公开(公告)号：CN1343006A

公开(公告)日：2002-04-03

申请号：CN01132599.2

申请日：2001-09-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 池上浩 ,  中田錬平 ,  依田孝 ,  早坂伸夫 ,  久恒善美

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76838 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  Y10S438/959 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/00014

Abstract: 提供一种半导体装置,具有半导体基板和在该半导体基板上的导电层,所述导电层含有铜,所述导电层的表面区域具有C－H和C－C键中的至少一种,所述表面区域中的形成C－H键的C原子和形成C－C键的C原子的总量占所述表面区域中的元素总量为30%以上。

公开(公告)号：CN1421903A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN02153589.2

申请日：2002-11-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中村賢朗 ,  宫下直人 ,  依田孝 ,  奥村勝弥

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/304 ,  B24B9/065 ,  B24B21/002 ,  B24B21/06 ,  H01L21/321 ,  Y10S134/902

Abstract: 在半导体装置的制造时，在基片的表面上形成元件的一部分，利用研磨体研磨上述基片的至少周边部分，该研磨体被从上述周边部分向上述基片面内方向撑开设置，使得研磨面与上述周边部分的被研磨表面滑动接触。

公开(公告)号：CN1702827A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510078832.6

申请日：2005-05-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 池上浩 ,  金子尚史 ,  羽多野正亮 ,  山下创一 ,  依田孝 ,  关根诚

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/76862 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76873

Abstract: 根据本发明一个方面的半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成Cu的籽晶膜；多晶化在衬底上形成的籽晶膜；以及通过电解电镀在多晶化的籽晶膜上形成Cu的电镀膜。

公开(公告)号：CN1222985C

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN02153589.2

申请日：2002-11-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中村賢朗 ,  宫下直人 ,  依田孝 ,  奥村勝弥

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/304 ,  B24B9/065 ,  B24B21/002 ,  B24B21/06 ,  H01L21/321 ,  Y10S134/902

Abstract: 在半导体装置的制造时，在基片的表面上形成元件的一部分，利用研磨体研磨上述基片的至少周边部分，该研磨体被从上述周边部分向上述基片面内方向撑开设置，使得研磨面与上述周边部分的被研磨表面滑动接触。

公开(公告)号：CN101150114A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200710180904.7

申请日：2001-09-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 池上浩 ,  中田錬平 ,  依田孝 ,  早坂伸夫 ,  久恒善美

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体装置，具有半导体基板和在该半导体基板上的导电层，所述导电层含有铜，所述导电层的表面区域具有C－H键和C－C键中的至少一种，所述表面区域中的形成C－H键的C原子和形成C－C键的C原子的总量占所述表面区域中的元素总量为30％以上。

公开(公告)号：CN100364045C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200510078832.6

申请日：2005-05-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 池上浩 ,  金子尚史 ,  羽多野正亮 ,  山下创一 ,  依田孝 ,  关根诚

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/76862 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76873

Abstract: 根据本发明一个方面的半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成Cu的籽晶膜；多晶化在衬底上形成的籽晶膜；以及通过电解电镀在多晶化的籽晶膜上形成Cu的电镀膜。

公开(公告)号：CN1490874A

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN03160084.0

申请日：2003-09-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松尾美惠 ,  依田孝

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/5382 ,  H01L23/544 ,  H01L25/0657 ,  H01L2223/5444 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明是将规定的半导体集成电路芯片和至少1个以上半导体集成电路芯片叠层的叠层式半导体器件，所述至少1个以上的半导体集成电路芯片包括由多个电路块构成的组，所述规定的半导体集成电路芯片具备所述组中包括不合格电路块的场合存储表示该不合格电路块的不合格信息的存储部，和置换所述不合格电路块的置换电路部。

公开(公告)号：CN100416817C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN01132599.2

申请日：2001-09-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 池上浩 ,  中田錬平 ,  依田孝 ,  早坂伸夫 ,  久恒善美

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76838 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  Y10S438/959 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/00014

Abstract: 提供一种半导体装置，具有半导体基板和在该半导体基板上的导电层，所述导电层含有铜，所述导电层的表面区域具有C-H键和C-C键中的至少一种，所述表面区域中的形成C-H键的C原子和形成C-C键的C原子的总量占所述表面区域中的元素总量为30%以上。

公开(公告)号：CN1574337A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410048052.2

申请日：2004-06-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 依田孝 ,  尾本诚一 ,  金子尚史 ,  江泽弘和

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76868 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种半导体器件，包括：多孔膜，形成于半导体衬底上，所述多孔膜具有从沟槽和孔中选择的至少一个掩埋凹槽；导电阻挡层，形成于掩埋凹槽的内表面上；导电部分，掩埋于掩埋凹槽中，在多孔膜和导电部分之间间隔有导电阻挡层；以及混合层，形成于多孔膜和导电阻挡层之间并含有多孔膜的成分和导电阻挡层的成分。