公开(公告)号：CN101927978A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN201010204843.5

申请日：2010-06-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·C·萨普 ,  李正文 ,  L·A·克莱文格 ,  K·S·彼得拉尔卡 ,  R·A·库翁 ,  C·J·雷登斯

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: B81C1/00698 ,  B81B2201/0292

Abstract: 本发明涉及具有平行板电极的自对准纳米尺寸器件。相连的深沟槽包括第一沟槽部分以及第二和第三沟槽部分，第一沟槽部分具有在第一平行侧壁的对之间的恒定宽度，第二和第三沟槽部分中的每一个具有大于第一沟槽部分的宽度且横向地连接到第一沟槽部分。采用非保形沉积工艺形成导电层，该导电层在相连的深沟槽部分内具有锥形的几何形状，以便在相连的深沟槽的底表面上不存在导电层。形成间隙填充层以填塞第一沟槽部分中的空间。将导电层构图成两个导电板，这两个导电板中的每一个具有位于第一沟槽部分内的锥形垂直部分。在去除了间隙填充层的剩余部分之后，形成了这样的器件，该器件在所述导电板的锥形垂直部分之间具有小间隔距离。

公开(公告)号：CN101071789A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200710107707.2

申请日：2007-04-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·L·森格尔 ,  S·V·尼塔 ,  C·V·亚恩斯 ,  K·S·彼得拉尔卡

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1026 ,  H01L2221/1031 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种多层含气隙的互连结构及其制造方法。该多层含气隙的互连结构，包括散布的线路级和过孔级的集合，所述过孔级包括嵌入到一个或多个介质层的导电过孔，其中所述介质层固态地位于相邻级中的线路部件之下或之上、并且在线路部件之间被穿孔。所述线路级包括导电线路和含气隙的介质。固态介质桥层位于所述散布的线路和过孔级的集合之上，所述固态介质桥层包括导电接点并且通过在穿孔的介质层中填充而形成。

公开(公告)号：CN116615801A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202180084960.9

申请日：2021-12-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·亚伯拉罕 ,  O·戴尔 ,  J·科特 ,  K·S·彼得拉尔卡

IPC: H01L25/065

Abstract: 一种设备(500)包括：具有第一芯片前侧和第一芯片后侧第一芯片(508)，具有量子位芯片前侧和量子位芯片后侧的量子位芯片(504)，该量子位芯片前侧用一组突点接合(506)可操作地耦合到第一芯片前侧，连接到第一芯片后侧或量子位芯片后侧中的至少一个的一组硅通孔(TSV)，以及被金属接合到量子位芯片后侧或第一芯片后侧中的至少一个的帽晶圆(502)。优选地，量子位和TSV是超导的，并且帽晶圆以空腔为特征，该空腔包括在其内侧表面用于电磁屏蔽的金属涂层。

公开(公告)号：CN1879208A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200380110704.4

申请日：2003-11-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·S·彼得拉尔卡 ,  T-J·程 ,  S·H·尼克博克 ,  R·P·沃朗 ,  G·F·瓦尔克

IPC: H01L21/44 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05109 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05176 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015

Abstract: 本发明公开了形成输入－输出(I/O)结构的方法，其中通过在凹槽(25)中选择性形成的第一导电阻挡层(102)覆盖具有在第一介质层(10)中的凹槽(25)的底部暴露的铜导电部分(20)的衬底。在衬底表面上形成第二介质(105)，优选有机聚合物例如聚酰亚胺，并且在第二介质(105)中形成第二凹槽(27)以使第一导电阻挡层(102)的至少一部分暴露。保形沉积第二导电阻挡层(107)，之后保形沉积籽晶层(109)，二者均在真空下沉积以确保籽晶层(109)与第二导电阻挡层(107)的附着。选择性除去凹槽(27)外部的籽晶层(107)，之后镀覆含镍金属(113)和随后镀覆贵金属(115)，其将在凹槽(27)中的籽晶层(107)的剩余部分上，而不在第二导电阻挡层(107)镀覆。通过低偏置功率RIE从暴露的场区域除去第二导电阻挡层(107)。本发明提供了形成用于探针测试和布线接合的I/O结构的低成本方法，而不损坏下面的器件和降低芯片的面积。

公开(公告)号：CN100341112C

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200510001865.0

申请日：2005-01-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·C·埃德尔斯坦 ,  P·C·安德里卡科斯 ,  J·M·科特 ,  H·德利吉安尼 ,  J·H·梅格莱因 ,  K·S·彼得拉尔卡 ,  K·J·施泰因 ,  R·P·沃朗

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/00 ,  H01L27/00 ,  H01F17/00

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L27/08 ,  H01L28/10 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05007 ,  H01L2224/05014 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种电感器及形成电感器的方法，该方法包括：(a)提供半导体衬底；(b)在衬底的上表面上形成介质层；(c)在介质层中形成下沟槽；(d)在介质层的上表面形成抗蚀剂层；(e)在抗蚀剂层中形成上沟槽，上沟槽与下沟槽对准，上沟槽的底部开口到下沟槽；以及(f)用导体完全填充下沟槽并至少部分地填充上沟槽，以形成电感器。该电感器包括上表面、下表面和侧壁，所述电感器的下部延伸固定距离进入半导体衬底上形成的介质层中，且上部在所述介质层上延伸；以及电接触所述电感器的装置。

公开(公告)号：CN1649087A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200510001865.0

申请日：2005-01-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·C·埃德尔斯坦 ,  P·C·安德里卡科斯 ,  J·M·科特 ,  H·德利吉安尼 ,  J·H·梅格莱因 ,  K·S·彼得拉尔卡 ,  K·J·施泰因 ,  R·P·沃朗

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/00 ,  H01L27/00 ,  H01F17/00

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L27/08 ,  H01L28/10 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05007 ,  H01L2224/05014 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种电感器及形成电感器的方法，该方法包括：(a)提供半导体衬底；(b)在衬底的上表面上形成介质层；(c)在介质层中形成下沟槽；(d)在介质层的上表面形成抗蚀剂层；(e)在抗蚀剂层中形成上沟槽，上沟槽与下沟槽对准，上沟槽的底部开口到下沟槽；以及(f)用导体完全填充下沟槽并至少部分地填充上沟槽，以形成电感器。该电感器包括上表面、下表面和侧壁，所述电感器的下部延伸固定距离进入半导体衬底上形成的介质层中，且上部在所述介质层上延伸；以及电接触所述电感器的装置。