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公开(公告)号：CN101927978A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010204843.5
申请日：2010-06-11
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: B81C1/00698 , B81B2201/0292
Abstract: 本发明涉及具有平行板电极的自对准纳米尺寸器件。相连的深沟槽包括第一沟槽部分以及第二和第三沟槽部分，第一沟槽部分具有在第一平行侧壁的对之间的恒定宽度，第二和第三沟槽部分中的每一个具有大于第一沟槽部分的宽度且横向地连接到第一沟槽部分。采用非保形沉积工艺形成导电层，该导电层在相连的深沟槽部分内具有锥形的几何形状，以便在相连的深沟槽的底表面上不存在导电层。形成间隙填充层以填塞第一沟槽部分中的空间。将导电层构图成两个导电板，这两个导电板中的每一个具有位于第一沟槽部分内的锥形垂直部分。在去除了间隙填充层的剩余部分之后，形成了这样的器件，该器件在所述导电板的锥形垂直部分之间具有小间隔距离。
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公开(公告)号：CN104183569B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410217142.3
申请日：2014-05-21
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5228 , H01L23/525 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本公开的实施例涉及一种集成突触元件的结构和方法。公开了一种互连结构中使用电迁移的突触元件，其中对所述互连结构进行最优化以给予跟随电流流动的电阻率变化的控制。突触元件展现取决于电流流动的数量(电荷)和方向的电阻率，其中通过控制互连结构中设计的空隙的容量来获得持续可变的电阻。
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公开(公告)号：CN104183569A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410217142.3
申请日：2014-05-21
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5228 , H01L23/525 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本公开的实施例涉及一种集成突触元件的结构和方法。公开了一种互连结构中使用电迁移的突触元件，其中对所述互连结构进行最优化以给予跟随电流流动的电阻率变化的控制。突触元件展现取决于电流流动的数量(电荷)和方向的电阻率，其中通过控制互连结构中设计的空隙的容量来获得持续可变的电阻。
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