公开(公告)号：CN101425525A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810173822.4

申请日：2008-10-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大塚真理 ,  上条浩幸 ,  原川秀明

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/14625 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。该半导体器件具有：包括光接收元件的半导体衬底、在该半导体衬底上形成的氧化硅膜、在该氧化硅膜上形成的多个布线层间膜、以及在最上层布线层间膜上形成的其中Si－H浓度小于N－H浓度的硅氮化物膜，其中该多个布线层间膜中的每一个都包括作为掩埋铜的结果而形成的布线层。

公开(公告)号：CN100414684C

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200610003051.5

申请日：2006-01-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 本多亮 ,  艾原香里 ,  村上和博 ,  沼野正训 ,  永松贵人 ,  原川秀明 ,  松山日出人 ,  江泽弘和 ,  金子尚史

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76814

Abstract: 通过对形成于导电层上的绝缘膜进行干蚀刻，在上述绝缘膜上形成使上述导电层露出的连接孔。通过对露出的上述导电层上提供等离子体，对形成于上述连接孔内的损伤层进行干洗涤。通过湿处理除去由于干洗涤而在上述连接孔内生成的生成物。通过使用包含NF3、HF的任一种气体的干处理，对由于上述湿处理而在上述连接孔内形成的氧化膜进行蚀刻。通过热处理除去由蚀刻而生成的生成物。

公开(公告)号：CN101425525B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200810173822.4

申请日：2008-10-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大塚真理 ,  上条浩幸 ,  原川秀明

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/14625 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。该半导体器件具有：包括光接收元件的半导体衬底、在该半导体衬底上形成的氧化硅膜、在该氧化硅膜上形成的多个布线层间膜、以及在最上层布线层间膜上形成的其中Si-H浓度小于N-H浓度的硅氮化物膜，其中该多个布线层间膜中的每一个都包括作为掩埋铜的结果而形成的布线层。

公开(公告)号：CN1819140A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610003051.5

申请日：2006-01-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 本多亮 ,  艾原香里 ,  村上和博 ,  沼野正训 ,  永松贵人 ,  原川秀明 ,  松山日出人 ,  江泽弘和 ,  金子尚史

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76814

Abstract: 通过对形成于导电层上的绝缘膜进行干蚀刻，在上述绝缘膜上形成使上述导电层露出的连接孔。通过对露出的上述导电层上提供等离子体，对形成于上述连接孔内的损伤层进行干洗涤。通过湿处理除去由于干洗涤而在上述连接孔内生成的生成物。通过使用包含NF3、HF的任一种气体的干处理，对由于上述湿处理而在上述连接孔内形成的氧化膜进行蚀刻。通过热处理除去由蚀刻而生成的生成物。