公开(公告)号：CN1692481A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200380100534.1

申请日：2003-11-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田村至 ,  村上克也 ,  武部直人

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L22/32 ,  H01L23/585 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置，它使用低介电常数的膜作为层间膜(14)，该膜的介电常数k≤3.0，该装置包括抑制机构部件(20)，用来抑制层间膜(14)的剥离。

公开(公告)号：CN102290391B

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201110066789.7

申请日：2011-03-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐野雄一 ,  井本孝志 ,  武部直人 ,  石田胜广 ,  本田友巳 ,  熊谷靖

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01R43/00

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48455 ,  H01L2224/48476 ,  H01L2224/4848 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48992 ,  H01L2224/48997 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49429 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  Y10T29/41 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明涉及半导体器件、制造半导体器件的方法以及半导体器件的制造装置。根据一个实施例，一种半导体器件包括第一半导体元件、第一电极、球部、第二电极、以及线。所述第一电极被电连接到所述第一半导体元件。所述球部被设置在所述第一电极上。所述线连接所述球部和所述第二电极。位于所述线的与所述第二电极相反的一侧的端部处的折返部的厚度小于所述线的直径。

公开(公告)号：CN102931106A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210055038.X

申请日：2012-03-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐野雄一 ,  武部直人

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/4554

Abstract: 本发明提供在执行引线接合时降低环形高度的引线接合装置及半导体装置的制造方法。本实施方式的引线接合装置具有：细管；接合台；使前述细管相对于前述接合台相对移动的移动机构；以及对前述移动机构进行控制的控制部。前述控制部，对插通于细管的引线，通过前述细管向第1焊盘进行第一次接合，通过前述细管使前述引线接触于设置有第2焊盘的基板的上表面中接近于前述第2焊盘的部位并按压变形，由此形成接合用的连接部。然后，前述控制部控制前述移动机构，使得将前述引线的连接部接合于前述第2焊盘。

公开(公告)号：CN103199028A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201210308848.1

申请日：2012-08-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井本孝志 ,  石田胜广 ,  蒋田英雄 ,  渡边昭吾 ,  佐野雄一 ,  谷本亮 ,  安藤善康 ,  武部直人 ,  岩本正次 ,  竹本康男

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供能够既抑制成本又降低噪声、并且既确保金属线与焊盘的连接强度又顺畅连续地进行接合的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法，通过毛细管以及能够切换成闭合状态和打开状态的线夹，用线连接在基板上形成的基板侧电极焊盘和在芯片上形成的芯片侧电极焊盘。通过化学镀在基板侧电极焊盘的最表层形成镀金。使毛细管移动至越过线对基板侧电极焊盘接合的一次接合的位置的正上方的位置为止，接着对基板侧电极焊盘进行线的一次接合。

公开(公告)号：CN103000600A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210071044.4

申请日：2012-03-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井本孝志 ,  安藤善康 ,  谷本亮 ,  岩本正次 ,  竹本康男 ,  田口英男 ,  武部直人 ,  宫下浩一 ,  田中润 ,  石田胜广 ,  渡边昭吾 ,  佐野雄一

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/29 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L23/3135 ,  H01L23/145 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及半导体装置。在一个实施例中，一种半导体装置具有基底、第一半导体芯片、电极、第一和第二连接部件以及第一和第二密封部件。所述电极被设置在所述第一半导体芯片上并包含Al。所述第一连接部件电连接所述电极和所述基底，并包含Au或Cu。所述第一密封部件密封所述第一半导体芯片和所述第一连接部件。一个或多个第二半导体芯片层叠在所述第一密封部件上。所述第二密封部件密封所述第一连接部件、所述一个或多个第二半导体芯片以及一个或多个第二连接部件。所述第一密封部件中的Cl离子和Br离子的总重量W1与所述第一密封部件和所述基底的树脂的重量W0的比率小于等于7.5ppm。

公开(公告)号：CN102779813A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201210031263.X

申请日：2012-02-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 渡部武志 ,  井本孝志 ,  武部直人 ,  黑勇旗 ,  堂前佑辅 ,  涩谷克则 ,  小玉义宗 ,  唐金祐次 ,  川户雅敏

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2225/1082 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法以及采用它的半导体模块。根据一个实施方式提供的半导体装置，具备：布线基板；在布线基板的第1面搭载的半导体芯片；在布线基板的第1面设置的第1突起电极；在布线基板的第2面设置的第2突起电极；和将半导体芯片与第1突起电极一起密封的密封树脂层。密封树脂层具有使第1突起电极的一部分露出的凹部。半导体装置多个层叠，构成POP构造的半导体模块。该场合，下级侧装置的第1突起电极与上级侧装置的第2突起电极电气连接。

公开(公告)号：CN102290391A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110066789.7

申请日：2011-03-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐野雄一 ,  井本孝志 ,  武部直人 ,  石田胜广 ,  本田友巳 ,  熊谷靖

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01R43/00

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48455 ,  H01L2224/48476 ,  H01L2224/4848 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48992 ,  H01L2224/48997 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49429 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  Y10T29/41 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明涉及半导体器件、制造半导体器件的方法以及半导体器件的制造装置。根据一个实施例，一种半导体器件包括第一半导体元件、第一电极、球部、第二电极、以及线。所述第一电极被电连接到所述第一半导体元件。所述球部被设置在所述第一电极上。所述线连接所述球部和所述第二电极。位于所述线的与所述第二电极相反的一侧的端部处的折返部的厚度小于所述线的直径。