公开(公告)号：CN1879208A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200380110704.4

申请日：2003-11-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·S·彼得拉尔卡 ,  T-J·程 ,  S·H·尼克博克 ,  R·P·沃朗 ,  G·F·瓦尔克

IPC: H01L21/44 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05109 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05176 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015

Abstract: 本发明公开了形成输入－输出(I/O)结构的方法，其中通过在凹槽(25)中选择性形成的第一导电阻挡层(102)覆盖具有在第一介质层(10)中的凹槽(25)的底部暴露的铜导电部分(20)的衬底。在衬底表面上形成第二介质(105)，优选有机聚合物例如聚酰亚胺，并且在第二介质(105)中形成第二凹槽(27)以使第一导电阻挡层(102)的至少一部分暴露。保形沉积第二导电阻挡层(107)，之后保形沉积籽晶层(109)，二者均在真空下沉积以确保籽晶层(109)与第二导电阻挡层(107)的附着。选择性除去凹槽(27)外部的籽晶层(107)，之后镀覆含镍金属(113)和随后镀覆贵金属(115)，其将在凹槽(27)中的籽晶层(107)的剩余部分上，而不在第二导电阻挡层(107)镀覆。通过低偏置功率RIE从暴露的场区域除去第二导电阻挡层(107)。本发明提供了形成用于探针测试和布线接合的I/O结构的低成本方法，而不损坏下面的器件和降低芯片的面积。

公开(公告)号：CN1622322A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN200410074784.9

申请日：2004-09-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·C·巴尔特洛 ,  T-J·程 ,  D·F·艾希施泰特 ,  C·C·戈德史密斯 ,  J·H·格里菲特 ,  D·W·亨德森 ,  R·A·库翁 ,  S·基尔帕特里克

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/50

CPC classification number: H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

Abstract: 一种用于提高C4互连的可靠性的稳定铜覆盖层。公开了改进的集成电路结构，其具有内部电路和在所述结构的外部上的互连(如，C4等)。根据本发明，这些互连包括：在所述结构的外部上的金属层，在金属层上的第一铜层，在铜层上的阻挡层，在阻挡层上的稳定铜层，以及在阻挡层上的锡基焊料凸起。稳定铜层具有足量的铜，以平衡铜在阻挡层上的化学势能梯度，并防止第一铜层内的铜扩散穿过阻挡层。可选地，可在锡基焊料凸起内包括足量的铜，以防止铜扩散穿过阻挡层。从而，锡基焊料凸起包括富铜焊料合金。