Patent search cpc:"H01L2924/01049" Page 3

21.

发明授权
组装后平面化的微电子元件有权

公开(公告)号：CN103222353B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201080069190.2

申请日：2010-10-15

Applicant: 德塞拉股份有限公司

Inventor： 瓦格·奥甘赛安 , 贝勒卡西姆·哈巴 , 克雷格·米切尔 , 伊利亚斯·默罕默德 , 皮尤什·萨瓦利亚

IPC: H05K5/00

CPC classification number: H01L21/76819 , H01L21/76877 , H01L23/13 , H01L23/3128 , H01L23/49827 , H01L23/4985 , H01L23/5389 , H01L24/18 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/82 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L25/117 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/24227 , H01L2224/24247 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/82 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/1023 , H01L2225/1029 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1052 , H01L2225/1058 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01061 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/07811 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/15156 , H01L2924/15165 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/15331 , H01L2924/157 , H01L2924/15788 , H01L2924/18161 , Y10T29/49002 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2224/83

Abstract: 微电子单元（10）包括具有正面（31）、远离正面的背面（32）、及具有在正面的开口及位于载体结构正面下方的内表面（41）的凹陷（40）的载体结构（30）。微电子单元（10）可包括具有邻近内表面（41）的底面（22）、远离底面的顶面（21）、及在顶面上的复数个触点（23）的微电子元件（20）。微电子元件（20）可包括与微电子元件的触点（23）电连接的端子（24）。微电子单元（10）可包括介电区域（70），至少与微电子元件（20）的顶面（21）接触。介电区域（70）可具有平坦表面（71），与载体结构（30）的正面（31）共面，或高于载体结构的正面。端子（24）可暴露在介电区域（70）的表面（71），以与外部元件互连。

22.

发明授权
围绕凸块形成区形成具有多层UBM的凸块结构的半导体器件和方法有权转让

公开(公告)号：CN102130101B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201010587089.8

申请日：2010-12-01

Applicant: 新科金朋有限公司

Inventor： 林耀剑 , 方建敏 , 陈康

IPC: H01L25/00 , H01L27/02 , H01L23/528 , H01L23/498 , H01L23/00 , H01L21/768 , H01L21/60 , H01L21/50 , H01L21/98

CPC classification number: H01L24/03 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L23/3185 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L2224/0231 , H01L2224/0233 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05082 , H01L2224/05111 , H01L2224/05155 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/1411 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83805 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15174 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2224/03 , H01L2924/00 , H01L2924/0665 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

Abstract: 一种具有在其有效表面上形成的第一导电层的半导体晶圆。在所述基片和所述第一导电层上形成第一绝缘层。在所述第一导电层和所述第一绝缘层上形成第二导电层。在所述第二导电层上围绕凸块形成区形成UBM层。所述UBM层可以是两层堆叠的金属层或三层堆叠的金属层。所述第二导电层被暴露在所述凸块形成区中。在所述UBM层和所述第二导电层上形成第二绝缘层。在所述凸块形成区和所述UBM层的一部分上去除所述第二绝缘层的一部分。在所述凸块形成区中的所述第二导电层上形成凸块。所述凸块接触所述UBM层以密封所述凸块和所述第二导电层之间的接触界面。

23.

发明公开
Cu芯球、焊膏、成形焊料、Cu芯柱和钎焊接头有权

公开(公告)号：CN105873716A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201480072248.7

申请日：2014-11-04

Applicant: 千住金属工业株式会社

Inventor： 服部贵洋 , 相马大辅 , 六本木贵弘 , 佐藤勇

IPC: B23K35/14 , B22F1/00 , B22F1/02 , B23K35/22 , B23K35/26 , C22C13/00 , H01L21/60 , C22F1/00 , C22F1/08

CPC classification number: B23K35/302 , B22F1/00 , B22F1/0048 , B22F1/025 , B23K35/0222 , B23K35/025 , B23K35/22 , B23K35/26 , B23K35/262 , C22C1/0483 , C22C9/00 , C22C13/00 , C23C28/021 , C25D3/60 , C25D7/00 , H01L23/556 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05647 , H01L2224/11825 , H01L2224/13012 , H01L2224/13013 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13017 , H01L2224/13147 , H01L2224/13294 , H01L2224/13311 , H01L2224/13347 , H01L2224/13411 , H01L2224/13455 , H01L2224/13457 , H01L2224/13561 , H01L2224/13611 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/81024 , H01L2224/81048 , H01L2224/81075 , H01L2224/81211 , H01L2224/81395 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2924/15311 , H01L2924/351 , H05K3/3463 , H05K2201/0218 , H01L2924/01029 , H01L2924/00014 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01083 , H01L2924/0103 , H01L2924/01026 , H01L2924/01013 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01048 , H01L2924/01028 , H01L2924/01082 , H01L2924/01044 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01092 , H01L2924/0109 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/00012 , H01L2924/013

Abstract: 本发明提供能得到落下强度和针对热循环的强度的Cu芯球、Cu芯柱。Cu芯球(1)具备：由Cu或Cu合金构成的Cu球(2)；和由含有Sn和Cu的软钎料合金构成且覆盖Cu球(2)的焊料层(3)，焊料层(3)含有0.1％以上且3.0％以下的Cu，余量由Sn和杂质构成。

24.

发明授权
半导体接合结构体和半导体接合结构体的制造方法失效转让

公开(公告)号：CN103155127B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201180049406.3

申请日：2011-10-17

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 中村太一 , 古泽彰男 , 酒谷茂昭 , 北浦秀敏 , 石丸幸宏

IPC: H01L21/52 , B23K1/00 , H05K3/34 , B23K35/26 , C22C13/00

CPC classification number: H01L24/30 , B22F2999/00 , B23K1/0016 , B23K35/0238 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/3006 , B23K35/3013 , B23K35/302 , B23K2101/40 , B32B15/018 , C22C1/0483 , C22C5/02 , C22C5/06 , C22C9/00 , C22C9/02 , C22C13/00 , H01L21/563 , H01L23/4827 , H01L23/562 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05147 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/2733 , H01L2224/29 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/32245 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83 , H01L2224/83065 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/8381 , H01L2224/83815 , H01L2924/00015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , B22F1/0003 , H01L2924/0105 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01047 , H01L2924/01083 , H01L2924/01049 , H01L2924/01028 , H01L2224/45099

Abstract: 提供一种具有优异的应力缓和性，同时具有耐热性的半导体接合结构体，它是通过焊锡材料将半导体元件(102)和电极(103)接合而成的接合结构体。接合部分(212)具有形成在电极侧的第一金属互化物层(207‘)、形成在半导体元件侧的第二金属互化物层(208‘)以及被第一金属互化物层(207‘)和第二金属互化物层(208‘)的二层夹在中间的由含有Sn的相(210)和棒状金属互化物部(209‘)构成的第三层(300)，棒状金属互化物部(209‘)与第一金属互化物层(207‘)和第二金属互化物层(208‘)的两者层间接合。

25.

发明授权
凸起结构、半导体封装件及其制造方法有权

公开(公告)号：CN102468264B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201110374827.5

申请日：2011-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任允赫 , 金钟延 , 赵泰济 , 姜芸炳

IPC: H01L23/498 , H01L21/48

CPC classification number: H01L24/81 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/05572 , H01L2224/06181 , H01L2224/11001 , H01L2224/13025 , H01L2224/13075 , H01L2224/13099 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2225/06568 , H01L2924/0001 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2224/05552 , H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种包括第一凸起和第二凸起的凸起结构、一种包括该凸起结构的半导体封装件和一种制造该半导体封装件的方法。所述凸起结构包括：第一凸起，设置在基底的连接焊盘上，所述第一凸起包括从所述连接焊盘延伸的多条纳米线和连接所述多条纳米线的端部的主体；第二凸起，设置在所述第一凸起的所述主体上。

26.

发明授权
基板上的凸块结构与其形成方法有权复审申请

公开(公告)号：CN102347298B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201010569645.9

申请日：2010-11-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑明达 , 吕文雄 , 林志伟 , 陈静雯 , 吴逸文 , 张家栋 , 何明哲 , 刘重希

IPC: H01L23/485 , H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/0345 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05027 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05186 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/10145 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/11827 , H01L2224/13006 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13647 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16507 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01073 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/3651 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/05 , H01L2924/00012 , H01L2924/01083 , H01L2924/00 , H01L2224/05552

Abstract: 本发明公开了一种基板上的凸块结构与其形成方法，可解决基板上导电层与连接至导电层的金属凸块两者界面的分层问题。导电层可为金属垫或顶金属层。经由临场沉积导电保护层于导电层(或导电底层上)，金属凸块的凸块下冶金层与导电层之间具有良好粘着力，并可减少界面分层。在某些实施例中，可省略凸块下冶金层中的铜扩散阻挡层。在某些实施例中，若金属凸块结构的沉积方法为非电镀工艺且金属凸块的组成不是铜，则可省略凸块下金属层。

27.

发明授权
粘接剂组合物、膜状粘接剂和电路部件的连接结构有权复审申请

公开(公告)号：CN101688099B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN200880024283.6

申请日：2008-07-29

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 伊泽弘行 , 白坂敏明 , 加藤木茂树 , 工藤直 , 富泽惠子

IPC: C09J133/08 , C09J4/00 , C09J7/00 , C09J9/02 , C09J151/04 , C09J183/10 , H01B1/22 , H01L21/60 , H05K1/14 , H05K3/32

CPC classification number: H05K3/323 , C08G77/442 , C08L83/00 , C09J133/04 , C09J183/10 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29393 , H01L2224/32225 , H01L2224/83851 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01084 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/07811 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/10336 , H01L2924/10349 , H01L2924/19042 , H05K2201/0212 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299

Abstract: 本发明提供粘接剂组合物、膜状粘接剂和电路部件的连接结构。本发明的粘接剂组合物为含有(a)包含从(甲基)丙烯酸烷基酯?丁二烯?苯乙烯共聚物或复合物、(甲基)丙烯酸烷基酯?有机硅共聚物或复合物和有机硅?(甲基)丙烯酸共聚物或复合物组成的组中选出的至少一种物质的有机微粒的组合物。

28.

发明公开
用于形状记忆合金导线的晶片级集成的方法有权

公开(公告)号：CN105719979A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201610090270.5

申请日：2011-11-22

Applicant: 空气传感公司

Inventor： S.布劳恩 , F.尼克劳斯 , A.菲舍尔 , H.格拉丁

IPC: H01L21/603

CPC classification number: H01L24/85 , B23K20/007 , C22C19/03 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/78 , H01L24/94 , H01L2224/04042 , H01L2224/05571 , H01L2224/05599 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45155 , H01L2224/4813 , H01L2224/48453 , H01L2224/48463 , H01L2224/78301 , H01L2224/85045 , H01L2224/85099 , H01L2224/85205 , H01L2224/85345 , H01L2224/85375 , H01L2224/85385 , H01L2224/85399 , H01L2224/858 , H01L2224/85855 , H01L2224/85899 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2924/01049 , H01L2924/00015 , H01L2924/20753 , H01L2924/01022

Abstract: 本发明公开了一种将导线附着到基板的方法，其中所述导线被机械地附着到作为所述基板的一部分的3D结构。包括至少一个夹持结构，并且该方法包括下面的步骤：通过在所述导线的一部分与所述3D结构之间产生摩擦力或进行锚定，来固定所述导线，以及通过施加力来截断所述导线。本发明还公开了一种包括附着到基板的导线的装置，所述导线被配置为机械地附着到所述基板上的3D结构。所述基板包括具有至少一个夹持结构的固定对，并且所述导线被配置为至少通过所述固定对而被机械地固定到所述基板，并且通过导线结合器的结合毛细管和所施加的力被截断。本发明还公开了一种导线结合器。