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公开(公告)号：CN107785270B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201610786019.2
申请日：2016-08-31
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/223
Abstract: 本发明提供了一种MOSFET器件氮化方法，包括使用含氮气气体对所述MOSFET器件进行氮化处理，优选所述氮化处理在1200‑1500℃，优选1250‑1450℃的温度下进行。根据本发明提供的功率器件氮化方法，通过在器件的氧化过程和/或氧化后在高温下采用氮气进行氮化，简化了氮化钝化气体体系，避免栅介质可靠性和击穿电场强度的降低，避免了氮化气体产生的潜在毒性和毒气泄漏风险，简化了尾气处理系统。
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