公开(公告)号：CN114220843A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202111537706.8

申请日：2021-12-15

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 王亚飞 ,  卢吴越 ,  宋瓘 ,  李乐乐 ,  张文杰 ,  王志成 ,  刘小东 ,  朱奇伟 ,  李诚瞻

IPC: H01L29/06 ,  H01L23/58 ,  H01L29/872

Abstract: 本申请提供一种功率半导体器件，该功率半导体器件包括第一导电类型碳化硅衬底和位于所述衬底上方的第一导电类型漂移层，以及设置于所述漂移层上的有源区、终端区和位于所述有源区与所述终端区之间的主结区；所述有源区包括多个间隔设置于所述漂移层表面内的第二导电类型第一掺杂区，以及位于漂移层上方的第一金属层和第二金属层；所述主结区包括设置于所述漂移层表面内的第二导电类型第二掺杂区，以及覆盖所述第二掺杂区部分上表面的电阻层；所述电阻层具有正的温度系数；所述第一金属层、所述第二金属层和所述电阻层相互电连接。通过在主结区设置具有正的温度系数的电阻层，抑制芯片主结上的浪涌电流，降低主结金属被熔化的风险。

公开(公告)号：CN116313752A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310112837.4

申请日：2023-02-14

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 张东华 ,  朱奇伟 ,  刘芹 ,  王志成 ,  程银华 ,  赵艳黎 ,  潘昭海

IPC: H01L21/04

Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，公开了一种沟槽型器件沉积碳膜的方法和沟槽型器件，所述方法包括在所述沟槽型器件的晶圆表面旋涂一光刻胶层，形成第一晶圆；将所述第一晶圆进行厚度为T1的第一次碳膜沉积，形成第二晶圆；去除所述第二晶圆表面沉积的光刻胶层和碳膜层，形成第三晶圆；将所述第三晶圆进行厚度为T2的第二次碳膜沉积，形成目标晶圆，其中，c为所述沟槽型器件的台阶覆盖率。通过上述两次碳膜沉积，使得沟槽型器件的晶圆表面、沟槽侧壁和沟槽底部的碳膜厚度相同，具有相同的碳保护能力，确保了碳膜对沟槽型器件不同位置的碳保护能力的一致性。