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公开(公告)号：CN119173999A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202380038453.0
申请日：2023-05-05
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/00
Abstract: 一种电子结构包括第一衬底，该第一衬底具有形成在其上的第一凸点下金属化层(UBM)区域和第二UBM区域。在第一UBM区域上沉积一个或多个焊料凸点。在第二UBM区域上形成的下止部比在第一UBM区域上形成的任一个焊料凸点更宽、更浅并且更具刚性。通过位于第一UBM区域上的一个或多个焊料凸点将第二衬底连接到第一衬底，并且下止部的高度限制第一衬底和第二衬底中的至少一个之间的距离，或者物体与第一衬底和第二衬底中的至少一个之间的距离。
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公开(公告)号：CN119908193A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202380067795.5
申请日：2023-09-05
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H10N69/00 , G06N10/40 , H01P3/02 , H01L25/065 , H01P5/02
Abstract: 一种量子计算芯片装置提供基于边缘的电容性芯片内连接。第一芯片包括第一信号线，该第一信号线具有位于第一芯片边缘附近或边缘上的远端和位于远离第一芯片边缘的近端。第二芯片包括第二信号线，该第二信号线具有位于第二芯片的边缘附近或边缘上的远端和位于远离第二芯片的边缘的近端。第一信号线和第二信号线被配置为传导信号。第二芯片的第二信号线被设置成与第一芯片的第一信号线对齐以形成电容性总线连接。
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公开(公告)号：CN116685984A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202180086914.2
申请日：2021-12-20
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06N10/40
Abstract: 提出了用于为量子位装置产生偏移的嵌入式接地平面切口以促进该量子位装置的频率调谐的技术。量子位装置可以包括倒装芯片组件中的第一衬底和第二衬底。该量子位芯片组件可以包括被制造在该第一衬底上的量子位组件。该量子位组件可以包括可以从该量子位组件的中心点偏移的约瑟夫森结(JJ)电路。该量子位芯片组件可以包括位于该量子位芯片组件的表面上的嵌入式接地平面。切口部分可以形成在接地平面中并且定位在JJ电路上方。切口部分可以实现光信号或磁通量到JJ电路的接入。该量子位组件的频率可以基于光信号或磁通量到JJ电路的应用来调谐。
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公开(公告)号：CN116018682A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202180055521.5
申请日：2021-08-13
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/552
Abstract: 一种用于形成电子芯片部件的方法。第一金属板耦接至衬底的第一侧，以形成背板。产生延伸穿过衬底以至少延伸到第一金属板的第一空腔。电子组件结合到衬底，使得电子组件位于第一空腔内。具有第二空腔的第二金属板被设置到衬底的第二侧，并且在第一空腔上方，使得电子组件被第一和第二金属板包封在第一和第二空腔内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110574158A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201780089942.3
申请日：2017-11-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 半导体结构和形成该半导体结构的方法包括与衬底通孔自对准的焊料凸块，其中，焊料凸块和衬底通孔由导电金属材料形成，并且其中衬底通孔耦合到由不同的导电金属材料形成的掩埋金属化层。
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公开(公告)号：CN110574158B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201780089942.3
申请日：2017-11-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 半导体结构和形成该半导体结构的方法包括与衬底通孔自对准的焊料凸块，其中，焊料凸块和衬底通孔由导电金属材料形成，并且其中衬底通孔耦合到由不同的导电金属材料形成的掩埋金属化层。
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公开(公告)号：CN116615801A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202180084960.9
申请日：2021-12-13
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L25/065
Abstract: 一种设备(500)包括：具有第一芯片前侧和第一芯片后侧第一芯片(508)，具有量子位芯片前侧和量子位芯片后侧的量子位芯片(504)，该量子位芯片前侧用一组突点接合(506)可操作地耦合到第一芯片前侧，连接到第一芯片后侧或量子位芯片后侧中的至少一个的一组硅通孔(TSV)，以及被金属接合到量子位芯片后侧或第一芯片后侧中的至少一个的帽晶圆(502)。优选地，量子位和TSV是超导的，并且帽晶圆以空腔为特征，该空腔包括在其内侧表面用于电磁屏蔽的金属涂层。
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公开(公告)号：CN110622297A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201780090283.5
申请日：2017-12-07
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: 半导体结构和形成该半导体结构的方法通常包括提供夹在第一硅衬底和第二硅衬底之间的热压结合的超导金属层。第二衬底包括到热压结合的超导金属层的多个硅通孔。在电镀过程中，使用热压结合的超导金属层作为底部电极，将第二种超导金属电镀到硅通孔中，其中填充是从底部向上进行的。
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公开(公告)号：CN110622297B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201780090283.5
申请日：2017-12-07
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: 半导体结构和形成该半导体结构的方法通常包括提供夹在第一硅衬底和第二硅衬底之间的热压结合的超导金属层。第二衬底包括到热压结合的超导金属层的多个硅通孔。在电镀过程中，使用热压结合的超导金属层作为底部电极，将第二种超导金属电镀到硅通孔中，其中填充是从底部向上进行的。
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