公开(公告)号：CN119875515A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202411919959.5

申请日：2019-01-04

Applicant: CMC材料有限责任公司

Inventor： K·P·多克里 ,  P·K·辛格 ,  S·格鲁姆宾 ,  K·朗

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/321 ,  B24B37/04

Abstract: 本发明提供化学机械抛光组合物，包含：a)经表面改性的胶体氧化硅颗粒，该颗粒的表面上包含带负电荷的基团，其中该经表面改性的胶体氧化硅颗粒具有负电荷、约90nm至约350nm的粒径及在约3的pH下约‑5mV至约‑35mV的ζ电位，b)铁化合物，c)稳定剂，d)腐蚀抑制剂，及e)水性载剂。本发明还提供适用于抛光基板的方法。

公开(公告)号：CN115605447B

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202180037985.3

申请日：2021-05-18

Applicant: 法国圣戈班玻璃厂

Inventor： Y·布朗斯坦 ,  T·考夫曼 ,  X·凯雷特 ,  E-M·佩林 ,  J·贝乌铁尔

IPC: C03C17/36 ,  G01N21/88 ,  G05B19/418 ,  B32B17/00 ,  C03C1/00 ,  G01N21/84 ,  G05B19/18 ,  H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  H01L21/302 ,  H01L21/321 ,  H01L21/46 ,  H01L21/475 ,  H01L21/4763

Abstract: 本发明涉及用于估计透明基材上的给定层状覆盖物的至少一个质量功能的计算机实施方法。更确切地说，描述了一种方法，该方法允许从过程中测量的质量功能预测透明基材上的给定层状覆盖物的至少一个非过程中测量的质量功能，所述过程中测量的质量功能可以是在任何位置、优选地在涂覆过程结束时在所沉积的已涂覆的基材上获取的。本发明相对于现有技术的反馈方法的突出优点在于，它可以允许摆脱对已涂覆的透明基材的质量功能的过程中实时持续测量和对涂覆过程参数的实时监控。

公开(公告)号：CN119592229A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411714803.3

申请日：2024-11-27

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 杭弢 ,  常鹏飞 ,  陈宇龙 ,  吕诺 ,  陈益凡

IPC: C09G1/02 ,  C23F3/04 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明提供了一种铜钴互连结构的化学机械抛光液以及铜钴化学机械抛光过程中动态电偶腐蚀调控方法，本发明基于动态电化学装置调控铜钴在抛光过程中的动态电偶腐蚀，进而开发出适合铜钴互连结构的化学机械抛光液，所述抛光液按照质量浓度计算包括研磨剂0.5‑10％、氧化剂0.1‑10％、络合剂0.5‑5％和抑制剂0.1‑5.0％，其中所述络合剂为甲基甘氨酸二乙酸或其钠盐，所述抑制剂为松香酸或其衍生物，实现抑制铜钴抛光过程中的动态电偶腐蚀，同时实现了铜钴两种材料的同步抛光。

公开(公告)号：CN119570371A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411654483.7

申请日：2024-11-19

Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司

Inventor： 王瑞芹 ,  王永东

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/321 ,  C23F3/06

Abstract: 本发明公开了一种钨化学机械抛光液及其应用，所述钨抛光液包括二氧化硅磨料、硝酸铁、氧化剂、稳定剂、表面活性剂和水，其中，本发明中表面活性剂为非离子表面活性剂，且该表面活性剂被氨基羧酸衍生化。本发明的钨化学机械抛光液，可改善钨抛光过程中的侵蚀问题，提高抛光表面质量。

公开(公告)号：CN119517743A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202311082655.3

申请日：2023-08-25

Applicant: 青岛澳柯玛云联信息技术有限公司

Inventor： 请求不公布姓名 ,  请求不公布姓名

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/66 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种金属填充沟槽结构及其制备方法，通过在第一、第二金属层之间设置绝缘膜层，在采用涡电流传感器对金属填充沟槽进行CMP工艺过程中，先对第二金属层进行研磨，由于绝缘膜层的绝缘作用，可以屏蔽沟槽中第一金属层产生的涡轮电流噪声，提高对第二金属层研磨的Endpoint终点抓取准确性；同时，尤其在对晶圆表面的第一金属层进行研磨时，同样由于绝缘膜层的绝缘作用，且使绝缘膜层在沟槽区域的最低点位于沟槽顶部‑500nm～500nm的位置处，可有效屏蔽沟槽中的第一金属层产生的涡轮电流噪声对晶圆表面第一金属层研磨时涡轮电流的影响，提高Endpoint终点抓取准确性；再者，可整体改善涡轮电流信号，增强自动调整晶圆表面均匀性的CLC和RTPC功能。

公开(公告)号：CN119361431A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411522427.8

申请日：2024-10-29

Applicant: 中国电子科技集团公司第四十八研究所

Inventor： 何霄 ,  朱勇波 ,  陈章隆 ,  陈龙 ,  肖晓雨 ,  李苹

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/321 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明公开了一种原子级精度的刀口的制备方法，包括以下步骤：提供SOI晶圆；对SOI晶圆表面进行清洗，对顶硅表面进行晶向标定，确定顶硅的111晶向，在SOI晶圆表面制备导电金属膜，光刻和刻蚀，使SOI晶圆的正面和背面的导电金属膜形成目标图形对应的窗口，对SOI晶圆进行湿法刻蚀，形成目标截面，去除SOI晶圆的氧化硅层，完成刀口的制备。本发明制备的刀口，边缘不同区域锋利程度一致，顶部形成有90±0.1°的侧壁，能够彻底阻止电子束透射，且直接能够在两个方向上实现高精度的切割，同时还有一轮工艺多片产出的优点，适合于大规模生产，便于工业化应用，对于电子束束斑的评测和电子束微纳加工能力具有重要意义。

公开(公告)号：CN119264816A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202310809308.X

申请日：2023-07-04

Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 ,  万华化学集团股份有限公司

Inventor： 李国庆 ,  卞鹏程 ,  朱林君 ,  卫旻嵩

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/321 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种适用于集成电路铜互连结构化学机械抛光的抛光组合物及其应用，所述化学机械抛光组合物包括研磨粒子、氧化剂、络合剂、腐蚀抑制剂、星形聚乙二醇聚合物、pH调节剂、任选的非离子聚合物和去离子水。本发明的抛光组合物中所述星形聚乙二醇聚合物，可以作用于被抛光的材料表面，减小金属互连结构的抛光凹陷，改善被抛光表面的片内非均匀性。

公开(公告)号：CN119162539A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411078877.2

申请日：2024-08-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖俊彦 ,  李易 ,  张淑兰 ,  林圣轩 ,  张峰瑜 ,  林威戎 ,  蔡纯怡 ,  纪志坚 ,  蔡明兴 ,  张珮珊 ,  张志维

IPC: C23C14/14 ,  C23C16/04 ,  C23C16/06 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321 ,  H01L21/67

Abstract: 一种混合还原物理气相沉积法及物理气相沉积设备，方法包含将晶圆定位在物理气相沉积设备的静电吸盘上，且晶圆包含暴露出导电特征的开口。设定晶圆的温度为室温。通过物理气相沉积设备在开口处沉积钨薄膜，且钨薄膜包含位于从开口暴露的导电特征的上表面上的底部、位于开口延伸穿过的介电层的上表面的顶部、以及位于开口暴露出的介电层的侧壁上的侧壁部分。移除开口上方钨薄膜的顶部和侧壁部分。通过化学气相沉积操作选择性地沉积钨，且在开口中的底部上沉积钨栓塞。

公开(公告)号：CN119153334A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411639399.8

申请日：2024-11-18

Applicant: 珠海镓未来科技有限公司

Inventor： 郭超凡 ,  张铭宏 ,  王中党

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/321 ,  H01L21/28 ,  H01L29/45 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明提供一种具有欧姆金属隔离层的半导体器件及其制作方法。制作方法包括步骤：提供一氮化镓衬底，并沉积第一介质层；沉积扩散阻挡层；制备欧姆接触孔；沉积欧姆金属层，并对所述欧姆金属层进行退火处理；沉积氮化钛金属层；制备欧姆电极；沉积介质叠层；制备栅极区域以及场板区域；制备栅极金属和栅极场板；沉积绝缘层；制备栅极、源极和漏极的接触孔；沉积金属层，制备栅极、源极和漏极。在对欧姆金属层上沉积氮化钛金属层之前进行退火处理，使得氮化钛金属层与欧姆金属层不会同时进行退火，有效解决欧姆接触电阻变差的问题；扩散阻挡层可阻止欧姆金属在退火过程中向第一介质层扩散，有效提高芯片可靠性，利于实现更小的器件尺寸。

公开(公告)号：CN119153328A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202310675173.2

申请日：2023-06-07

Applicant: 长鑫存储技术有限公司

Inventor： 盛薄辉

IPC: H01L21/321 ,  C01G41/02 ,  C01G23/047 ,  C01G51/04 ,  C01G3/02 ,  C01G35/00 ,  C01G30/00 ,  C01G19/02 ,  C01G15/00 ,  C01F7/02 ,  C01F7/42 ,  C01F7/426

Abstract: 本公开提供一种半导体结构的制作方法，涉及半导体术领域，半导体结构的制作方法在采用研磨浆研磨半导体结构的过程中，向研磨浆中加入多孔基体，在研磨过程中产生的氧化物颗粒锚定在多孔基体的表面上，多孔基体负载氧化物颗粒形成保护材料，保护材料保护氧化物颗粒避免氧化物颗粒被研磨去除，以降低半导体结构被氧化的速率，减轻在半导体结构的表面形成的氧化物侵蚀缺陷，同时保护材料附着在半导体结构的表面，降低研磨浆研磨半导体结构的研磨速率，减轻研磨速率过快在半导体结构的表面形成的蝶形缺陷，提高研磨后的半导体结构的表面的均一性，提高半导体结构的品质和良率。