公开(公告)号：CN1316594C

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200410089959.3

申请日：2004-10-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大村光广 ,  片野真希子 ,  伊藤彰子 ,  松下贵哉 ,  金子尚史

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/306 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76838 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/31116

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括：利用碳氟化合物气体对半导体晶片进行干蚀刻，该半导体晶片包括形成于半导体衬底上并被绝缘膜覆盖的铜层，以便部分除去该绝缘膜，从而至少局部暴露该铜层的表面。对至少局部暴露其表面的铜层进行氮等离子体处理。将具有氮等离子体处理的铜层的半导体晶片暴露于大气中，并接着对该半导体晶片进行表面处理。

公开(公告)号：CN1758430A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN200510102531.2

申请日：2005-09-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 沼田英夫 ,  江泽弘和 ,  田窪知章 ,  高桥健司 ,  青木秀夫 ,  原田享 ,  金子尚史 ,  池上浩 ,  松尾美惠 ,  大村一郎

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311

Abstract: 本发明的半导体器件，具备：具有贯通孔的半导体基板；在上述贯通孔的内面上形成的第1绝缘树脂层；在上述半导体基板的表背面中的至少一方的面上形成的第2绝缘树脂层；以及在上述贯通孔内以至少把上述半导体基板的表背两面间连接起来的方式连续地形成，而且，已借助于上述第1绝缘树脂层与上述贯通孔的内面绝缘的第1导电体层。在第2绝缘树脂层上，可以具备已与贯通孔内的第1导电体层电连的第2导电体层(布线图形)。可以得到在贯通孔内形成、构成连接插塞等的导电体层的绝缘可靠性高，适合于多芯片封装体等的半导体器件。连接半导体基板的表背间的导电体层和绝缘层的形成性高，可以削减形成成本。

公开(公告)号：CN1604271A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410074199.9

申请日：2004-09-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 金子尚史 ,  冈崎元哉 ,  户岛宏至

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/66 ,  H01L21/82

CPC classification number: G06F17/5068

Abstract: 根据本发明的一个方案，提供一种模拟电路图形评估方法，该方法包括：以各自状态在各自的几何结构限定参数中出现相同次数的方式，通过结合多个各自具有至少两个状态的几何结构限定参数，来设计模拟半导体集成电路的电路图形的模拟电路图形集合体；在衬底上形成模拟电路图形集合体；以及评估形成的模拟电路图形集合体。

公开(公告)号：CN1551295A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410038320.2

申请日：2004-05-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松田哲朗 ,  金子尚史

IPC: H01L21/00 ,  C25D5/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/321 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76879 ,  C25D5/02 ,  C25D5/022 ,  C25D5/34 ,  C25D7/123 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76873 ,  H05K3/107 ,  H05K3/423 ,  H05K2203/0392

Abstract: 本发明公开了制造电子器件的方法，包括：在基础部件的表面上形成凹进部分，在基础部件的在其上形成镀膜的表面上形成导电种子层，以及在这样的条件下把所述种子层作为公共电极进行电解电镀处理以形成镀膜：在基础部件的所述凹进部分中存在的加速电解电镀的物质的量大于在基础部件的表面上的量。

公开(公告)号：CN100446011C

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200510115614.5

申请日：2005-11-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 羽多野正亮 ,  冈崎元哉 ,  和田纯一 ,  西冈岳 ,  金子尚史 ,  藤卷刚 ,  东和幸 ,  吉田健司 ,  松永范昭

IPC: G06F17/50 ,  H01L21/027 ,  G03F1/00 ,  G03F7/00

CPC classification number: G06F17/5068

Abstract: 一种图形生成方法，其特征在于，读出规定布线图形的布线布局的数据和规定能够与上述布线图形连接的孔图形的孔布局的数据；在同一布线层等级内提取与图形处理区域的上述布线图形连接的孔图形；提取包括上述孔图形的第1处理区域；计算上述第1处理区域包含的上述布线图形的第1图形覆盖率；以及根据上述第1图形覆盖率在上述第1处理区域生成第1追加图形。

公开(公告)号：CN100390986C

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN03133104.1

申请日：2003-07-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宫本浩二 ,  吉田健司 ,  金子尚史

IPC: H01L23/535 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体集成电路器件的设计方法中，当下互连的宽度或体积不大于给定值时，给出一个通孔接触，多级互连的上、下互连通过它而相连。当下互连的宽度和体积超过给定值时，给出多个通孔接触，它们以不大于给定值的规则间距排列在包括在下互连中的空位有效扩散区中。

公开(公告)号：CN1819140A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610003051.5

申请日：2006-01-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 本多亮 ,  艾原香里 ,  村上和博 ,  沼野正训 ,  永松贵人 ,  原川秀明 ,  松山日出人 ,  江泽弘和 ,  金子尚史

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76814

Abstract: 通过对形成于导电层上的绝缘膜进行干蚀刻，在上述绝缘膜上形成使上述导电层露出的连接孔。通过对露出的上述导电层上提供等离子体，对形成于上述连接孔内的损伤层进行干洗涤。通过湿处理除去由于干洗涤而在上述连接孔内生成的生成物。通过使用包含NF3、HF的任一种气体的干处理，对由于上述湿处理而在上述连接孔内形成的氧化膜进行蚀刻。通过热处理除去由蚀刻而生成的生成物。

公开(公告)号：CN1574337A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410048052.2

申请日：2004-06-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 依田孝 ,  尾本诚一 ,  金子尚史 ,  江泽弘和

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76868 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种半导体器件，包括：多孔膜，形成于半导体衬底上，所述多孔膜具有从沟槽和孔中选择的至少一个掩埋凹槽；导电阻挡层，形成于掩埋凹槽的内表面上；导电部分，掩埋于掩埋凹槽中，在多孔膜和导电部分之间间隔有导电阻挡层；以及混合层，形成于多孔膜和导电阻挡层之间并含有多孔膜的成分和导电阻挡层的成分。

公开(公告)号：CN1375871A

公开(公告)日：2002-10-23

申请号：CN02118069.5

申请日：2002-03-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 丰田启 ,  中尾光博 ,  莲沼正彦 ,  金子尚史 ,  坂田敦子 ,  小向敏章

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76888 ,  H01L22/32 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05605 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05613 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/0562 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/45105 ,  H01L2224/45109 ,  H01L2224/45111 ,  H01L2224/45113 ,  H01L2224/45116 ,  H01L2224/4512 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4807 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48505 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48616 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48711 ,  H01L2224/48716 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/48805 ,  H01L2224/48811 ,  H01L2224/48813 ,  H01L2224/48816 ,  H01L2224/4882 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/85375 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48713 ,  H01L2224/48705 ,  H01L2224/4872 ,  H01L2224/48605 ,  H01L2224/48613 ,  H01L2224/4862 ,  H01L2924/00015

Abstract: 提供一种具有在半导体衬底上形成的铜布线层,与上述铜布线层导通并包含铜和比铜更易氧化的金属的合金层形成至底面的焊盘电极层和备有到达上述焊盘电极层的开口部的绝缘性保护膜的半导体器件。

公开(公告)号：CN100414684C

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200610003051.5

申请日：2006-01-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 本多亮 ,  艾原香里 ,  村上和博 ,  沼野正训 ,  永松贵人 ,  原川秀明 ,  松山日出人 ,  江泽弘和 ,  金子尚史

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76814

Abstract: 通过对形成于导电层上的绝缘膜进行干蚀刻，在上述绝缘膜上形成使上述导电层露出的连接孔。通过对露出的上述导电层上提供等离子体，对形成于上述连接孔内的损伤层进行干洗涤。通过湿处理除去由于干洗涤而在上述连接孔内生成的生成物。通过使用包含NF3、HF的任一种气体的干处理，对由于上述湿处理而在上述连接孔内形成的氧化膜进行蚀刻。通过热处理除去由蚀刻而生成的生成物。