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公开(公告)号：CN102779813A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210031263.X
申请日：2012-02-13
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L25/065 , H01L23/31 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/561 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/06155 , H01L2224/24145 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2225/06562 , H01L2225/1023 , H01L2225/1052 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L2225/1082 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/19105 , H01L2924/3511 , H01L2224/85 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法以及采用它的半导体模块。根据一个实施方式提供的半导体装置，具备：布线基板；在布线基板的第1面搭载的半导体芯片；在布线基板的第1面设置的第1突起电极；在布线基板的第2面设置的第2突起电极；和将半导体芯片与第1突起电极一起密封的密封树脂层。密封树脂层具有使第1突起电极的一部分露出的凹部。半导体装置多个层叠，构成POP构造的半导体模块。该场合，下级侧装置的第1突起电极与上级侧装置的第2突起电极电气连接。
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公开(公告)号：CN103681640B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310058066.1
申请日：2013-02-25
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L25/065 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L21/98
CPC classification number: H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2224/2741 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32013 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83856 , H01L2224/83862 , H01L2224/83986 , H01L2224/92165 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/83 , H01L2224/27 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及叠层型半导体装置。提供可以消除当在半导体芯片的粘接剂层内埋入比其小型的半导体芯片时产生的缺点的叠层型半导体装置。实施方式的叠层型半导体装置（1）具备配置于电路基板（2）上的第1半导体芯片（6）、使第1半导体芯片（6）粘合于电路基板（2）的粘接层（7）和具有比第1半导体芯片（6）小的外形的第2半导体芯片（10）。第2半导体芯片（10）至少一部分埋入于粘接层（7）内。粘接层（7）具有95μm以上且150μm以下的范围的厚度，并且包括当埋入第2半导体芯片（10）时的热时粘度为500Pa·s以上且5000Pa·s以下的范围的热固化性树脂。
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公开(公告)号：CN103681640A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310058066.1
申请日：2013-02-25
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L25/065 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L21/98
CPC classification number: H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2224/2741 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32013 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83856 , H01L2224/83862 , H01L2224/83986 , H01L2224/92165 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/83 , H01L2224/27 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及叠层型半导体装置。提供可以消除当在半导体芯片的粘接剂层内埋入比其小型的半导体芯片时产生的缺点的叠层型半导体装置。实施方式的叠层型半导体装置（1）具备配置于电路基板（2）上的第1半导体芯片（6）、使第1半导体芯片（6）粘合于电路基板（2）的粘接层（7）和具有比第1半导体芯片（6）小的外形的第2半导体芯片（10）。第2半导体芯片（10）至少一部分埋入于粘接层（7）内。粘接层（7）具有95μm以上且150μm以下的范围的厚度，并且包括当埋入第2半导体芯片（10）时的热时粘度为500Pa·s以上且5000Pa·s以下的范围的热固化性树脂。
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