CN107785270B

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201610786019.2

申请日：2016-08-31

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 王弋宇 ,  李诚瞻 ,  吴佳 ,  史晶晶 ,  高云斌 ,  陈喜明 ,  赵艳黎 ,  吴煜东 ,  刘可安

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/223

Abstract: 本发明提供了一种MOSFET器件氮化方法，包括使用含氮气气体对所述MOSFET器件进行氮化处理，优选所述氮化处理在1200‑1500℃，优选1250‑1450℃的温度下进行。根据本发明提供的功率器件氮化方法，通过在器件的氧化过程和/或氧化后在高温下采用氮气进行氮化，简化了氮化钝化气体体系，避免栅介质可靠性和击穿电场强度的降低，避免了氮化气体产生的潜在毒性和毒气泄漏风险，简化了尾气处理系统。

公开(公告)号：CN111986991A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN202010838550.6

申请日：2020-08-19

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 刘启军 ,  王亚飞 ,  李诚瞻 ,  陈喜明 ,  赵艳黎 ,  郑昌伟 ,  张超 ,  罗海辉

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/033 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本公开提供一种沟槽的刻蚀方法、碳化硅器件的制备方法及碳化硅器件，所述碳化硅器件的制备方法包括：通过湿法刻蚀工艺和化学机械平坦化在漂移层上的氧化层上于所述屏蔽区的对应位置处形成第三刻蚀窗口；其中，所述第三刻蚀窗口的侧壁相对于其底部的倾角为130°至140°；通过所述第三刻蚀窗口，采用干法刻蚀的工艺在漂移层表面内于所述屏蔽区的对应位置处形成呈等腰梯形的沟槽，所述屏蔽区的剩余部分位于所述沟槽下方；其中，所述沟槽的侧壁相对于其底部的倾角等于所述第三刻蚀窗口的侧壁相对于其底部的倾角；在沟槽的侧壁和底部形成与漂移层形成肖特基接触的肖特基金属层。这种方法实现了MOSFET与SBD集成后通态电流和阻断电压之间最优的折中关系。