公开(公告)号：CN1627508A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN200410090966.5

申请日：2004-11-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： E·G·科尔根 ,  C·费格尔 ,  G·F·戈特 ,  G·A·卡托皮斯 ,  J·H·梅格莱因 ,  E·J·斯普罗吉斯

IPC: H01L23/34 ,  H01L23/12 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/367 ,  H01L23/3737 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 在集成电路封装结构中，如在MCM或SCM中，在发热的集成电路芯片和附着于其上的基片之间施加顺从导热材料。在芯片背面上限定升高部分，它们与芯片的活跃前表面上高于平均功率密度的区域对准，以使组装后在该区域在芯片和基片之间放置的顺从导热材料层较薄，从而使在芯片上的“热点”温度降低。在一个实施示例中，该基片包括散热片、冷却板、散热器、散热管、散热帽、封装顶盖或其它冷却部件之一。

公开(公告)号：CN100568491C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200510078689.0

申请日：2005-06-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·J·贝扎马 ,  E·G·科尔根 ,  J·H·梅格莱因 ,  R·R·施密特

IPC: H01L23/34 ,  H01L23/473

CPC classification number: F28F3/04 ,  F28F3/12 ,  F28F2260/02 ,  H01L23/473 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 用于比如IC芯片的电子器件微通道冷却的设备和方法，它们能实现具有非均匀功率密度分布的高功率密度电子器件有效且低操作电压的微通道冷却，所述电子器件面向下安装在封装衬底上。例如，用于冷却IC芯片的集成微通道冷却装置(或微通道散热器装置)用于提供均匀的冷却剂流体流动和分配，并使冷却剂流动路径上的压降最小，以及为具有更高平均功率密度的IC芯片的高功率密度区域(或“热点”)提供可变的局部冷却能力。

公开(公告)号：CN1728365A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200510078689.0

申请日：2005-06-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·J·贝扎马 ,  E·G·科尔根 ,  J·H·梅格莱因 ,  R·R·施密特

IPC: H01L23/34 ,  H01L23/473

CPC classification number: F28F3/04 ,  F28F3/12 ,  F28F2260/02 ,  H01L23/473 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 用于比如IC芯片的电子器件微通道冷却的设备和方法，它们能实现具有非均匀功率密度分布的高功率密度电子器件有效且低操作电压的微通道冷却，所述电子器件面向下安装在封装衬底上。例如，用于冷却IC芯片的集成微通道冷却装置(或微通道散热器装置)用于提供均匀的冷却剂流体流动和分配，并使冷却剂流动路径上的压降最小，以及为具有更高平均功率密度的IC芯片的高功率密度区域(或“热点”)提供可变的局部冷却能力。

公开(公告)号：CN100341112C

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200510001865.0

申请日：2005-01-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·C·埃德尔斯坦 ,  P·C·安德里卡科斯 ,  J·M·科特 ,  H·德利吉安尼 ,  J·H·梅格莱因 ,  K·S·彼得拉尔卡 ,  K·J·施泰因 ,  R·P·沃朗

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/00 ,  H01L27/00 ,  H01F17/00

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L27/08 ,  H01L28/10 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05007 ,  H01L2224/05014 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种电感器及形成电感器的方法，该方法包括：(a)提供半导体衬底；(b)在衬底的上表面上形成介质层；(c)在介质层中形成下沟槽；(d)在介质层的上表面形成抗蚀剂层；(e)在抗蚀剂层中形成上沟槽，上沟槽与下沟槽对准，上沟槽的底部开口到下沟槽；以及(f)用导体完全填充下沟槽并至少部分地填充上沟槽，以形成电感器。该电感器包括上表面、下表面和侧壁，所述电感器的下部延伸固定距离进入半导体衬底上形成的介质层中，且上部在所述介质层上延伸；以及电接触所述电感器的装置。

公开(公告)号：CN1649087A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200510001865.0

申请日：2005-01-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·C·埃德尔斯坦 ,  P·C·安德里卡科斯 ,  J·M·科特 ,  H·德利吉安尼 ,  J·H·梅格莱因 ,  K·S·彼得拉尔卡 ,  K·J·施泰因 ,  R·P·沃朗

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/00 ,  H01L27/00 ,  H01F17/00

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L27/08 ,  H01L28/10 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05007 ,  H01L2224/05014 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种电感器及形成电感器的方法，该方法包括：(a)提供半导体衬底；(b)在衬底的上表面上形成介质层；(c)在介质层中形成下沟槽；(d)在介质层的上表面形成抗蚀剂层；(e)在抗蚀剂层中形成上沟槽，上沟槽与下沟槽对准，上沟槽的底部开口到下沟槽；以及(f)用导体完全填充下沟槽并至少部分地填充上沟槽，以形成电感器。该电感器包括上表面、下表面和侧壁，所述电感器的下部延伸固定距离进入半导体衬底上形成的介质层中，且上部在所述介质层上延伸；以及电接触所述电感器的装置。