公开(公告)号：CN102347298A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201010569645.9

申请日：2010-11-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑明达 ,  吕文雄 ,  林志伟 ,  陈静雯 ,  吴逸文 ,  张家栋 ,  何明哲 ,  刘重希

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11827 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/05 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明公开了一种基板上的凸块结构与其形成方法，可解决基板上导电层与连接至导电层的金属凸块两者界面的分层问题。导电层可为金属垫或顶金属层。经由临场沉积导电保护层于导电层(或导电底层上)，金属凸块的凸块下冶金层与导电层之间具有良好粘着力，并可减少界面分层。在某些实施例中，可省略凸块下冶金层中的铜扩散阻挡层。在某些实施例中，若金属凸块结构的沉积方法为非电镀工艺且金属凸块的组成不是铜，则可省略凸块下金属层。

公开(公告)号：CN105931982B

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201510785674.1

申请日：2015-11-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 颜君旭 ,  黄邦育 ,  彭垂亚 ,  陈静雯

IPC: H01L21/762

Abstract: 一种用于制造浅沟槽隔离的方法包括：在衬底中形成沟槽；形成填充沟槽的间隙的底部浅沟槽隔离电介质；以及在底部浅沟槽隔离电介质上形成顶部浅沟槽隔离电介质。底部浅沟槽隔离电介质具有凹形中心部分，并且通过使用低沉积与溅射比率的高密度等离子体化学汽相沉积工艺在底部浅沟槽隔离电介质上沉积顶部浅沟槽隔离电介质。也公开了具有浅沟槽隔离的半导体结构。本发明实施例涉及制造浅沟槽隔离的方法以及使用浅沟槽隔离的半导体结构。

公开(公告)号：CN105931982A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201510785674.1

申请日：2015-11-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 颜君旭 ,  黄邦育 ,  彭垂亚 ,  陈静雯

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76224 ,  C23C16/045 ,  C23C16/505 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31056 ,  H01L21/76229 ,  H01L29/0649

Abstract: 一种用于制造浅沟槽隔离的方法包括：在衬底中形成沟槽；形成填充沟槽的间隙的底部浅沟槽隔离电介质；以及在底部浅沟槽隔离电介质上形成顶部浅沟槽隔离电介质。底部浅沟槽隔离电介质具有凹形中心部分，并且通过使用低沉积与溅射比率的高密度等离子体化学汽相沉积工艺在底部浅沟槽隔离电介质上沉积顶部浅沟槽隔离电介质。也公开了具有浅沟槽隔离的半导体结构。本发明实施例涉及制造浅沟槽隔离的方法以及使用浅沟槽隔离的半导体结构。

公开(公告)号：CN102347298B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201010569645.9

申请日：2010-11-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑明达 ,  吕文雄 ,  林志伟 ,  陈静雯 ,  吴逸文 ,  张家栋 ,  何明哲 ,  刘重希

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11827 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/05 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明公开了一种基板上的凸块结构与其形成方法，可解决基板上导电层与连接至导电层的金属凸块两者界面的分层问题。导电层可为金属垫或顶金属层。经由临场沉积导电保护层于导电层(或导电底层上)，金属凸块的凸块下冶金层与导电层之间具有良好粘着力，并可减少界面分层。在某些实施例中，可省略凸块下冶金层中的铜扩散阻挡层。在某些实施例中，若金属凸块结构的沉积方法为非电镀工艺且金属凸块的组成不是铜，则可省略凸块下金属层。

公开(公告)号：CN221466577U

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202322235225.2

申请日：2023-08-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈静雯 ,  何明哲 ,  郭宏瑞

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/535 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

Abstract: 本实用新型提供一种包括重布线结构的半导体封装，所述重布线结构包括交替地堆栈的介电层及导电层，其中重布线结构的介电层之中的一个介电层包括第一表面，重布线结构的导电层之中的一个导电层包括第二表面，并且所述导电层包括布线层及晶种层；所述结构还包括：凸块下金属(UBM)层，包括第三表面、与第三表面相对的第四表面及自第三表面延伸至第四表面的侧壁表面，其中晶种层的一部分位于布线层与UBM层之间，且UBM层与介电层接触。