公开(公告)号：CN1624869A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200310116964.4

申请日：2003-12-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·库尔鲍 ,  E·E·埃斯楚恩 ,  J·F·小谢泼德 ,  K·J·施泰因 ,  K·韦埃特

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/70 ,  H01G4/10 ,  H01G4/008

Abstract: 本发明提供了一种含有高k介质的高性能金属－绝缘体金属(MIM)电容器，然而基本上没有观察到MIM电容器的短路。具体地，通过在高k介质层和每个电容器的电极之间形成钝化层，本发明基本上防止了MIM电容器的短路。本发明的MIM电容器包括第一导体；位于第一导体上的第一钝化层；位于第一钝化层上的高k介质层；位于高k介质层上的第二钝化层；以及位于第二钝化层上的第二导体。

公开(公告)号：CN100341112C

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200510001865.0

申请日：2005-01-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·C·埃德尔斯坦 ,  P·C·安德里卡科斯 ,  J·M·科特 ,  H·德利吉安尼 ,  J·H·梅格莱因 ,  K·S·彼得拉尔卡 ,  K·J·施泰因 ,  R·P·沃朗

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/00 ,  H01L27/00 ,  H01F17/00

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L27/08 ,  H01L28/10 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05007 ,  H01L2224/05014 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种电感器及形成电感器的方法，该方法包括：(a)提供半导体衬底；(b)在衬底的上表面上形成介质层；(c)在介质层中形成下沟槽；(d)在介质层的上表面形成抗蚀剂层；(e)在抗蚀剂层中形成上沟槽，上沟槽与下沟槽对准，上沟槽的底部开口到下沟槽；以及(f)用导体完全填充下沟槽并至少部分地填充上沟槽，以形成电感器。该电感器包括上表面、下表面和侧壁，所述电感器的下部延伸固定距离进入半导体衬底上形成的介质层中，且上部在所述介质层上延伸；以及电接触所述电感器的装置。

公开(公告)号：CN1649087A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200510001865.0

申请日：2005-01-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·C·埃德尔斯坦 ,  P·C·安德里卡科斯 ,  J·M·科特 ,  H·德利吉安尼 ,  J·H·梅格莱因 ,  K·S·彼得拉尔卡 ,  K·J·施泰因 ,  R·P·沃朗

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/00 ,  H01L27/00 ,  H01F17/00

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L27/08 ,  H01L28/10 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05007 ,  H01L2224/05014 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种电感器及形成电感器的方法，该方法包括：(a)提供半导体衬底；(b)在衬底的上表面上形成介质层；(c)在介质层中形成下沟槽；(d)在介质层的上表面形成抗蚀剂层；(e)在抗蚀剂层中形成上沟槽，上沟槽与下沟槽对准，上沟槽的底部开口到下沟槽；以及(f)用导体完全填充下沟槽并至少部分地填充上沟槽，以形成电感器。该电感器包括上表面、下表面和侧壁，所述电感器的下部延伸固定距离进入半导体衬底上形成的介质层中，且上部在所述介质层上延伸；以及电接触所述电感器的装置。