公开(公告)号：CN103946975B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280050854.X

申请日：2012-10-25

Applicant: 国际商业机器公司 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： M·布林克 ,  R·L·布鲁斯 ,  S·U·恩格尔曼 ,  N·C·M·富勒 ,  宫副裕之 ,  中村昌洋

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在衬底上形成自下而上包括含氮电介质层、互连层面电介质材料层和硬掩模层的叠层。通过蚀刻图形化所述硬掩模层和互连层面电介质材料层。采用图形化的硬掩模材料作为蚀刻掩模，通过穿透性的各向异性蚀刻图形化所述含氮电介质层，该各向异性蚀刻使用含氟代烃的等离子体穿透所述含氮电介质层。用于产生所述含氟代烃的等离子体的氟代烃气体产生富碳的聚合物残留物，该残留物与所述含氮电介质层反应以形成挥发性化合物。等离子体能量可以被降低到100eV以下，从而减少了对互连层面电介质材料层的物理暴露表面的损伤。

公开(公告)号：CN105609465A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201510769864.4

申请日：2015-11-12

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： G·布谢 ,  A·C·魏 ,  S·拉格休恩萨桑

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种自对准过孔流程。其中，一种方法包括形成第一介电层，该第一介电层具有至少一个导电特征嵌入其中。形成嵌入设于该第一介电层上方的第二介电层中的多条第一导线。该多条第一导线中的一条第一导线接触该导电特征。利用第一蚀刻掩膜蚀刻该第一导线，以在该第一导线中定义导电过孔部分以及凹入线部。形成嵌入设于该第二介电层上方的第三介电层中的多条第二导线。该多条第二导线中的一条第二导线接触该导电过孔部分，且该第三介电层直接接触该第二介电层。

公开(公告)号：CN104752399A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410848151.2

申请日：2014-12-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡政勋 ,  李忠儒 ,  陈海清 ,  包天一 ,  眭晓林

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53204 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了互连结构和形成互连结构的方法。互连结构包括位于衬底上方的低k(LK)介电层；位于LK介电层中的第一导电部件和第二导电部件；沿着第一导电部件的第一侧壁的第一间隔件；沿着第二导电部件的第二侧壁的第二间隔件，其中，第二导电部件的第二侧壁面向第一导电部件的第一侧壁；位于第一间隔件和第二间隔件之间的气隙；以及位于第一导电部件上方的第三导电部件，其中，第三导电部件连接至第一导电部件。

公开(公告)号：CN104593747A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201410712726.8

申请日：2009-11-25

Applicant: 气体产品与化学公司

Inventor： L·M·马茨 ,  R·N·弗蒂斯 ,  M·L·奥尼尔 ,  D·西纳托雷

IPC: C23C16/32

CPC classification number: C23C16/32 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835

Abstract: 本发明提供了用于沉积具有改善的屏障介电性能(包括较低的介电常数和优越的电气性能)的介电阻挡薄膜的方法，所述介电阻挡薄膜包括具有硅、碳、氧和氢的前体。这一方法对用于互连结构的金属镶嵌或双重金属镶嵌集成中或用于其他介电阻挡应用中的屏障层是重要的。在这个例子中，注意改善屏障性能的特定结构特性。

公开(公告)号：CN102232125B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN200980148388.7

申请日：2009-11-25

Applicant: 气体产品与化学公司

Inventor： L·M·马茨 ,  R·N·弗蒂斯 ,  M·L·奥尼尔 ,  D·西纳托雷

IPC: C23C16/32

CPC classification number: C23C16/32 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835

Abstract: 本发明提供了用于沉积具有改善的屏障介电性能(包括较低的介电常数和优越的电气性能)的介电阻挡薄膜的方法，所述介电阻挡薄膜包括具有硅、碳、氧和氢的前体。这一方法对用于互连结构的金属镶嵌或双重金属镶嵌集成中或用于其他介电阻挡应用中的屏障层是重要的。在这个例子中，注意改善屏障性能的特定结构特性。

公开(公告)号：CN102208360A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110075856.1

申请日：2011-03-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 米仓和贤 ,  富田和朗

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76835 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供半导体器件的制造方法，它能够精确控制布线沟槽图案的深度，并且能够抑制对布线沟槽图案的损坏。在扩散阻止膜之上依次叠置第二低介电常数膜、第三低介电常数膜和用作掩膜层的膜。蚀刻用作掩膜层的膜，并且形成其底部由第三低介电常数膜的表面制成的布线沟槽图案。通过灰化去除第一抗蚀剂掩膜。使用掩膜层的布线沟槽图案形成布线沟槽，从而使沟槽的底部由第二低介电常数膜构成。通过CMP方法去除从铜金属的顶部表面到第三低介电常数膜的层。每一个低介电常数膜的介电常数都低于FSG的介电常数，并且第二低介电常数膜的介电常数低于第三低介电常数膜的介电常数。

公开(公告)号：CN102148217A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201010621871.7

申请日：2006-06-20

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/498 ,  H01L21/768 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L23/49894 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种低介电常数且不会产生CFx、SiF4等气体的、稳定的半导体装置的层间绝缘膜和具备该层间绝缘膜的布线结构。在具备形成在基底层上的绝缘膜的层间绝缘膜中，所述层间绝缘膜的有效介电常数为3以下。布线结构具备层间绝缘膜和形成在层间绝缘膜上的接触孔以及被填充在所述接触孔内的金属。所述绝缘膜具备形成在所述基底层上表面被氮化的碳氟膜。

公开(公告)号：CN101573787B

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200780049242.8

申请日：2007-12-31

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 罗埃尔·达门 ,  罗伯图斯·A·M·沃尔特斯 ,  马蒂纳斯·P·M·玛斯 ,  帕斯卡尔·班肯 ,  朱利恩·M·M·米舍隆

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76867 ,  H01L2221/1031

Abstract: 描述了采用铜填充工艺来填充沟槽(12)的镶嵌工艺。铜填充(20)开始于包括铜和钛的沉积种子层(52)。在铜填充工艺中，一些钛迁移至表面。在氮气环境下对该结构进行退火，这在铜填充(20)的表面上产生自对准的TiN阻挡(24)。可以在同一退火工艺中产生空气间隙(26)。该工艺可以被用来形成多层结构。

公开(公告)号：CN101217136B

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：CN200810001917.8

申请日：2004-05-28

Applicant: 日本电气株式会社 ,  瑞萨电子株式会社

Inventor： 多田宗弘 ,  林喜宏 ,  原田惠充 ,  伊藤文则 ,  大竹浩人 ,  宇佐美达矢

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种布线结构及其制造方法，在形成有半导体元件的基板上层叠金属布线来实现半导体元件的连接的多层布线结构中，在多孔绝缘膜内形成细微的金属布线时，不会产生泄漏电流而损坏邻接的布线间的绝缘性，邻接的布线间的绝缘耐性不会劣化。在形成有半导体元件的基板上的金属布线结构中，在层间绝缘膜和金属布线之间形成含有有机物的绝缘性阻挡层(413)。该绝缘性阻挡层可以降低邻接的布线间的泄漏电流，提高绝缘可靠性。

公开(公告)号：CN101971322A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980103650.6

申请日：2009-01-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川拓

IPC: H01L21/768 ,  C23C16/26 ,  H01L21/312 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/3146 ,  C23C16/26 ,  C23C16/56 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76835 ,  H01L2221/1036

Abstract: 【课题】置换非晶碳氢膜最外侧表面的官能基。【解决手段】在覆盖有Low-k膜(105)的硅衬底(Sub)上形成非晶碳氢膜(110)。接下来，对非晶碳氢膜(110)进行非硅烷气体气氛中的加热处理。接下来，对刚进行了该加热处理之后的非晶碳氢膜(110)进行在硅烷气体气氛中的加热处理。在该加热处理之后，形成硬掩模等的膜(115)。