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发明公开
一种沟槽型器件沉积碳膜的方法和沟槽型器件审中-实审

公开(公告)号：CN116313752A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310112837.4

申请日：2023-02-14

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 张东华 , 朱奇伟 , 刘芹 , 王志成 , 程银华 , 赵艳黎 , 潘昭海

IPC: H01L21/04

Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，公开了一种沟槽型器件沉积碳膜的方法和沟槽型器件，所述方法包括在所述沟槽型器件的晶圆表面旋涂一光刻胶层，形成第一晶圆；将所述第一晶圆进行厚度为T1的第一次碳膜沉积，形成第二晶圆；去除所述第二晶圆表面沉积的光刻胶层和碳膜层，形成第三晶圆；将所述第三晶圆进行厚度为T2的第二次碳膜沉积，形成目标晶圆，其中，c为所述沟槽型器件的台阶覆盖率。通过上述两次碳膜沉积，使得沟槽型器件的晶圆表面、沟槽侧壁和沟槽底部的碳膜厚度相同，具有相同的碳保护能力，确保了碳膜对沟槽型器件不同位置的碳保护能力的一致性。

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