公开(公告)号：CN1816890A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200480019233.0

申请日：2004-06-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： H·德利吉安尼 ,  P·安德里查科斯 ,  P·布赫瓦尔特 ,  J·科特 ,  C·雅内斯 ,  M·克里希南 ,  J·梅格莱因 ,  K·施泰因 ,  R·沃朗特 ,  J·托尔内洛 ,  J·伦德

IPC: H01H59/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  H01H2001/0052 ,  Y10T29/49156 ,  Y10T29/49165 ,  Y10T29/49204

Abstract: 本发明描述了一种具有贵金属接触的半导体微机电系统(MEMS)开关，贵金属接触用作铜电极的氧阻挡层。该MEMS开关完全集成在CMOS半导体制造线中。该集成技术、材料和工艺与铜芯片金属化工艺完全兼容以及典型地是低成本和低温工艺(低于400℃)。该MEMS开关包括：空腔内的可移动梁，所述可移动梁在其一端或两端固定到所述空腔的壁；嵌入所述可移动梁的第一电极；以及在所述空腔的壁中并面对所述第一电极的第二电极，其中所述第一和第二电极分别被贵金属接触覆盖。

公开(公告)号：CN116635999A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202180086652.X

申请日：2021-12-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·亚伯拉罕 ,  O·戴尔 ,  J·科特 ,  J·萨特尔

IPC: H01L23/00

Abstract: 一种量子半导体器件(200)包括：量子位芯片(202)；内插器芯片(208)，所述内插器芯片具有操作器，所述内插器芯片包括耦合到所述量子位芯片的第一侧的贯穿硅通孔(TSV)。多级布线MLW层(210,211,213)接触所述内插器芯片的下侧并且耦合到所述操作器的顶侧，所述TSV促进所述MLW层、所述内插器芯片的顶侧和量子位芯片之间的电信号连接，其中所述器件的结构减轻所述MLW层的各个线路上的信号串扰。

公开(公告)号：CN116018682A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202180055521.5

申请日：2021-08-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·亚伯拉罕 ,  J·科特 ,  S·霍尔

IPC: H01L23/552

Abstract: 一种用于形成电子芯片部件的方法。第一金属板耦接至衬底的第一侧，以形成背板。产生延伸穿过衬底以至少延伸到第一金属板的第一空腔。电子组件结合到衬底，使得电子组件位于第一空腔内。具有第二空腔的第二金属板被设置到衬底的第二侧，并且在第一空腔上方，使得电子组件被第一和第二金属板包封在第一和第二空腔内。

公开(公告)号：CN100424804C

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200480019233.0

申请日：2004-06-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： H·德利吉安尼 ,  P·安德里查科斯 ,  P·布赫瓦尔特 ,  J·科特 ,  C·雅内斯 ,  M·克里希南 ,  J·梅格莱因 ,  K·施泰因 ,  R·沃朗特 ,  J·托尔内洛 ,  J·伦德

IPC: H01H59/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  H01H2001/0052 ,  Y10T29/49156 ,  Y10T29/49165 ,  Y10T29/49204

Abstract: 本发明描述了一种具有贵金属接触的半导体微机电系统(MEMS)开关，贵金属接触用作铜电极的氧阻挡层。该MEMS开关完全集成在CMOS半导体制造线中。该集成技术、材料和工艺与铜芯片金属化工艺完全兼容以及典型地是低成本和低温工艺(低于400℃)。该MEMS开关包括：空腔内的可移动梁，所述可移动梁在其一端或两端固定到所述空腔的壁；嵌入所述可移动梁的第一电极；以及在所述空腔的壁中并面对所述第一电极的第二电极，其中所述第一和第二电极分别被贵金属接触覆盖。

公开(公告)号：CN116615801A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202180084960.9

申请日：2021-12-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·亚伯拉罕 ,  O·戴尔 ,  J·科特 ,  K·S·彼得拉尔卡

IPC: H01L25/065

Abstract: 一种设备(500)包括：具有第一芯片前侧和第一芯片后侧第一芯片(508)，具有量子位芯片前侧和量子位芯片后侧的量子位芯片(504)，该量子位芯片前侧用一组突点接合(506)可操作地耦合到第一芯片前侧，连接到第一芯片后侧或量子位芯片后侧中的至少一个的一组硅通孔(TSV)，以及被金属接合到量子位芯片后侧或第一芯片后侧中的至少一个的帽晶圆(502)。优选地，量子位和TSV是超导的，并且帽晶圆以空腔为特征，该空腔包括在其内侧表面用于电磁屏蔽的金属涂层。