Patent search cpc:"H01L2924/01049" Page 8

71.

发明授权
导电柱结构有权转让

公开(公告)号：CN102456647B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201110092051.8

申请日：2011-04-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志伟 , 郑明达 , 吕文雄 , 周孟纬 , 郭宏瑞 , 刘重希

IPC: H01L23/488 , H01L21/60

CPC classification number: H01L24/13 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/0341 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05559 , H01L2224/05564 , H01L2224/05647 , H01L2224/1132 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/11472 , H01L2224/13006 , H01L2224/13007 , H01L2224/13017 , H01L2224/13023 , H01L2224/13147 , H01L2224/16 , H01L2224/48 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/01028 , H01L2924/01044 , H01L2924/01025 , H01L2924/01022 , H01L2924/01032 , H01L2924/00 , H01L2224/05552

Abstract: 本发明涉及半导体器件的凸块结构。半导体器件的示例性结构包括衬底；在衬底上延伸的、在接触焊盘上具有开口的钝化层；和在钝化层的开口上方的导电柱，其中，导电柱包括与衬底基本垂直的上部和具有锥形侧壁的下部。

72.

发明公开
银合金焊接导线无效

公开(公告)号：CN104103615A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410033356.5

申请日：2014-01-23

Applicant: 光大应用材料科技股份有限公司

Inventor： 周永昌 , 洪子翔

IPC: H01L23/49 , C22C5/06

CPC classification number: H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45139 , H01L2924/00011 , H01L2924/01079 , H01L2924/01046 , H01L2924/01032 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2924/00013 , H01L2924/01049 , H01L2924/00012 , H01L2924/01004

Abstract: 一种银合金焊接导线，包含一银合金组份，包括银、钯，及锗，基于该银合金组份的重量百分比为100wt%计，钯的重量百分比不小于3wt%，且不大于4wt%，锗的重量百分比不小于0.015wt%，且不大于0.1wt%。本发明银合金焊接导线通过钯及锗的特定比例的控制，除了可克服提升可靠性外，还可提升结球稳定性及真圆性，更适于应用在封装技术领域的引线键合工艺中，有效提升引线键合工艺的成品率及稳定性。

73.

发明授权
柱状结构及其形成方法、倒装芯片接合结构有权复审申请

公开(公告)号：CN101944496B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201010222594.2

申请日：2010-07-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 , 余振华

IPC: H01L21/60 , H01L23/485 , H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49816 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11901 , H01L2224/1308 , H01L2224/13084 , H01L2224/13147 , H01L2224/13583 , H01L2224/13611 , H01L2224/13655 , H01L2224/16 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81801 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , Y10T428/24612 , H01L2924/00014 , H01L2924/01083 , H01L2924/01015 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2224/1146

Abstract: 本发明提供一种于铜柱结构之上形成良好粘着性的介金属化合物的柱状结构的形成方法与柱状结构及倒装芯片接合结构。该方法包括沉积铜以形成铜柱层；沉积扩散阻挡层于铜柱层之上；沉积铜盖层于扩散阻挡层之上，其中于铜盖层与扩散阻挡层之间形成介金属化合物(IMC)；以及焊料层形成于铜盖层之上。介金属化合物对于铜柱结构具有良好的粘着性，且介金属化合物的厚度由铜盖层的厚度决定，且扩散阻挡层限制铜从铜柱层中扩散到焊料层。于沉积铜盖层之前，方法中还包括沉积一薄层于扩散阻挡层之上，以增进湿润性(wetability)。本发明的优点包括于铜柱凸块上形成良好粘着性的介金属化合物(IMC)，且形成整体可靠的结构。

74.

发明授权
系统级封装有权转让

公开(公告)号：CN102473684B

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201080032884.9

申请日：2010-07-22

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： 林茂雄 , 李进源

IPC: H01L21/98 , H01L25/065 , H01L23/48 , H01L23/538 , H01L27/06 , H01L23/00

CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/76898 , H01L23/3128 , H01L23/5389 , H01L23/60 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/82 , H01L24/94 , H01L24/96 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/0251 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/13099 , H01L2224/16225 , H01L2224/24145 , H01L2224/24225 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73204 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/9202 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00011 , H01L2924/013

Abstract: 本发明描述系统级封装或多芯片模块，其可包含在载体上方的多层芯片与多层虚拟衬底、未完全地或完全地穿过所述多层芯片且完全地穿过所述多层虚拟衬底的多个穿透通孔、在所述穿透通孔中的多个金属插塞，以及在所述多层芯片之间的连接到所述金属插塞的多个金属互连件。所述多层芯片可通过所述金属插塞和所述金属互连件互相连接，或连接到外部电路或结构，例如母板、球栅格阵列BGA衬底、印刷电路板、金属衬底、玻璃衬底或陶瓷衬底。

75.

发明公开
镀金银镧钙合金键合丝及其制造方法无效

公开(公告)号：CN104022095A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201410235083.2

申请日：2014-05-30

Applicant: 江西蓝微电子科技有限公司

Inventor： 徐云管 , 李湘平 , 彭庶瑶 , 梁建华 , 涂海情

IPC: H01L23/49 , H01L21/48 , C22C5/06

CPC classification number: H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45565 , H01L2924/00011 , H01L2924/0102 , H01L2924/01057 , H01L2224/45644 , H01L2924/01079 , H01L2924/01206 , H01L2924/013 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/01049 , H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种镀金银镧钙合金键合丝及其制造方法，该键合丝是以高纯银为主体材料，包括镧、钙、金金属材料。其组成键合丝的材料各成分重量百分比为：银含量为：94%-96%、镧含量为2%-3%、钙含量为0.5%-1%、金含量为1.5%-2%；其制造方法包括：提取纯度大于99.9999%的高纯银，制备成银合金铸锭，再制成铸态银镧钙合金母线，将母线拉制成1mm左右，经热处理后在其表面电镀纯金保护层，再经精密拉拔、热处理、清洗后制成不同规格的镀金银镧钙合金键合丝。

76.

发明公开
发光器件封装件无效

公开(公告)号：CN103996783A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410054009.0

申请日：2014-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 甘东爀 , 龙戡翰 , 李相炫 , 黄圣德

IPC: H01L33/48 , H01L33/62

CPC classification number: H01L33/62 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L33/08 , H01L33/54 , H01L2224/29124 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83385 , H01L2224/83805 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/0133 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15151 , H01L2924/181 , H01L2933/0066 , H05B33/0842 , H01L2224/45099 , H01L2924/0105 , H01L2924/01028 , H01L2924/01032 , H01L2924/01049 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/01013 , H01L2924/01047 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种发光器件封装件。所述发光器件封装件包括具有至少一个通孔的封装件基板。发光器件被安装在封装件基板上以与所述通孔重叠。在发光器件与封装件基板之间形成接合层，其包括共晶接合材料。

77.

发明公开
银合金线无效

公开(公告)号：CN103985699A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201310050878.1

申请日：2013-02-08

Applicant: 大瑞科技股份有限公司

Inventor： 周永昌

IPC: H01L23/532 , H01B1/02

CPC classification number: H01L2224/43 , H01L2224/45 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2924/00011 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01046 , H01L2924/00013 , H01L2924/01049 , H01L2924/00012

Abstract: 一种银合金线，其是由银、钯及镍所构成，其中，钯的含量为1.8-2.2wt%，镍的含量为0.5-2.0wt%，其余为银。通过钯、镍及银的组成，以及控制前述成分的比例范围，可以在降低材料成本的前提下，使银合金线具有良好的性能可靠度、打线良率以及低电阻率等等的功效。