公开(公告)号：CN108010840B

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201610947670.3

申请日：2016-11-02

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 史晶晶 ,  李诚瞻 ,  周正东 ,  吴佳 ,  刘国友 ,  刘可安

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/318 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及掺杂半导体器件的制备方法和半导体器件。根据本发明的方法包括以下步骤：步骤一，对半导体基材进行掺杂后，在半导体基材的表面上形成Si3N4保护层；步骤二，将带有Si3N4保护层的半导体基材进行退火。根据本发明的方法，使用Si3N4作为半导体基材的退火保护层。在退火之后，可将Si3N4层用作半导体器件的绝缘层，从而不必将Si3N4层完全去除，这简化了生产步骤。

公开(公告)号：CN109755110B

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN201711092207.6

申请日：2017-11-08

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 史晶晶 ,  李诚瞻 ,  周正东 ,  杨程 ,  戴小平 ,  刘国友

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种SiC JBS器件正面电极的制造方法，包括：在SiC JBS器件的有源层上利用离子注入掩膜进行离子注入，其中，有源层包括间隔排列的P型掺杂区和N型掺杂区；在离子注入掩膜和已经注入离子的P型掺杂区上沉积保护层；进行第一次退火；去除保护层；在离子注入掩膜和完成离子替位后的P型掺杂区上沉积第一金属层；进行第二次退火；去除第一金属层和离子注入掩膜；在P型掺杂区上的金属硅化物和N型掺杂区上沉积第二金属层；进行第三次退火；离子注入掩膜由上层和下层的双层结构构成，上层用于在第二次退火时隔离N型掺杂区和第一金属层，实现欧姆接触和肖特基接触的精确分区，下层在第一次退火时保护有源层。

公开(公告)号：CN109755109B

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201711091300.5

申请日：2017-11-08

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 史晶晶 ,  李诚瞻 ,  周正东 ,  杨程 ,  刘国友

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种SiC JBS器件阳极电极的制造方法，包括：在SiC JBS器件的有源层上沉积保护层，进行高温退火，有源层包括间隔排列的P型掺杂区和N型掺杂区；对保护层进行光刻和刻蚀；在刻蚀后的保护层和裸露出的P型掺杂区上沉积第一金属层；进行第一次退火，使得P型掺杂区与其上的第一金属层之间形成构成欧姆接触的金属硅化物；去除第一金属层和保护层；在P型掺杂区上的金属硅化物以及N型掺杂区上沉积第二金属层；进行第二次退火，使得N型掺杂区与其上方的第二金属层之间形成肖特基接触。因此，采用本发明利用刻蚀后的保护层有效隔离N型掺杂区与第一金属层，从而形成良好的P型欧姆接触和N型肖特基接触。

公开(公告)号：CN107785250B

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201610785226.6

申请日：2016-08-31

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 周正东 ,  李诚瞻 ,  刘可安 ,  吴煜东 ,  饶伟 ,  史晶晶 ,  杨程 ,  吴佳

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供了一种碳化硅肖特基接触制作方法，包括以下步骤：a.在碳化硅基体表面溅射肖特基接触金属材料；b.将步骤a处理后的碳化硅基体进行加热处理；c.使步骤b处理后的碳化硅基体在惰性气氛下冷却；d.在冷却后的碳化硅基体表面进一步溅射阳极金属材料；e.先后刻蚀除去非肖特基接触区的阳极金属材料和肖特基接触材料，形成肖特基接触区。本发明还提供了一种碳化硅肖特基二极管的制造方法。本发明在形成肖特基接触图形中只需进行一次光刻，简化了肖特基接触的形成步骤。本发明提供的肖特基接触制作方法可有效防止肖特基接触金属被自然氧化，同时防止肖特基接触金属表面的有机物及颗粒的污染，从而提高肖特基接触和相应二极管的品质。

公开(公告)号：CN107785270B

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201610786019.2

申请日：2016-08-31

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 王弋宇 ,  李诚瞻 ,  吴佳 ,  史晶晶 ,  高云斌 ,  陈喜明 ,  赵艳黎 ,  吴煜东 ,  刘可安

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/223

Abstract: 本发明提供了一种MOSFET器件氮化方法，包括使用含氮气气体对所述MOSFET器件进行氮化处理，优选所述氮化处理在1200‑1500℃，优选1250‑1450℃的温度下进行。根据本发明提供的功率器件氮化方法，通过在器件的氧化过程和/或氧化后在高温下采用氮气进行氮化，简化了氮化钝化气体体系，避免栅介质可靠性和击穿电场强度的降低，避免了氮化气体产生的潜在毒性和毒气泄漏风险，简化了尾气处理系统。