公开(公告)号：CN1606149A

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN200410089959.3

申请日：2004-10-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大村光广 ,  片野真希子 ,  伊藤彰子 ,  松下贵哉 ,  金子尚史

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/306 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76838 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/31116

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括：利用碳氟化合物气体对半导体晶片进行干蚀刻，该半导体晶片包括形成于半导体衬底上并被绝缘膜覆盖的铜层，以便部分除去该绝缘膜，从而至少局部暴露该铜层的表面。对至少局部暴露其表面的铜层进行氮等离子体处理。将具有氮等离子体处理的铜层的半导体晶片暴露于大气中，并接着对该半导体晶片进行表面处理。

公开(公告)号：CN1316594C

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200410089959.3

申请日：2004-10-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大村光广 ,  片野真希子 ,  伊藤彰子 ,  松下贵哉 ,  金子尚史

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/306 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76838 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/31116

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括：利用碳氟化合物气体对半导体晶片进行干蚀刻，该半导体晶片包括形成于半导体衬底上并被绝缘膜覆盖的铜层，以便部分除去该绝缘膜，从而至少局部暴露该铜层的表面。对至少局部暴露其表面的铜层进行氮等离子体处理。将具有氮等离子体处理的铜层的半导体晶片暴露于大气中，并接着对该半导体晶片进行表面处理。

公开(公告)号：CN1469467A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN03137177.9

申请日：2003-06-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大村光广 ,  佐藤文夫

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5258 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开一种半导体器件，包括：半导体基板；在所述的半导体基板上形成在同一平面的第一金属布线和熔丝；在所述第一金属布线和所述熔丝上形成的第一绝缘膜，所述的第一绝缘膜具有到达所述第一金属布线的第一焊盘开口；至少在所述的第一焊盘开口内形成的第二金属布线，所述的第二金属布线不在所述的熔丝上延伸；在所述的第一绝缘膜和所述的第二金属布线上形成的停止层膜；以及在所述的停止层膜上形成的第二绝缘膜，其中通过除去所述的第二绝缘膜和所述的停止层膜形成第二焊盘开口，以露出所述的第二金属布线。通过除去所述的第二绝缘膜和所述的停止层膜以及通过不完全地除去所述的第一绝缘膜至少在所述的熔丝上形成熔丝开口。

公开(公告)号：CN1275324C

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN03137177.9

申请日：2003-06-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大村光广 ,  佐藤文夫

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5258 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开一种半导体器件，包括：半导体基板；在所述的半导体基板上形成在同一平面的第一金属布线和熔丝；在所述第一金属布线和所述熔丝上形成的第一绝缘膜，所述的第一绝缘膜具有到达所述第一金属布线的第一焊盘开口；至少在所述的第一焊盘开口内形成的第二金属布线，所述的第二金属布线不在所述的熔丝上延伸；在所述的第一绝缘膜和所述的第二金属布线上形成的停止层膜；以及在所述的停止层膜上形成的第二绝缘膜，其中通过除去所述的第二绝缘膜和所述的停止层膜形成第二焊盘开口，以露出所述的第二金属布线。通过除去所述的第二绝缘膜和所述的停止层膜以及通过不完全地除去所述的第一绝缘膜至少在所述的熔丝上形成熔丝开口。