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公开(公告)号：CN1503364A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN200310118329.X
申请日：2003-11-21
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/10 , H01L27/115 , H01L27/08 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L27/115 , H01L27/11524
Abstract: 提供一种防止字线与半导体衬底之间电短路，具备电可靠性高的非易失性存储电路的半导体器件及其制造方法。在具备非易失性存储电路的半导体器件中，包括：有第1槽30和埋设其内部的隔离用充填材料31的元件隔离区3；在栅宽度方向相邻存储单元M的浮动电极5间，与表面部分比较深的部分的槽宽小的第2槽20；以及在第2槽20内部埋设一部分的字线7WL。
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公开(公告)号：CN102290391A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110066789.7
申请日：2011-03-18
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/48 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01R43/00
CPC classification number: H01L24/85 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48455 , H01L2224/48476 , H01L2224/4848 , H01L2224/48599 , H01L2224/48992 , H01L2224/48997 , H01L2224/4911 , H01L2224/49175 , H01L2224/49429 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/85181 , H01L2224/92247 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01057 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/181 , H01L2924/2075 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , Y10T29/41 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/48465 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及半导体器件、制造半导体器件的方法以及半导体器件的制造装置。根据一个实施例，一种半导体器件包括第一半导体元件、第一电极、球部、第二电极、以及线。所述第一电极被电连接到所述第一半导体元件。所述球部被设置在所述第一电极上。所述线连接所述球部和所述第二电极。位于所述线的与所述第二电极相反的一侧的端部处的折返部的厚度小于所述线的直径。
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公开(公告)号：CN102290391B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201110066789.7
申请日：2011-03-18
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/48 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01R43/00
CPC classification number: H01L24/85 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48455 , H01L2224/48476 , H01L2224/4848 , H01L2224/48599 , H01L2224/48992 , H01L2224/48997 , H01L2224/4911 , H01L2224/49175 , H01L2224/49429 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/85181 , H01L2224/92247 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01057 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/181 , H01L2924/2075 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , Y10T29/41 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/48465 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及半导体器件、制造半导体器件的方法以及半导体器件的制造装置。根据一个实施例，一种半导体器件包括第一半导体元件、第一电极、球部、第二电极、以及线。所述第一电极被电连接到所述第一半导体元件。所述球部被设置在所述第一电极上。所述线连接所述球部和所述第二电极。位于所述线的与所述第二电极相反的一侧的端部处的折返部的厚度小于所述线的直径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1269214C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200310118329.X
申请日：2003-11-21
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/10 , H01L27/115 , H01L27/08 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L27/115 , H01L27/11524
Abstract: 提供一种防止字线与半导体衬底之间电短路，具备电可靠性高的非易失性存储电路的半导体器件及其制造方法。在具备非易失性存储电路的半导体器件中，包括：有第1槽30和埋设其内部的隔离用充填材料31的元件隔离区3；在栅宽度方向相邻存储单元M的浮动电极5间，与表面部分比较深的部分的槽宽小的第2槽20；以及在第2槽20内部埋设一部分的字线7WL。
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公开(公告)号：CN106104768B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201580012852.5
申请日：2015-04-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 一技术方案的等离子体处理方法包括如下工序：准备等离子体处理装置的工序，该等离子体处理装置具有腔室、下部电极、上部电极、将所述下部电极的周缘包围起来的聚焦环、以及配置于所述上部电极的上部且比所述下部电极的周缘靠外侧的位置的环状线圈；将基板以其周缘被所述聚焦环包围的方式载置在所述下部电极上的工序；向所述腔室内导入处理气体的工序；向所述上部电极与所述下部电极之间施加高频电力来产生所述处理气体的等离子体的工序；以及向所述环状线圈供给电流、使其产生磁场、使所述基板的上部和所述聚焦环的上部的等离子体鞘层的界面平坦化的工序。
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公开(公告)号：CN106104768A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580012852.5
申请日：2015-04-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 一技术方案的等离子体处理方法包括如下工序：准备等离子体处理装置的工序，该等离子体处理装置具有腔室、下部电极、上部电极、将所述下部电极的周缘包围起来的聚焦环、以及配置于所述上部电极的上部且比所述下部电极的周缘靠外侧的位置的环状线圈；将基板以其周缘被所述聚焦环包围的方式载置在所述下部电极上的工序；向所述腔室内导入处理气体的工序；向所述上部电极与所述下部电极之间施加高频电力来产生所述处理气体的等离子体的工序；以及向所述环状线圈供给电流、使其产生磁场、使所述基板的上部和所述聚焦环的上部的等离子体鞘层的界面平坦化的工序。
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公开(公告)号：CN103199028A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210308848.1
申请日：2012-08-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/78 , H01L2224/78301 , H01L2224/85 , H01L2224/85181 , H01L2224/85205 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供能够既抑制成本又降低噪声、并且既确保金属线与焊盘的连接强度又顺畅连续地进行接合的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法，通过毛细管以及能够切换成闭合状态和打开状态的线夹，用线连接在基板上形成的基板侧电极焊盘和在芯片上形成的芯片侧电极焊盘。通过化学镀在基板侧电极焊盘的最表层形成镀金。使毛细管移动至越过线对基板侧电极焊盘接合的一次接合的位置的正上方的位置为止，接着对基板侧电极焊盘进行线的一次接合。
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公开(公告)号：CN103000600A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210071044.4
申请日：2012-03-16
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/488 , H01L23/29 , H01L25/065
CPC classification number: H01L23/3135 , H01L23/145 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49894 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16237 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48624 , H01L2224/48824 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81815 , H01L2224/83104 , H01L2224/92247 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/16225 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/32145 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及半导体装置。在一个实施例中，一种半导体装置具有基底、第一半导体芯片、电极、第一和第二连接部件以及第一和第二密封部件。所述电极被设置在所述第一半导体芯片上并包含Al。所述第一连接部件电连接所述电极和所述基底，并包含Au或Cu。所述第一密封部件密封所述第一半导体芯片和所述第一连接部件。一个或多个第二半导体芯片层叠在所述第一密封部件上。所述第二密封部件密封所述第一连接部件、所述一个或多个第二半导体芯片以及一个或多个第二连接部件。所述第一密封部件中的Cl离子和Br离子的总重量W1与所述第一密封部件和所述基底的树脂的重量W0的比率小于等于7.5ppm。
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